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Transistor a corrente forte di A92 NPN, transistor del silicio di alto potere NPN

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Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

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Transistor a corrente forte di A92 NPN, transistor del silicio di alto potere NPN

Transistor a corrente forte di A92 NPN, transistor del silicio di alto potere NPN
Transistor a corrente forte di A92 NPN, transistor del silicio di alto potere NPN

Grande immagine :  Transistor a corrente forte di A92 NPN, transistor del silicio di alto potere NPN

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: A92
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno
Contatto

Transistor a corrente forte di A92 NPN, transistor del silicio di alto potere NPN

descrizione
Tensione della Collettore-Base: -310V Tipo: Transistor del triodo
Case: Nastro/vassoio/bobina Materiale: silicio
Corrente di collettore: -200 mA Dissipazione di potere del collettore: 500mW
Evidenziare:

transistor ad alta frequenza

,

transistor dell'interruttore di accensione

SOT-89-3L Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor A92 (NPN)

 

 

CARATTERISTICA
 

Tensione di saturazione bassa dell'Collettore-emettitore

Alta tensione di ripartizione

 

Segno: A92

 

 

 

VALUTAZIONI MASSIME (Ta=25℃ salvo indicazione contraria)

Simbolo Parametro Valore Unità
VCBO Tensione della Collettore-base -310 V
VCEO Tensione dell'Collettore-emettitore -305 V
VEBO Tensione emittenta-base -5 V
IC Corrente di collettore continua -200 mA
ICM Corrente di collettore - pulsata -500 mA
PC Dissipazione di potere del collettore 500 Mw
RθJA Resistenza termica dalla giunzione ad ambientale 250 ℃/W
TJ Temperatura di giunzione 150 ℃
Tstg Temperatura di stoccaggio -55~+150 ℃

 
 
 
CARATTERISTICHE ELETTRICHE (Ta=25℃ salvo specificazione contraria)

Parametro Simbolo Condizioni di prova Min Tipo Massimo Unità
tensione di ripartizione della Collettore-base V (BR) CBO IC=-100ΜA, CIOÈ =0 -310     V
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore CEO V (DEL BR) IC=-1mA, IB=0 -305     V
Tensione di ripartizione emittenta-base V (BR) EBO CIOÈ =-100ΜA, IC=0 -5     V

 

Corrente di taglio di collettore

 ICBO VCB=-200V, CIOÈ =0     -0,25 µA
 

 

ICEO

 VCE=-200V, IB=0     -0,25 µA
    VCE=-300V, IB=0     -5 µA
Corrente di taglio dell'emettitore IEBO VEB=-5V, IC=0     -0,1 µA

 

Guadagno corrente di CC

 hFE (1) VCE=-10V, IC=-1mA 60      
  hFE (2) VCE=-10V, IC=-10mA 100   300  
  hFE (3) VCE=-10V, IC=-80mA 60      
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore VCE (seduto) IC=-20mA, IB=-2mA     -0,2 V
Tensione di saturazione dell'emettitore di base VBE (seduto) IC=-20mA, IB=-2mA     -0,9 V
Frequenza di transizione fT VCE=-20V, IC=-10mA, f=30MHz 50     Megahertz

 
 
 

Caratteristiche tipiche

 

 

 

Transistor a corrente forte di A92 NPN, transistor del silicio di alto potere NPN 0

Transistor a corrente forte di A92 NPN, transistor del silicio di alto potere NPN 1

Transistor a corrente forte di A92 NPN, transistor del silicio di alto potere NPN 2

Transistor a corrente forte di A92 NPN, transistor del silicio di alto potere NPN 3

 

 


 

 
 

 

 Dimensioni del profilo del pacchetto
 

Simbolo Dimensioni nei millimetri Dimensioni nei pollici
  Min Massimo Min Massimo
A 1,400 1,600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1,550 Rif. 0,061 Rif.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1,500 TIPO. 0,060 TIPI.
e1 3,000 TIPO. 0,118 TIPI.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 
 
 Disposizione del cuscinetto suggerita SOT-89-3L

 

Transistor a corrente forte di A92 NPN, transistor del silicio di alto potere NPN 4
 
Nastro e bobina di SOT-89-3L
Transistor a corrente forte di A92 NPN, transistor del silicio di alto potere NPN 5
Transistor a corrente forte di A92 NPN, transistor del silicio di alto potere NPN 6
Transistor a corrente forte di A92 NPN, transistor del silicio di alto potere NPN 7
 
 
 

Prodotto Tag:

transistor del mosfet di potere,

transistor dell'interruttore di accensione,

transistor ad alta frequenza

Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona di contatto: David

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