Dettagli:
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Number di modello:: | AP4434AGYT-HF | Tipo:: | LOGICA ICS |
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Marca commerciale:: | Marca originale | Pacchetto:: | DIP/SMD |
Circostanza:: | Nuovo 100% AP4434AGYT-HF | Media disponibili:: | scheda |
Evidenziare: | transistor di commutazione del diodo di 3.13W IGBT,transistor di commutazione del diodo di 40A IGBT,MOSFET IGBT DI AP4434AGYT-HF |
AP4434AGYT-HF PMPAK (commutazione originale di YT MOSFET/IGBT/Diode/transistor IC scheggia
Descrizione
Le serie di AP4434A provengono da potere avanzato hanno innovato progettazione e tecnologia della trasformazione del silicio di raggiungere la su resistenza possibile più bassa e la prestazione di commutazione veloce. Fornisce al progettista un dispositivo efficiente estremo per uso in una vasta gamma di applicazioni di potere.
Il pacchetto di PMPAK® 3x3 è speciale per l'applicazione di conversione di tensione facendo uso della tecnica infrarossa standard di riflusso con il dissipatore di calore della parte raggiungere la buona prestazione termica.
Valutazioni massime assolute
Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
VDS | Tensione di Scolo-fonte | 20 | V |
VGS | Tensione di Portone-fonte | +8 | V |
ID@TA =25℃ | Corrente continua3, VGS @ 4.5V dello scolo | 10,8 | |
ID@TA =70℃ | Corrente continua3, VGS @ 4.5V dello scolo | 8,6 | |
IDM | Corrente pulsata1dello scolo | 40 | |
PD@TA =25℃ | Dissipazione di potere totale3 | 3,13 | W |
TSTG | Gamma di temperature di stoccaggio | -55 - 150 | ℃ |
TJ | Gamma di temperature di funzionamento della giunzione | -55 - 150 | ℃ |
dati hermal
Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
Rthj-c | Resistenza termica massima, Giunzione-caso | 4 | ℃/W |
Rthj-a | Resistenza termica massima,3Giunzione-ambientali | 40 | ℃/W |
AP4434AGYT-H
Characteristics@Tj elettrico =25oC (salvo specificazione contraria)
Simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Minuto. | Tipo. | Massimo. | Unità |
BVDSS | Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | VGS =0V, IDENTIFICAZIONE =250UA | 20 | - | - | V |
RDS (SOPRA) | Su resistenza statica2di Scolo-fonte | VGS =4.5V, IDENTIFICAZIONE =7A | - | - | 18 | mΩ |
VGS =2.5V, IDENTIFICAZIONE =4A | - | - | 25 | mΩ | ||
VGS =1.8V, IDENTIFICAZIONE =1A | - | - | 34 | mΩ | ||
VGS (Th) | Tensione della soglia del portone | VDS =VGS, IDENTIFICAZIONE =250UA | 0,25 | - | 1 | V |
gfs | Transconduttanza di andata | VDS =10V, IDENTIFICAZIONE =7A | - | 29 | - | S |
IDSS | Corrente di perdita di Scolo-fonte | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | uA |
IGSS | Perdita di Portone-fonte | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +100 | Na |
Qg | Tassa totale del portone |
IDENTIFICAZIONE =7A VDS =10V VGS =4.5V |
- | 12,5 | 20 | nC |
Qgs | Tassa di Portone-fonte | - | 1,5 | - | nC | |
Qgd | Tassa dello Portone-scolo («Miller») | - | 4,5 | - | nC | |
il TD (sopra) | Tempo di ritardo d'apertura |
IDENTIFICAZIONE =1A RG =3.3Ω DI VDS =10V VGS =5V |
- | 10 | - | NS |
TR | Tempo di aumento | - | 10 | - | NS | |
il TD (fuori) | Tempo di ritardo di giro-fuori | - | 24 | - | NS | |
tf | Tempo di caduta | - | 8 | - | NS | |
Ciss | Capacità introdotta |
VG.S =0V VDS =10V f=1.0MHz |
- | 800 | 1280 | PF |
Coss | Capacità di uscita | - | 165 | - | PF | |
Crss | Capacità inversa di trasferimento | - | 145 | - | PF | |
Rg | Resistenza del portone | f=1.0MHz | - | 1,5 | 3 | Ω |
Diodo dello Fonte-scolo
Simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Minuto. | Tipo. | Massimo. | Unità |
VSD | Trasmetta su tensione2 | È =2.6A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
trr | Tempo di recupero inverso |
È =7A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs |
- | 20 | - | NS |
Qrr | Tassa inversa di recupero | - | 10 | - | nC |
Note:
larghezza 1.Pulse limitata dalla temperatura di giunzione massima.
prova 2.Pulse
3.Surface ha montato su 1 in cuscinetto del rame2 2oz FR4 del bordo, t<> 10sec; 210oC/W una volta montato sul cuscinetto di rame minimo.
Persona di contatto: David