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Dettagli:
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| VCBO: | 60V | VCEO: | 50V |
|---|---|---|---|
| VEBO: | 5V | Nome del prodotto: | tipo del triodo a semiconduttore del silicio |
| TJ: | 150℃ | Case: | Nastro/vassoio/bobina |
| Evidenziare: | transistor del pnp di punta,transistor del pnp di alto potere |
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TO-92 Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor C945 (NPN)
Linearità eccellenti del hFE di Ÿ
Ÿ a basso rumore
Ÿ complementare a A733
SEGNO
Codice di C945=Device
Il solido dot=Green il dispositivo composto di modellatura, non ne se, il dispositivo normale
Z=Rank di hFE
XXX=Code
INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE
| Numero del pezzo | Pacchetto | Metodo dell'imballaggio | Quantità del pacchetto |
| C945 | TO-92 | Massa | 1000pcs/Bag |
| C945-TA | TO-92 | Nastro | 2000pcs/Box |
VALUTAZIONI MASSIME (Tun =25 Š salvo indicazione contraria)
| Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
| VCBO | Tensione della Collettore-base | 60 | V |
| V CEO | Tensione dell'Collettore-emettitore | 50 | V |
| V EBO | Tensione emittenta-base | 5 | V |
| I C | Corrente di collettore - continua | 150 | mA |
| PC | Dissipazione di potere del collettore | 400 | Mw |
| TJ | Temperatura di giunzione | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura di orage della st | -55~+150 | ℃ |
Tum =25 Š salvo specificazione contraria
| Parametro | Simbolo | Condizioni di prova | Min | Tipo | Massimo | Unità |
| tensione di ripartizione della Collettore-base | V (BR) CBO | IC=1mA, CIOÈ =0 | 60 | V | ||
| tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore | CEO V (DEL BR) | IC=100μA, IB=0 | 50 | V | ||
| Tensione di ripartizione emittenta-base | V (BR) EBO | CIOÈ =100 μA, IC=0 | 5 | V | ||
| Corrente di taglio di collettore | ICBO | VCB=60V, CIOÈ =0 | 0,1 | μA | ||
| Corrente di taglio di collettore | ICEO | VCE=45V, IB=0 | 0,1 | μA | ||
| Corrente di taglio dell'emettitore | IEBO | VEB=5V, IC=0 | 0,1 | μA | ||
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Guadagno corrente di CC |
hFE (1) | VCE=6V, IC=1mA | 70 | 700 | ||
| hFE (2) | VCE=6V, IC=0.1mA | 40 | ||||
| tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore | VCE (seduto) | IC=100mA, IB=10mA | 0,3 | V | ||
| Tensione di saturazione dell'emettitore di base | VBE (seduto) | IC=100mA, IB=10mA | 1 | V | ||
| Frequenza di transizione | fT | VCE=6V, IC=10mA, f=30MHz | 200 | Megahertz | ||
| Capacità di uscita del collettore | Pannocchia | VCB=10V, CIOÈ =0, f=1MHz | 3,0 | PF | ||
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Figura di rumore |
N-F |
VCE=6V, IC=0.1mA RG=10kΩ, f=1MHz |
10 |
dB |
| Rango | O | Y | Il GR | BL |
| Gamma | 70-140 | 120-240 | 200-400 | 350-700 |
Caratteristiche tipiche
Dimensioni del profilo del pacchetto
| Simbolo | Dimensioni nei millimetri | Dimensioni nei pollici | ||
| Min | Massimo | Min | Massimo | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TIPO | 0,050 TIPI | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Persona di contatto: David
