Casa Prodotti Transistor di potenza di punta

Transistor incapsulati plastica dei transistor di potenza TO-92 di punta di D882S NPN

Name: Transistor incapsulati plastica dei transistor di potenza TO-92 di punta di D882S NPN
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: D882S

Tutti i prodotti

transistor di potenza del mosfet
(118)

Transistor di potenza di punta
(30)

Transistor di potenza del silicio
(19)

Diodo di commutazione doppio
(15)

Transistor di effetto del giacimento del MOS
(29)

Mosfet a doppio canale
(10)

diodo di raddrizzatore veloce di recupero
(6)

diodo Zener di potere
(6)

raddrizzatore a ponte di schottky
(10)

diodo di raddrizzatore ad alta tensione
(15)

Triodo a semiconduttore
(9)

Stabilizzatore IC di tensione
(14)

Certificazione

Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni

Rassegne del cliente

la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

Sono ora online in chat

Transistor incapsulati plastica dei transistor di potenza TO-92 di punta di D882S NPN

Grande immagine : Transistor incapsulati plastica dei transistor di potenza TO-92 di punta di D882S NPN

Dettagli:

Luogo di origine:	Shenzhen Cina
Marca:	Hua Xuan Yang
Certificazione:	RoHS、SGS
Numero di modello:	D882S

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1000-2000 pc
Prezzo:	Negotiated
Imballaggi particolari:	Inscatolato
Tempi di consegna:	1 - 2 settimane
Termini di pagamento:	L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione:	18,000,000PCS/al giorno

Contatto

Transistor incapsulati plastica dei transistor di potenza TO-92 di punta di D882S NPN

descrizione

VCBO:	40V	VCEO:	30V
VEBO:	6v	Nome del prodotto:	tipo del triodo a semiconduttore del silicio
IC:	3A	Transistor del Mosfet di potere:	TO-92 Plastica-si incapsulano
Evidenziare:	transistor del pnp di punta , transistor del pnp di alto potere

TO-92 Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor D882S (NPN)

CARATTERISTICA

Dissipazione di potere

SEGNO

Codice di D882=Device

Il solido dot=Green il dispositivo composto di modellatura, non ne se, il dispositivo normale

Z=Rank di hFE, XXX=Code

Transistor incapsulati plastica dei transistor di potenza TO-92 di punta di D882S NPN 0

INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE

Numero del pezzo	Pacchetto	Metodo dell'imballaggio	Quantità del pacchetto
D882S	TO-92	Massa	1000pcs/Bag
D882S-TA	TO-92	Nastro	2000pcs/Box

VALUTAZIONI MASSIME (T_un =25 Š salvo indicazione contraria)

Simbolo	Metro di Para	Valore	Unità
VCBO	Tensione della Collettore-base	40	V
VCEO	Tensione dell'Collettore-emettitore	30	V
VEBO	Tensione emittenta-base	6	V
I_C	Corrente di collettore - continua	3	A
P_D	Dissipazione di potere del collettore	625	Mw
R0 JA	Il termale resiste alla giunzione della ROM di ance f ad ambientale	200	Š/W
T_J	Temperatura di giunzione	150	Š
Tstg	Temperatura di orage della st	-55 ~+150	Š

CARATTERISTICHE ELETTRICHE

Tum =25 Š salvo specificazione contraria

Parametro	Simbolo	Condizioni di prova	Min	Tipo	Massimo	Unità
tensione di ripartizione della Collettore-base	V (BR) CBO	I_C = 100µA, CIOÈ =0	40			V
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore	CEO V (DEL BR)	I_C = 10mA, I_B=0	30			V
Tensione di ripartizione emittenta-base	V (BR) EBO	CIOÈ = 100µA, I_C=0	6			V
Corrente di taglio di collettore	ICBO	V_CB= 40V, CIOÈ =0			1	μA
Corrente di taglio di collettore	ICEO	V_CE= 30V, I_B=0			10	μA
Corrente di taglio dell'emettitore	IEBO	V_EB= 6V, I_C=0			1	μA
Guadagno corrente di CC	hFE	V_CE=2V, I_C= 1A	60		400
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore	VCE (seduto)	I_C= 2A, I_B= 0,2 A			0,5	V
Tensione di saturazione dell'emettitore di base	VBE (seduto)	I_C= 2A, I_B= 0,2 A			1,5	V
Frequenza di transizione	f_T	V_CE= 5V, Ic=0.1A f =10MHz	50	80		Megahertz

CLASSIFICAZIONE DEL_Fedi h₍₂₎

Rango	R	O	Y	Il GR
Gamma	60-120	100-200	160-320	200-400

Caratteristiche tipiche

Transistor incapsulati plastica dei transistor di potenza TO-92 di punta di D882S NPN 1

Dimensioni del profilo del pacchetto

Simbolo	Dimensioni nei millimetri		Dimensioni nei pollici
	Min	Massimo	Min	Massimo
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TIPO		0,050 TIPI
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

Prodotto Tag:

Persona di contatto: David

Altri prodotti

Commutazione a bassa velocità incapsulata plastica B772 dei transistor di potenza TO-251-3L di punta di PNP

Tensione della VoltageCollector-base della Collettore-base: 40V
Tensione dell'Collettore-Emettitore: 30V
Tensione emittenta-base: -6V
Nome del prodotto: tipo del triodo a semiconduttore

B772 commutatore del transistor di alto potere PNP, circuito del transistor di punta PNP

Dissipazione di potere del collettore: 1.25W
VCEO: -30V
VEBO: -6V
Nome del prodotto: tipo del triodo a semiconduttore

Tipo materiale del transistor del triodo del silicio dei transistor di potenza NPN di punta MJE13003

Tipo: Transistor del triodo
Materiale: silicio
Transistor del Mosfet di potere: TO-126 Plastica-si incapsulano
Nome del prodotto: tipo del triodo a semiconduttore

Circuito del transistor di D882 NPN, tensione 30v dell'emettitore del collettore del transistor di potenza di NPN

Tensione della VoltageCollector-base della Collettore-base: 40V
Tensione dell'Collettore-Emettitore: 30V
Tensione emittenta-base: 6v
Transistor del Mosfet di potere: TO-126 Plastica-si incapsulano

Plastica dei transistor di potenza TO-92 di punta di A733 PNP - incapsuli i transistor

VCBO: -60V
VCEO: -50V
VEBO: -5V
Nome del prodotto: tipo del triodo a semiconduttore del silicio

Transistor incapsulati plastica dei transistor di potenza TO-92 di punta di D882S NPN

transistor di potenza del mosfet

Transistor di potenza di punta

Transistor di potenza del silicio

Diodo di commutazione doppio

Transistor di effetto del giacimento del MOS

Mosfet a doppio canale

diodo di raddrizzatore veloce di recupero

diodo Zener di potere

raddrizzatore a ponte di schottky

diodo di raddrizzatore ad alta tensione

Triodo a semiconduttore

Stabilizzatore IC di tensione

Transistor incapsulati plastica dei transistor di potenza TO-92 di punta di D882S NPN

Transistor incapsulati plastica dei transistor di potenza TO-92 di punta di D882S NPN

transistor del pnp di punta

transistor del pnp di alto potere

CLASSIFICAZIONE DEL_Fedi h₍₂₎

transistor del pnp di alto potere,

transistor di serie di punta,

transistor del pnp di punta

Commutazione a bassa velocità incapsulata plastica B772 dei transistor di potenza TO-251-3L di punta di PNP

B772 commutatore del transistor di alto potere PNP, circuito del transistor di punta PNP

Tipo materiale del transistor del triodo del silicio dei transistor di potenza NPN di punta MJE13003

Circuito del transistor di D882 NPN, tensione 30v dell'emettitore del collettore del transistor di potenza di NPN

Plastica dei transistor di potenza TO-92 di punta di A733 PNP - incapsuli i transistor

transistor di potenza del mosfet

Transistor del livello logico HXY4616, MOSFET complementare ad alta tensione del transistor 30V

Alta tensione VDS 40V VGS ±20v del transistor di potenza ±20v VGS del Mosfet HXY4616

MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V

Transistor incapsulati plastica dei transistor di potenza TO-92 di punta di D882S NPN

Transistor incapsulati plastica dei transistor di potenza TO-92 di punta di D882S NPN

Transistor incapsulati plastica dei transistor di potenza TO-92 di punta di D882S NPN

transistor del pnp di punta

transistor del pnp di alto potere

CLASSIFICAZIONE DELFedi h(2)

transistor del pnp di alto potere,

transistor di serie di punta,

CLASSIFICAZIONE DEL_Fedi h₍₂₎