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Corrente di collettore del transistor di potenza del silicio di SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
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Corrente di collettore del transistor di potenza del silicio di SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA

Corrente di collettore del transistor di potenza del silicio di SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA
Corrente di collettore del transistor di potenza del silicio di SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA

Grande immagine :  Corrente di collettore del transistor di potenza del silicio di SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: MMBTA44
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Corrente di collettore del transistor di potenza del silicio di SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA

descrizione
Temperatura di giunzione: ℃ 150 Tipo: Transistor del triodo
Applicazione: l'alimentazione elettrica mobile ha condotto il driver/controllo motorio Materiale: silicio
Corrente di collettore: 600 mA Temperatura di stoccaggio: -55~+150℃
Evidenziare:

transistor dell'interruttore di accensione

,

transistor del mosfet di potere

SOT-23 Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor MMBTA44 (NPN)
 

CARATTERISTICA
 

 Transistor di commutazione

Segno: 2X

 

 

 

VALUTAZIONI MASSIME (Ta=25℃ salvo indicazione contraria)
 

Simbolo Parametro Valore Unità
VCBO Tensione della Collettore-base 60 V
VCEO Tensione dell'Collettore-emettitore 40 V
VEBO Tensione emittenta-base 6 V
IC Corrente di collettore 600 mA
PC Dissipazione di potere del collettore 300 Mw
RΘJA Resistenza termica dalla giunzione ad ambientale 417 ℃/W
TJ Temperatura di giunzione 150
Tstg Temperatura di stoccaggio -55~+150

 
 
 
CARATTERISTICHE ELETTRICHE (Ta=25℃ salvo specificazione contraria)
 

Parametro Simbolo Condizioni di prova Min Tipo Massimo Unità
tensione di ripartizione della Collettore-base V (BR) CBO IC=100μA, CIOÈ =0 60     V
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore CEO V (DEL BR) IC=1mA, IB=0 40     V
Tensione di ripartizione emittenta-base V (BR) EBO CIOÈ =100ΜA, IC=0 6     V
Corrente di taglio di collettore ICBO VCB=50V, CIOÈ =0     0,1 μA
Corrente di taglio di collettore ICEX VCE=35V, VEB=0.4V     0,1 μA
Corrente di taglio dell'emettitore IEBO VEB=5V, IC=0     0,1 μA

 

 

 

Guadagno corrente di CC

hFE1 VCE=1V, IC=0.1mA 20      
  hFE2 VCE=1V, IC=1mA 40      
  hFE3 VCE=1V, IC=10mA 80      
  hFE4 VCE=1V, IC=150mA 100   300  
  hFE5 VCE=2V, IC=500mA 40      

 

tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore

 

VCE (seduto)

IC=150mA, IB=15mA     0,4 V
    IC=500mA, IB=50mA     0,75 V

 

Tensione di saturazione dell'emettitore di base

 

VBE (seduto)

IC=150mA, IB=15mA     0,95 V
    IC=500mA, IB=50mA     1,2 V
Frequenza di transizione fT VCE=10V, IC=20mA, f =100MHz 250     Megahertz
Tempo di ritardo td

VCC=30V, VBE (fuori) =-2V

IC=150mA, IB1=15mA

    15 NS
Tempo di aumento tr       20 NS
Tempo di immagazzinamento ts

VCC=30V, IC=150mA

IB1=IB2=15mA

    225 NS
Tempo di caduta tf       60 NS

 
 
 

Misurato nelle circostanze pulsate, impulso width=300μs, dovere cycle≤2%.
 
 
 
Characterisitics tipico  
 
 Corrente di collettore del transistor di potenza del silicio di SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA 0

Corrente di collettore del transistor di potenza del silicio di SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA 1

Corrente di collettore del transistor di potenza del silicio di SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA 2

Corrente di collettore del transistor di potenza del silicio di SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA 3

 
 
 
 Dimensioni del profilo del pacchetto
 

Simbolo Dimensioni nei millimetri Dimensioni nei pollici
  Min Massimo Min Massimo
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TIPI 0,037 TIPI
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 RIFERIMENTI 0,022 RIFERIMENTI
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ

 
 
Corrente di collettore del transistor di potenza del silicio di SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA 4
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Corrente di collettore del transistor di potenza del silicio di SOT-23 MMBTA44 NPN 600 mA 6
 
 
 
 

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