|
Dettagli:
|
| VCBO: | 180V | VCEO: | 160V |
|---|---|---|---|
| VEBO: | 6v | Utilizzo: | Componenti elettronici |
| TJ: | 150℃ | Case: | Nastro/vassoio/bobina |
| Evidenziare: | transistor del pnp di punta,transistor di serie di punta |
||
TO-92 Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor 2N5551 (NPN)
Applicazione per tutti gli usi di commutazione di Ÿ
SEGNO
codice 2N5551=Device
Il solido dot=Green il dispositivo composto di modellatura, non ne se, il dispositivo normale
Z=Rank di hFE
INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE
| Numero del pezzo | Metodo dell'imballaggio | Quantità del pacchetto |
| 2N5551 | Massa | 1000pcs/Bag |
| 2N5551-TA | Nastro | 2000pcs/Box |
VALUTAZIONI MASSIME (Tun =25 Š salvo indicazione contraria)
| Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
| VCBO | Tensione della Collettore-base | 180 | V |
| VCEO | Tensione dell'Collettore-emettitore | 160 | V |
| VEBO | Tensione emittenta-base | 6 | V |
| IC | Corrente di collettore | 0,6 | A |
| PC | Dissipazione di potere del collettore | 625 | Mw |
| R0 JA | Resistenza termica dalla giunzione ad ambientale | 200 | Š /W |
| TJ | Temperatura di giunzione | 150 | Š |
| Tstg | Temperatura di stoccaggio | -55~+150 | Š |
Tum =25 Š salvo specificazione contraria
| Parametro | Simbolo | Condizioni di prova | Min | Tipo | Massimo | Unità |
| tensione di ripartizione della Collettore-base | V (BR) CBO | IC=100μA, CIOÈ =0 | 180 | V | ||
| tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore | V (BR) CEO* | IC=1mA, IB=0 | 160 | V | ||
| Tensione di ripartizione emittenta-base | V (BR) EBO | CIOÈ =10ΜA, IC=0 | 6 | V | ||
| Corrente di taglio di collettore | ICBO | VCB=120V, CIOÈ =0 | 50 | Na | ||
| Corrente di taglio dell'emettitore | IEBO | VEB=4V, IC=0 | 50 | Na | ||
|
Guadagno corrente di CC |
hFE (1) | VCE=5V, IC=1mA | 80 | |||
| hFE (2) | VCE=5V, IC=10mA | 100 | 300 | |||
| hFE (3) | VCE=5V, IC=50mA | 50 | ||||
| tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore | VCE (seduto) ˄1˅ | IC=10mA, IB=1mA | 0,15 | V | ||
| VCE (seduto) ˄2˅ | IC=50mA, IB=5mA | 0,2 | V | |||
| Tensione di saturazione dell'emettitore di base | VBE (seduto) ˄1˅ | IC=10mA, IB=1mA | 1 | V | ||
| VBE (seduto) ˄2˅ | IC=50mA, IB=5mA | 1 | V | |||
| Capacità di uscita del collettore | Pannocchia | VCB=10V, CIOÈ =0, f=1MHz | 6 | PF | ||
| Capacità dell'input dell'emettitore | Cib | VBE=0.5V, IC=0, f=1MHz | 20 | PF | ||
| Frequenza di transizione | fT | VCE=10V, IC=10mA, f=100MHz | 100 | 300 | Megahertz |
| RANGO | A | B | C |
| GAMMA | 100-150 | 150-200 | 200-300 |
Caratteristiche tipiche
Dimensioni del profilo del pacchetto
| Simbolo | Dimensioni nei millimetri | Dimensioni nei pollici | ||
| Min | Massimo | Min | Massimo | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TIPO | 0,050 TIPI | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Persona di contatto: David
