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Dettagli:
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| VCBO: | -400V | VCEO: | -400V |
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| VEBO: | -5V | Nome del prodotto: | tipo del triodo a semiconduttore del silicio |
| TJ: | 150Š | Transistor del Mosfet di potere: | TO-92 Plastica-si incapsulano |
| Evidenziare: | transistor del pnp di punta,transistor di serie di punta |
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TO-92 Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor A94 (PNP)
Alta tensione di ripartizione
SEGNO
Codice di A94=Device
Il solido dot=Green il dispositivo composto di modellatura, non ne se, il dispositivo normale
Z=Rank di hFE
XXX=Code
INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE
| Numero del pezzo | Pacchetto | Metodo dell'imballaggio | Quantità del pacchetto |
| A94 | TO-92 | Massa | 1000pcs/Bag |
| A94-TA | TO-92 | Nastro | 2000pcs/Box |
VALUTAZIONI MASSIME (Tun =25 Š salvo indicazione contraria)
| Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
| VCBO | Tensione della ector-base di Coll | -400 | V |
| VCEO | Tensione dell'ector-emettitore di Coll | -400 | V |
| VEBO | Tensione emittenta-base | -5 | V |
| IC | Corrente di ector di Coll - continua | -0,2 | A |
| ICM | Corrente di ector di Coll - pulsata | -0,3 | A |
| PC | Dissipazione di potere di ector di Coll | 625 | Mw |
| RθJA | Il termale resiste al ance dalla giunzione ad ambientale | 200 | ℃ /W |
| TJ | Temperatura di giunzione | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura di stoccaggio | -55~+150 | ℃ |
Tum =25 Š salvo specificazione contraria
| Parametro | Simbolo | Condizioni di prova | Min | Tipo | Massimo | Unità |
| tensione di ripartizione della Collettore-base | V (BR) CBO | IC=-100ΜA, CIOÈ =0 | -400 | V | ||
| tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore | CEO V (DEL BR) | IC=-1mA, IB=0 | -400 | V | ||
| Tensione di ripartizione emittenta-base | V (BR) EBO | CIOÈ =-100ΜA, IC=0 | -5 | V | ||
| Corrente di taglio di collettore | ICBO | VCB=-400V, CIOÈ =0 | -0,1 | μA | ||
| Corrente di taglio di collettore | ICEO | VCE=-400V, IB=0 | -5 | μA | ||
| Corrente di taglio dell'emettitore | IEBO | VEB=-4V, IC=0 | -0,1 | μA | ||
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Guadagno corrente di CC |
hFE (1) | VCE=-10V, IC=-10mA | 80 | 300 | ||
| hFE (2) | VCE=-10V, IC=-1mA | 70 | ||||
| hFE (3) | VCE=-10V, IC=-100mA | 60 | ||||
| hFE (4) | VCE=-10V, IC=-50mA | 80 | ||||
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tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore |
VCE (seduto) (1) | IC=-10mA, IB=-1mA | -0,2 | V | ||
| VCE (seduto) (2) | IC=-50mA, IB=-5mA | -0,3 | V | |||
| Tensione di saturazione dell'emettitore di base | VBE (seduto) | IC=-10mA, IB=-1mA | -0,75 | V | ||
| Frequenza di transizione | fT | VCE=-20V, IC=-10mA, f=30MHz | 50 | Megahertz |
| RANGO | A | B | C |
| GAMMA | 80-100 | 100-200 | 200-300 |
Caratteristiche tipiche
Dimensioni del profilo del pacchetto
| Simbolo | Dimensioni nei millimetri | Dimensioni nei pollici | ||
| Min | Massimo | Min | Massimo | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TIPO | 0,050 TIPI | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Persona di contatto: David
