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Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio FMMT591

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

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Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio FMMT591

Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio FMMT591
Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio FMMT591

Grande immagine :  Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio FMMT591

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: FMMT591
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio FMMT591

descrizione
Tensione della Collettore-base di VCBO: -80 V Nome del prodotto: Triodo a semiconduttore
Evidenziare:

transistor ad alta frequenza

,

transistor del mosfet di potere

SOT-23 Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor FMMT591 (PNP)
 

CARATTERISTICA
 

Su resistenza equivalente bassa

 

Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio FMMT591 0

Segno: 591

 

 

 

VALUTAZIONI MASSIME (Ta=25℃ salvo indicazione contraria)
 

SimboloParametroValoreUnità
VCBOTensione della Collettore-base-80V
VCEOTensione dell'Collettore-emettitore-60V
VEBOTensione emittenta-base-5V
ICCorrente di collettore-1A
ICMCorrente di picco-2A
PCDissipazione di potere del collettore250Mw
RΘJAResistenza termica dalla giunzione ad ambientale500℃/W
TjTemperatura di giunzione150
TstgTemperatura di stoccaggio-55~+150

 
 
 
CARATTERISTICHE ELETTRICHE (Ta=25℃ salvo specificazione contraria)
 

ParametroSimboloCondizioni di provaMinTipoMassimoUnità
tensione di ripartizione della Collettore-baseV (BR) CBOIC=-100μA, CIOÈ =0-80  V
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitoreV CEO (DEL BR)1IC=-10mA, IB=0-60  V
Tensione di ripartizione emittenta-baseV (BR) EBOCIOÈ =-100ΜA, IC=0-5  V
Corrente di taglio di collettoreICBOVCB=-60V, CIOÈ =0  -0,1μA
Corrente di taglio dell'emettitoreIEBOVEB=-4V, IC=0  -0,1μA

 
 
 

Guadagno corrente di CC

hFE (1)VCE=-5V, IC=-1mA100   
 hFE (2) 1VCE=-5V, IC=-500mA100 300 
 hFE (3) 1VCE=-5V, IC=-1A80   
 hFE (4) 1VCE=-5V, IC=-2A15   

 

tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore

VCE (seduto) 1 1IC=-500mA, IB=-50mA  -0,3V
 VCE (seduto) 2 1IC=-1A, IB=-100mA  -0,6V
Tensione di saturazione dell'emettitore di baseVBE (seduto) 1IC=-1A, IB=-100mA  -1,2V
Tensione dell'emettitore di base

1

VBE

VCE=-5V, IC=-1A  -1V
Frequenza di transizionefTVCE=-10V, IC=-50mA, f=100MHz150  Megahertz
Capacità di uscita del collettorePannocchiaVCB=-10V, f=1MHz  10PF

 
 
 

Misurato nelle circostanze pulsate, impulso width=300μs, dovere cycle≤2%.
 
 
 
Characterisitics tipico 
 
 Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio FMMT591 1

Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio FMMT591 2

Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio FMMT591 3Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio FMMT591 4


 
 
 
 Dimensioni del profilo del pacchetto
 

SimboloDimensioni nei millimetriDimensioni nei pollici
 MinMassimoMinMassimo
A0,9001,1500,0350,045
A10,0000,1000,0000,004
A20,9001,0500,0350,041
b0,3000,5000,0120,020
c0,0800,1500,0030,006
D2,8003,0000,1100,118
E1,2001,4000,0470,055
E12,2502,5500,0890,100
e0,950 TIPI0,037 TIPI
e11,8002,0000,0710,079
L0,550 RIFERIMENTI0,022 RIFERIMENTI
L10,3000,5000,0120,020
θ

 
 
Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio FMMT591 5
Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio FMMT591 6
Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio FMMT591 7
 
 
 
 

Dettagli di contatto
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