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Transistor di effetto di campo TIP112, transistor ad alta frequenza

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
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Rassegne del cliente
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Transistor di effetto di campo TIP112, transistor ad alta frequenza

Transistor di effetto di campo TIP112, transistor ad alta frequenza
Transistor di effetto di campo TIP112, transistor ad alta frequenza

Grande immagine :  Transistor di effetto di campo TIP112, transistor ad alta frequenza

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: TIP112
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Transistor di effetto di campo TIP112, transistor ad alta frequenza

descrizione
Identificazione del prodotto: TIP112 Caratteristica: Tensione di saturazione bassa dell'emettitore del collettore
Dissipazione di potere del collettore: 2w Temperatura di giunzione: 150℃
Tensione della Collettore-Base: 100V Tensione emittenta-base: 5V

TO-220-3L Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor TIP112 DARLINGTON (NPN)

 

 

CARATTERISTICA
  • Alto guadagno corrente di CC: hFE=1000 @ VCE=4V, IC=1A (minima)
  • Tensione di saturazione bassa dell'Collettore-emettitore
  • Uso industriale
 

VALUTAZIONI MASSIME (Ta=25℃ salvo indicazione contraria)

 

Simbolo Parametro Valore Unità
VCBO Tensione della Collettore-base 100 V
VCEO Tensione dell'Collettore-emettitore 100 V
VEBO Tensione emittenta-base 5 V
IC Corrente di collettore - continua 2 A
PC Dissipazione di potere del collettore 2 W
TJ Temperatura di giunzione 150
Tstg Temperatura di stoccaggio -55 - +150

 

 

 

CARATTERISTICHE ELETTRICHE (Ta=25℃ salvo specificazione contraria)

 

 

Parametro Simbolo Condizioni di prova Min Tipo Massimo Unità
tensione di ripartizione della Collettore-base V (BR) CBO IC=10mA, CIOÈ =0 100     V
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore CEO V (DEL BR) IC=30mA, IB=0 (SUS) 100     V
Tensione di ripartizione emittenta-base V (BR) EBO CIOÈ =10MA, IC=0 5     V
Corrente di taglio di collettore ICEO VCE=50V, IB=0     2 mA
Corrente di taglio di collettore ICBO VCB=100V, CIOÈ =0     1 mA
Corrente di taglio dell'emettitore IEBO VEB=5V, IC=0     2 mA

 

Guadagno corrente di CC

hFE (1) VCE=4V, IC=1A 1000   12000  
hFE (2) VCE=4V, IC=2A 500      
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore VCE (seduto) IC=2A, IB=8mA     2,5 V
Tensione dell'emettitore di base VBE VCE=4V, IC=2A     2,8 V
Capacità di uscita del collettore Pannocchia VCB=10V, CIOÈ =0, f=0.1MHz     100 PF

 

 

 

Dimensioni del profilo del pacchetto di TO-220-3L

 

Simbolo Dimensioni nei millimetri Dimensioni nei pollici
  Min Massimo Min Massimo
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2,540 TIPO 0,100 TIPI
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

TO-220-3L Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor TIP42/42A/42B/42C (PNP)

 

 


 

Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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