Dettagli:
|
Tensione della Collettore-Base: | 310V | Tensione emittenta-base: | 5V |
---|---|---|---|
Tstg: | -55~+150℃ | Materiale: | silicio |
Corrente di collettore: | 600 mA | ||
Evidenziare: | transistor ad alta frequenza,transistor del mosfet di potere |
SOT-89-3L Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor A42 (NPN)
Tensione di saturazione bassa dell'Collettore-emettitore
Alta tensione di ripartizione
VALUTAZIONI MASSIME (Ta=25℃ salvo indicazione contraria)
Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
VCBO | Tensione della Collettore-base | 310 | V |
VCEO | Tensione dell'Collettore-emettitore | 305 | V |
VEBO | Tensione emittenta-base | 5 | V |
IC | Corrente di collettore - continua | 200 | mA |
ICM | Corrente di collettore - pulsata | 500 | mA |
PC | Dissipazione di potere del collettore | 500 | Mw |
RθJA | Resistenza termica dalla giunzione ad ambientale | 250 | ℃/W |
TJ | Temperatura di giunzione | 150 | ℃ |
Tstg | Temperatura di stoccaggio | -55~+150 | ℃ |
CARATTERISTICHE ELETTRICHE (Ta=25℃ salvo specificazione contraria)
Parametro | Simbolo | Condizioni di prova | Min | Tipo | Massimo | Unità |
tensione di ripartizione della Collettore-base | V (BR) CBO | IC=100ΜA, CIOÈ =0 | 310 | V | ||
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore | CEO V (DEL BR) | IC=1mA, IB=0 | 305 | V | ||
Tensione di ripartizione emittenta-base | V (BR) EBO | CIOÈ =100ΜA, IC=0 | 5 | V | ||
Corrente di taglio di collettore |
ICBO | VCB=200V, CIOÈ =0 | 0,25 | µA | ||
ICEX |
VCE=100V, VX=5V | 5 | µA | |||
VCE=300V, VX=5V | 10 | µA | ||||
Corrente di taglio dell'emettitore | IEBO | VEB=5V, IC=0 | 0,1 | µA | ||
Guadagno corrente di CC |
hFE (1) | VCE=10V, IC=1mA | 60 | |||
hFE (2) | VCE=10V, IC=10mA | 100 | 300 | |||
hFE (3) | VCE=10V, IC=30mA | 75 | ||||
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore | VCE (seduto) | IC=20mA, IB=2mA | 0,2 | V | ||
Tensione di saturazione dell'emettitore di base | VBE (seduto) | IC=20mA, IB=2mA | 0,9 | V | ||
Frequenza di transizione | fT | VCE=20V, IC=10mA, f=30MHz | 50 | Megahertz |
Caratteristiche tipiche
Dimensioni del profilo del pacchetto
Simbolo | Dimensioni nei millimetri | Dimensioni nei pollici | ||
Min | Massimo | Min | Massimo | |
A | 1,400 | 1,600 | 0,055 | 0,063 |
b | 0,320 | 0,520 | 0,013 | 0,020 |
b1 | 0,400 | 0,580 | 0,016 | 0,023 |
c | 0,350 | 0,440 | 0,014 | 0,017 |
D | 4,400 | 4,600 | 0,173 | 0,181 |
D1 | 1,550 Rif. | 0,061 Rif. | ||
E | 2,300 | 2,600 | 0,091 | 0,102 |
E1 | 3,940 | 4,250 | 0,155 | 0,167 |
e | 1,500 TIPO. | 0,060 TIPI. | ||
e1 | 3,000 TIPO. | 0,118 TIPI. | ||
L | 0,900 | 1,200 | 0,035 | 0,047 |
Disposizione del cuscinetto suggerita SOT-89-3L
Nastro e bobina di SOT-89-3L
Persona di contatto: David