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Tensione emittenta-base ad alta tensione -5V del transistor di commutazione di B772 NPN

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

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Tensione emittenta-base ad alta tensione -5V del transistor di commutazione di B772 NPN

Tensione emittenta-base ad alta tensione -5V del transistor di commutazione di B772 NPN
Tensione emittenta-base ad alta tensione -5V del transistor di commutazione di B772 NPN

Grande immagine :  Tensione emittenta-base ad alta tensione -5V del transistor di commutazione di B772 NPN

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: B772
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Tensione emittenta-base ad alta tensione -5V del transistor di commutazione di B772 NPN

descrizione
Tensione della Collettore-Base: -40v Temperatura di giunzione: ℃ 150
Tensione emittenta-base: -5V Applicazione: l'alimentazione elettrica mobile ha condotto il driver/controllo motorio
Temperatura di stoccaggio: -55~150 ℃
Evidenziare:

transistor ad alta frequenza

,

transistor del mosfet di potere

SOT-89-3L Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor B772 (NPN)

 

 

CARATTERISTICA
 

 

Tensione emittenta-base ad alta tensione -5V del transistor di commutazione di B772 NPN 0Commutazione a bassa velocità

 

Segno: B772

 

 

 

VALUTAZIONI MASSIME (Ta=25℃ salvo indicazione contraria)

Simbolo Parametro Valore Unità
VCBO Tensione della Collettore-base -40 V
VCEO Tensione dell'Collettore-emettitore -30 V
VEBO Tensione emittenta-base -6 V
IC Corrente di collettore - continua -3 A
PC Dissipazione di potere del collettore 0,5 W
RӨJA Resistenza termica, giunzione ad ambientale 250 ℃/W
TJ Temperatura di giunzione 150
Tstg Temperatura di stoccaggio -55~150

 
 
 
CARATTERISTICHE ELETTRICHE (Ta=25℃ salvo specificazione contraria)
 

Parametro Simbolo Condizioni di prova Min Tipo Massimo Unità
tensione di ripartizione della Collettore-base V (BR) CBO IC=-100μA, CIOÈ =0 -40     V
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore CEO V (DEL BR) IC= -10MA, IB=0 -30     V
Tensione di ripartizione emittenta-base V (BR) EBO CIOÈ = -100ΜA, IC=0 -6     V
Corrente di taglio di collettore ICBO VCB= -40V, CIOÈ =0     -1 μA
Corrente di taglio di collettore ICEO VCE=-30V, IB=0     -10 μA
Corrente di taglio dell'emettitore IEBO VEB=-6V, IC=0     -1 μA
Guadagno corrente di CC hFE VCE= -2V, IC= -1A 60   400  
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore VCE (seduto) IC=-2A, IB= -0.2A     -0,5 V
Tensione di saturazione dell'emettitore di base VBE (seduto) IC=-2A, IB= -0.2A     -1,5 V

 

Frequenza di transizione

 

fT

VCE= -5V, IC=-0.1A

f =10MHz

 

50

   

 

Megahertz

 
 
 

Caratteristiche tipiche

 

 

Tensione emittenta-base ad alta tensione -5V del transistor di commutazione di B772 NPN 1

Tensione emittenta-base ad alta tensione -5V del transistor di commutazione di B772 NPN 2

Tensione emittenta-base ad alta tensione -5V del transistor di commutazione di B772 NPN 3

 

 


 

 

 Dimensioni del profilo del pacchetto
 

Simbolo Dimensioni nei millimetri Dimensioni nei pollici
  Min Massimo Min Massimo
A 1,400 1,600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1,550 Rif. 0,061 Rif.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1,500 TIPO. 0,060 TIPI.
e1 3,000 TIPO. 0,118 TIPI.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 

 

 

 

CLASSIFICAZIONE DELFedi h

 

Rango R O Y Il GR
Gamma 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 Caratteristiche tipiche

 

Tensione emittenta-base ad alta tensione -5V del transistor di commutazione di B772 NPN 4

Tensione emittenta-base ad alta tensione -5V del transistor di commutazione di B772 NPN 5

Tensione emittenta-base ad alta tensione -5V del transistor di commutazione di B772 NPN 6

Tensione emittenta-base ad alta tensione -5V del transistor di commutazione di B772 NPN 7
 

 
 
 

Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona di contatto: David

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