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2SA1015 commutatore del transistor di alto potere PNP, circuito del transistor di punta PNP

Name: 2SA1015 commutatore del transistor di alto potere PNP, circuito del transistor di punta PNP
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 2SA1015

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Certificazione

Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni

Rassegne del cliente

la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

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2SA1015 commutatore del transistor di alto potere PNP, circuito del transistor di punta PNP

Grande immagine : 2SA1015 commutatore del transistor di alto potere PNP, circuito del transistor di punta PNP

Dettagli:

Luogo di origine:	Shenzhen Cina
Marca:	Hua Xuan Yang
Certificazione:	RoHS、SGS
Numero di modello:	2SA1015

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1000-2000 pc
Prezzo:	Negotiated
Imballaggi particolari:	Inscatolato
Tempi di consegna:	1 - 2 settimane
Termini di pagamento:	L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione:	18,000,000PCS/al giorno

Contatto

2SA1015 commutatore del transistor di alto potere PNP, circuito del transistor di punta PNP

descrizione

Nome del prodotto:	tipo del triodo a semiconduttore	Applicazione:	l'alimentazione elettrica mobile ha condotto il driver/controllo motorio
Materiale:	silicio	Tensione emittenta-base:	6v
Case:	Nastro/vassoio/bobina	VCBO:	-50V
Evidenziare:	transistor del pnp di punta , transistor del pnp di alto potere

SOT-89-3L Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor 2SA1015 (PNP)

CARATTERISTICA

Dissipazione di potere di Ÿ

SEGNO

Codice di A1015=Device

Il solido dot=Green il dispositivo composto di modellatura, non ne se, il dispositivo normale

Y=Rank di hFE, XXX=Code

2SA1015 commutatore del transistor di alto potere PNP, circuito del transistor di punta PNP 0

INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE

Numero del pezzo	Pacchetto	Metodo dell'imballaggio	Quantità del pacchetto
2SA1015	TO-92	Massa	10000
2SA1015-TA	TO-92	Nastro	2000

VALUTAZIONI MASSIME (tum =25Š salvo indicazione contraria)

Simbolo	Metro di Para	Valore	Unità
VCBO	Tensione della Collettore-base	-50	V
VCEO	Tensione dell'Collettore-emettitore	-50	V
VEBO	Tensione emittenta-base	-5	V
I_C	Corrente di collettore - continua	-150	mA
P_D	Dissipazione di potere del collettore	400	Mw
R0 JA	Il termale resiste al ance dalla giunzione ad ambientale	312	Š/W
T_J	Temperatura di giunzione	150	Š
Tstg	Temperatura di orage della st	-55 ~+150	Š

Tum =25 Š salvo specificazione contraria

Parametro	Simbolo	Condizioni di prova	Min	Tipo	Massimo	Unità
tensione di ripartizione della Collettore-base	V (BR) CBO	I_C= -100ΜA, CIOÈ =0	-50			V
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore	CEO V (DEL BR)	I_C= -0.1MA, I_B=0	-50			V
Tensione di ripartizione emittenta-base	V (BR) EBO	CIOÈ = -100ΜA, I_C=0	-5			V
Corrente di taglio di collettore	ICBO	V_CB= -50V, CIOÈ =0			-0,1	µA
Corrente di taglio di collettore	ICEO	V_CE= -50V, I_B=0			-0,1	µA
Corrente di taglio dell'emettitore	IEBO	V_EB= -5V, I_C=0			-0,1	µA
Guadagno corrente di CC	hFE	V_CE= -6V, I_C= -2MA	70		700
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore	VCE (seduto)	I_C= -100MA, I_B= -10MA			-0,3	V
Tensione di saturazione dell'emettitore di base	VBE (seduto)	I_C= -100MA, I_B= -10MA			-1,1	V
Frequenza di transizione	f_T	V_CE= -10 V, I_C= -1mA f =30MHz	80			Megahertz
Capacità di uscita del collettore	Pannocchia	V_CB=-10V, CIOÈ =0, f=1MHz			7	PF
Figura di rumore	N-F	V_CE= -6 V, I_C= -0.1mA, f =1kHz, R_G=10kK			6	dB

CLASSIFICAZIONE della h_FE1

Rango	O	Y	Il GR	BL
Gamma	70-140	120-240	200-400	350-700

Caratteristiche tipiche

2SA1015 commutatore del transistor di alto potere PNP, circuito del transistor di punta PNP 1

2SA1015 commutatore del transistor di alto potere PNP, circuito del transistor di punta PNP 2

2SA1015 commutatore del transistor di alto potere PNP, circuito del transistor di punta PNP 3

2SA1015 commutatore del transistor di alto potere PNP, circuito del transistor di punta PNP 4

Dimensioni del profilo del pacchetto

Simbolo	Dimensioni nei millimetri		Dimensioni nei pollici
	Min	Massimo	Min	Massimo
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TIPO		0,050 TIPI
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

Disposizione del cuscinetto suggerita SOT-89-3L

2SA1015 commutatore del transistor di alto potere PNP, circuito del transistor di punta PNP 5

Disposizione del cuscinetto suggerita TO-92
2SA1015 commutatore del transistor di alto potere PNP, circuito del transistor di punta PNP 6

TO-92 7DSH DQG 5HHO

2SA1015 commutatore del transistor di alto potere PNP, circuito del transistor di punta PNP 7

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Prodotto Tag:

Persona di contatto: David

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