Dettagli:
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Tensione della Collettore-Base: | 400V | Temperatura di giunzione: | ℃ 150 |
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Tstg: | -55~+150℃ | Materiale: | silicio |
Corrente di collettore: | 600 mA | Dissipazione di potere del collettore: | 500mW |
Evidenziare: | transistor dell'interruttore di accensione,transistor del mosfet di potere |
SOT-89-3L Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor A44 (NPN)
Tensione di saturazione bassa dell'Collettore-emettitore
Alta tensione di ripartizione
VALUTAZIONI MASSIME (Ta=25℃ salvo indicazione contraria)
Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
VCBO | Tensione della Collettore-base | 400 | V |
VCEO | Tensione dell'Collettore-emettitore | 400 | V |
VEBO | Tensione emittenta-base | 6 | V |
IC | Corrente di collettore - continua | 200 | mA |
ICM | Corrente di collettore - pulsata | 300 | mA |
PC | Dissipazione di potere del collettore | 500 | Mw |
RθJA | Resistenza termica dalla giunzione ad ambientale | 250 | ℃/W |
TJ | Temperatura di giunzione | 150 | ℃ |
Tstg | Temperatura di stoccaggio | -55~+150 | ℃ |
CARATTERISTICHE ELETTRICHE (Ta=25℃ salvo specificazione contraria)
Parametro | Simbolo | Stati di T est | Min | Tipo | Massimo | Unità |
tensione di ripartizione della Collettore-base | V (BR) CBO | IC=100ΜA, CIOÈ =0 | 400 | V | ||
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore | V (BR) CEO* | IC=1mA, IB=0 | 400 | V | ||
Tensione di ripartizione emittenta-base | V (BR) EBO | CIOÈ =10ΜA, IC=0 | 6 | V | ||
Corrente di taglio di collettore | ICBO | VCB=400V, CIOÈ =0 | 0,1 | µA | ||
Corrente di taglio dell'emettitore | IEBO | VEB=4V, IC=0 | 0,1 | µA | ||
Guadagno corrente di CC |
hFE (1)* | VCE=10V, IC=1mA | 40 | |||
hFE (2)* | VCE=10V, IC=10mA | 50 | 200 | |||
hFE (3)* | VCE=10V, IC=50mA | 45 | ||||
hFE (4)* | VCE=10V, IC=100mA | 40 | ||||
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore |
VCE (seduto) * |
IC=1mA, IB=0.1mA | 0,4 | V | ||
IC=10mA, IB=1mA | 0,5 | V | ||||
IC=50mA, IB=5mA | 0,75 | V | ||||
Tensione di saturazione dell'emettitore di base | VBE (seduto) * | IC=10mA, IB=1mA | 0,75 | V | ||
Capacità di uscita del collettore | Pannocchia | VCB=20V, CIOÈ =0, f=1MHz | 7 | PF | ||
Capacità dell'input dell'emettitore | Cib | VBE=0.5V, IC=0, f=1MHz | 130 | PF |
Caratteristiche tipiche
Dimensioni del profilo del pacchetto
Simbolo | Dimensioni nei millimetri | Dimensioni nei pollici | ||
Min | Massimo | Min | Massimo | |
A | 1,400 | 1,600 | 0,055 | 0,063 |
b | 0,320 | 0,520 | 0,013 | 0,020 |
b1 | 0,400 | 0,580 | 0,016 | 0,023 |
c | 0,350 | 0,440 | 0,014 | 0,017 |
D | 4,400 | 4,600 | 0,173 | 0,181 |
D1 | 1,550 Rif. | 0,061 Rif. | ||
E | 2,300 | 2,600 | 0,091 | 0,102 |
E1 | 3,940 | 4,250 | 0,155 | 0,167 |
e | 1,500 TIPO. | 0,060 TIPI. | ||
e1 | 3,000 TIPO. | 0,118 TIPI. | ||
L | 0,900 | 1,200 | 0,035 | 0,047 |
Disposizione del cuscinetto suggerita SOT-89-3L
Nastro e bobina di SOT-89-3L
Persona di contatto: David