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Dettagli:
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| Nome del prodotto: | tipo del triodo a semiconduttore | Applicazione: | l'alimentazione elettrica mobile ha condotto il driver/controllo motorio |
|---|---|---|---|
| Materiale: | silicio | Tensione emittenta-base: | 6v |
| Case: | Nastro/vassoio/bobina | ||
| Evidenziare: | transistor del pnp di punta,transistor di serie di punta |
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SOT-89-3L Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor 2N3906 (NPN).
Transistor planare epitassiale del silicio di Ÿ PNP per la commutazione e le applicazioni dell'amplificatore
Ÿ come tipo complementare, il transistor 2N3904 di NPN è raccomandato
Questo transistor di Ÿ è inoltre disponibile nel caso SOT-23 con il tipo la designazione MMBT3906
VALUTAZIONI MASSIME (Tun =25ć salvo indicazione contraria)
| Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
| VCBO | Tensione della Collettore-base | -40 | V |
| VCEO | Tensione dell'Collettore-emettitore | -40 | V |
| VEBO | Tensione emittenta-base | -5 | V |
| IC | Collettore Corrente-continuo | -0,2 | A |
| PC | Dissipazione di potere del collettore | 0,625 | W |
| TJ | Temperatura di giunzione | 150 | ć |
| Tstg | Temperatura di stoccaggio | -55~150 | ć |
Tum =25 Š salvo specificazione contraria
| Parametro | Simbolo | Condizioni di prova | Min | Tipo | Massimo | Unità |
| tensione di ripartizione della Collettore-base | V (BR) CBO | IC = -10ΜA, CIOÈ =0 | -40 | V | ||
| tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore | CEO V (DEL BR) | IC =-1MA, IB=0 | -40 | V | ||
| Tensione di ripartizione emittenta-base | V (BR) EBO | CIOÈ = -10ΜA, IC=0 | -5 | V | ||
| Corrente di taglio di collettore | ICBO | VCB= -40 V, CIOÈ =0 | -0,1 | µA | ||
| Corrente di taglio di collettore | ICEX | VCE= -30 V, Veb(fuori) =-3V | -50 | Na | ||
| Corrente di taglio dell'emettitore | IEBO | VEB= -5 V, IC=0 | -0,1 | µA | ||
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Guadagno corrente di CC |
hFE1 | VCE=-1 V, IC= -10MA | 100 | 400 | ||
| hFE2 | VCE=-1 V, IC= -50MA | 60 | ||||
| hFE3 | VCE=-2 V, IC= -100MA | 30 | ||||
| tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore | VCE (seduto) | IC= -50MA, IB= -5MA | -0,4 | V | ||
| Tensione di saturazione dell'emettitore di base | VBE (seduto) | IC= -50MA, IB= -5MA | -0,95 | V | ||
| Frequenza di transizione | fT |
VCE=-20V, IC= -10MA f = 100MHz |
250 | Megahertz | ||
| Tempo di ritardo | il TD |
VCC=-3V, VBE=-0.5V, IC=-10mA, IB1=-1mA |
35 | NS | ||
| Tempo di aumento | TR | 35 | NS | |||
| Tempo di immagazzinamento | st |
VCC=-3V, Ic=-10mA IB1=IB2=-1mA |
225 | NS | ||
| Tempo di caduta | tf | 75 | NS |
Caratteristiche tipiche
Dimensioni del profilo del pacchetto
| Simbolo | Dimensioni nei millimetri | Dimensioni nei pollici | ||
| Min | Massimo | Min | Massimo | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TIPO | 0,050 TIPI | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Disposizione del cuscinetto suggerita SOT-89-3L
Disposizione del cuscinetto suggerita TO-92
Persona di contatto: David
