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Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio di MMBTA55 NPN

Certificazione
di buona qualità Transistor di potenza di punta per le vendite
di buona qualità Transistor di potenza di punta per le vendite
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

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Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio di MMBTA55 NPN

Porcellana Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio di MMBTA55 NPN fornitore
Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio di MMBTA55 NPN fornitore Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio di MMBTA55 NPN fornitore

Grande immagine :  Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio di MMBTA55 NPN

Dettagli:

Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: MMBTA55

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno
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Descrizione di prodotto dettagliata
Temperatura di giunzione: ℃ 150 Tipo: Transistor del triodo
Applicazione: l'alimentazione elettrica mobile ha condotto il driver/controllo motorio Materiale: silicio
Corrente di collettore: 600 mA Temperatura di stoccaggio: -55~+150℃

SOT-23 Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor MMBTA55 (NPN)

 

CARATTERISTICA
 

l transistor di driver

 

Segno: 2H

 

 

 

VALUTAZIONI MASSIME (Ta=25℃ salvo indicazione contraria)
 

Simbolo Parametro Valore Unità
VCBO Tensione della Collettore-base -60 V
VCEO Tensione dell'Collettore-emettitore -60 V
VEBO Tensione emittenta-base -4 V
IC Corrente di collettore -500 mA
PC Dissipazione di potere del collettore 225 Mw
RΘJA Resistenza termica dalla giunzione ad ambientale 556 ℃/W
Tj Temperatura di giunzione 150
Tstg Temperatura di stoccaggio -55~+150

 
 
 
CARATTERISTICHE ELETTRICHE (Ta=25℃ salvo specificazione contraria)
 

Parametro Simbolo Condizioni di prova Min Tipo Massimo Unità
tensione di ripartizione della Collettore-base V (BR) CBO IC=-100ΜA, IE=0 -60     V
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore CEO V (DEL BR) IC=-1mA, IB=0 -60     V
Tensione di ripartizione emittenta-base V (BR) EBO IE=-100ΜA, IC=0 -4     V
Corrente di taglio di collettore ICBO VCB=-60V, IE=0     -0,1 µA
Corrente di taglio di collettore ICEO VCE=-60V, IB=0     -0,1 µA
Guadagno corrente di CC hFE (1) VCE=-1V, IC=-10mA 100   400  
  hFE (2) VCE=-1V, IC=-100mA 100      
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore VCE (seduto) IC=-100mA, IB=-10mA     -0,25 V
Tensione dell'emettitore di base VBE VCE=-1V, IC=-100mA     -1,2 V
Frequenza di transizione fT VCE=-1V, IC=-100mA, f=100MHz 50     Megahertz

 
 
 

 

 Dimensioni del profilo del pacchetto
 

Simbolo Dimensioni nei millimetri Dimensioni nei pollici
  Min Massimo Min Massimo
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TIPI 0,037 TIPI
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 RIFERIMENTI 0,022 RIFERIMENTI
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ

 
 
Transistor incapsulati plastica del transistor di potenza SOT-23 del silicio di MMBTA55 NPN
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Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona di contatto: David

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