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Dettagli:
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| VCBO: | 40V | VCEO: | 20V |
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| Palladio: | 625Mw | Nome del prodotto: | tipo del triodo a semiconduttore |
| Tstg: | -55 ~+150Š | Transistor del Mosfet di potere: | TO-92 Plastica-si incapsulano |
| Evidenziare: | transistor del pnp di punta,transistor di serie di punta |
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TO-92 Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor A94 (PNP)
Alto guadagno corrente di CC di Ÿ e grande capacità corrente
SEGNO
Codice di M28S=Device
Il solido dot=Green il dispositivo composto di modellatura,
non ne se, il dispositivo normale
Z=Rank di hFE, XXX=Code
INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE
| Numero del pezzo | Pacchetto | Metodo dell'imballaggio | Quantità del pacchetto |
| M28S | TO-92 | Massa | 1000pcs/Bag |
| M28S-TA | TO-92 | Nastro | 2000pcs/Box |
VALUTAZIONI MASSIME (Tun =25 Š salvo indicazione contraria)
| Simbolo | Metro di Para | Valore | Unità |
| VCBO | Tensione della Collettore-base | 40 | V |
| VCEO | Tensione dell'Collettore-emettitore | 20 | V |
| VEBO | Tensione emittenta-base | 6 | V |
| IC | Corrente di collettore - continua | 1 | A |
| PD | Dissipazione di potere del collettore | 625 | Mw |
| R0 JA | Il termale resiste alla giunzione della ROM di ance f ad ambientale | 200 | Š/W |
| TJ | Temperatura di giunzione | 150 | Š |
| Tstg | Temperatura di stoccaggio | -55 ~+150 | Š |
Tum =25 Š salvo specificazione contraria
| Parametro | Simbolo | Condizioni di prova | Min | Tipo | Massimo | Unità |
| tensione di ripartizione della Collettore-base | V (BR) CBO | IC= 0.1mA, CIOÈ =0 | 40 | V | ||
| tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore | CEO V (DEL BR) | IC=1mA, IB=0 | 20 | V | ||
| Tensione di ripartizione emittenta-base | V (BR) EBO | CIOÈ =0.1MA, IC=0 | 6 | V | ||
| Corrente di taglio di collettore | ICBO | VCB=40V, CIOÈ =0 | 1 | µA | ||
| Corrente di taglio di collettore | ICEO | VCE=20V, IB=0 | 5 | µA | ||
| Corrente di taglio dell'emettitore | IEBO | VEB=5V, IC=0 | 0,1 | µA | ||
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Guadagno corrente di CC |
hFE (1) | VCE=1V, IC=1mA | 290 | |||
| hFE (2) | VCE=1V, IC=100mA | 300 | 1000 | |||
| hFE (3) | VCE=10V, IC=300mA | 300 | ||||
| hFE (4) | VCE=1V, IC=500mA | 300 | ||||
| tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore | VCE (seduto) | IC=600mA, IB=20mA | 0,55 | V | ||
| Frequenza di transizione | fT | VCE=10V, CIOÈ =50mA, f=30MHz | 100 | Megahertz |
| RANGO | B | C | D |
| GAMMA | 300-550 | 500-700 | 650-1000 |
Dimensioni del profilo del pacchetto
| Simbolo | Dimensioni nei millimetri | Dimensioni nei pollici | ||
| Min | Massimo | Min | Massimo | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TIPO | 0,050 TIPI | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Persona di contatto: David
