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2SA1015 commutatore del transistor di alto potere PNP, circuito del transistor di punta PNP

Certificazione
di buona qualità Transistor di potenza di punta per le vendite
di buona qualità Transistor di potenza di punta per le vendite
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

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2SA1015 commutatore del transistor di alto potere PNP, circuito del transistor di punta PNP

Porcellana 2SA1015 commutatore del transistor di alto potere PNP, circuito del transistor di punta PNP fornitore

Grande immagine :  2SA1015 commutatore del transistor di alto potere PNP, circuito del transistor di punta PNP

Dettagli:

Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: 2SA1015

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno
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Descrizione di prodotto dettagliata
Nome del prodotto: tipo del triodo a semiconduttore Applicazione: l'alimentazione elettrica mobile ha condotto il driver/controllo motorio
Materiale: silicio Tensione emittenta-base: 6v
Case: Nastro/vassoio/bobina VCBO: -50V

SOT-89-3L Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor 2SA1015 (PNP)

 

 

 

CARATTERISTICA

Dissipazione di potere di Ÿ

 

 

 

SEGNO

Codice di A1015=Device

Il solido dot=Green il dispositivo composto di modellatura, non ne se, il dispositivo normale

Y=Rank di hFE, XXX=Code

2SA1015 commutatore del transistor di alto potere PNP, circuito del transistor di punta PNP

 

 

INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE

Numero del pezzo Pacchetto Metodo dell'imballaggio Quantità del pacchetto
2SA1015 TO-92 Massa 10000
2SA1015-TA TO-92 Nastro 2000

 

VALUTAZIONI MASSIME (tum =25Š salvo indicazione contraria)

 

Simbolo Metro di Para Valore Unità
VCBO Tensione della Collettore-base -50 V
VCEO Tensione dell'Collettore-emettitore -50 V
VEBO Tensione emittenta-base -5 V
IC Corrente di collettore - continua -150 mA
PD Dissipazione di potere del collettore 400 Mw
R0 JA Il termale resiste al ance dalla giunzione ad ambientale 312 Š/W
TJ Temperatura di giunzione 150 Š
Tstg Temperatura di orage della st -55 ~+150 Š

 

 

Tum =25 Š salvo specificazione contraria

 

Parametro Simbolo Condizioni di prova Min Tipo Massimo Unità
tensione di ripartizione della Collettore-base V (BR) CBO IC= -100ΜA, CIOÈ =0 -50     V
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore CEO V (DEL BR) IC= -0.1MA, IB=0 -50     V
Tensione di ripartizione emittenta-base V (BR) EBO CIOÈ = -100ΜA, IC=0 -5     V
Corrente di taglio di collettore ICBO VCB= -50V, CIOÈ =0     -0,1 µA
Corrente di taglio di collettore ICEO VCE= -50V, IB=0     -0,1 µA
Corrente di taglio dell'emettitore IEBO VEB= -5V, IC=0     -0,1 µA
Guadagno corrente di CC hFE VCE= -6V, IC= -2MA 70   700  
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore VCE (seduto) IC= -100MA, IB= -10MA     -0,3 V
Tensione di saturazione dell'emettitore di base VBE (seduto) IC= -100MA, IB= -10MA     -1,1 V
Frequenza di transizione fT VCE= -10 V, IC= -1mA f =30MHz 80     Megahertz
Capacità di uscita del collettore Pannocchia VCB=-10V, CIOÈ =0, f=1MHz     7 PF
Figura di rumore N-F VCE= -6 V, IC= -0.1mA, f =1kHz, RG=10kK     6 dB

 

 

CLASSIFICAZIONE della hFE1

Rango O Y Il GR BL
Gamma 70-140 120-240 200-400 350-700

 
 
Caratteristiche tipiche
 
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 Dimensioni del profilo del pacchetto
 

Simbolo Dimensioni nei millimetri Dimensioni nei pollici
  Min Massimo Min Massimo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPI
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 
 
 Disposizione del cuscinetto suggerita SOT-89-3L
 
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Disposizione del cuscinetto suggerita TO-92
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TO-92 7DSH DQG 5HHO

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Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona di contatto: David

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