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Materiale del silicio dei transistor di potenza B772M PNP VCEO -30V di punta di TO-251-3L

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Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

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Materiale del silicio dei transistor di potenza B772M PNP VCEO -30V di punta di TO-251-3L

Materiale del silicio dei transistor di potenza B772M PNP VCEO -30V di punta di TO-251-3L
Materiale del silicio dei transistor di potenza B772M PNP VCEO -30V di punta di TO-251-3L

Grande immagine :  Materiale del silicio dei transistor di potenza B772M PNP VCEO -30V di punta di TO-251-3L

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: B772M
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno
Contatto

Materiale del silicio dei transistor di potenza B772M PNP VCEO -30V di punta di TO-251-3L

descrizione
VCBO: -40v VCEO: -30V
Temperatura di stoccaggio: -55-150℃ Transistor del Mosfet di potere: TO-251-3L Plastica-si incapsulano
Materiale: silicio Tipo: Transistor del triodo
Evidenziare:

transistor di serie di punta

,

transistor del pnp di alto potere

TO-251-3L Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor B772M (PNP)

 

 

CARATTERISTICHE

 

Commutazione a bassa velocità

 

 

 

VALUTAZIONI MASSIME (Tun =25 Š salvo indicazione contraria)
 

Simbolo Parametro Valore Unità
VCBO Tensione della Collettore-base -40 V
VCEO Tensione dell'Collettore-emettitore -30 V
VEBO Tensione emittenta-base -6 V
IC Corrente di collettore - continua -3 A
PC Dissipazione di potere del collettore 1,25 W
RӨJA Resistenza termica, giunzione ad ambientale 100 ℃/W
TJ Temperatura di giunzione 150 ℃
Tstg Temperatura di stoccaggio -55-150 ℃

 
 
 

 


CARATTERISTICHE ELETTRICHE

 

 

Tum =25 Š salvo specificazione contraria

Parametro Simbolo Condizioni di prova Min Tipo Massimo Unità
tensione di ripartizione della Collettore-base V (BR) CBO IC=-100μA, CIOÈ =0 -40     V
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore CEO V (DEL BR) IC= -10MA, IB=0 -30     V
Tensione di ripartizione emittenta-base V (BR) EBO CIOÈ = -100ΜA, IC=0 -6     V
Corrente di taglio di collettore ICBO VCB= -40V, CIOÈ =0     -1 μA
Corrente di taglio di collettore ICEO VCE=-30V, IB=0     -10 μA
Corrente di taglio dell'emettitore IEBO VEB=-6V, IC=0     -1 μA
Guadagno corrente di CC hFE VCE= -2V, IC= -1A 60   400  
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore VCE (seduto) IC=-2A, IB= -0.2A     -0,5 V
Tensione di saturazione dell'emettitore di base VBE (seduto) IC=-2A, IB= -0.2A     -1,5 V

 

Frequenza di transizione

 fT

VCE= -5V, IC=-0.1A

f =10MHz

 

50

 

80

  

 

Megahertz

 
  

CLASSIFICAZIONE DELFedi h(2)

Rango R O Y Il GR
Gamma 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Caratteristiche tipiche

 

 
 Materiale del silicio dei transistor di potenza B772M PNP VCEO -30V di punta di TO-251-3L 0Materiale del silicio dei transistor di potenza B772M PNP VCEO -30V di punta di TO-251-3L 1Materiale del silicio dei transistor di potenza B772M PNP VCEO -30V di punta di TO-251-3L 2Materiale del silicio dei transistor di potenza B772M PNP VCEO -30V di punta di TO-251-3L 3

 

 

 

Simbolo Dimensioni nei millimetri Dimensioni nei pollici
Min. Massimo. Min. Massimo.
A 2,200 2,380 0,087 0,094
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
B 0,800 1,400 0,031 0,055
b 0,710 0,810 0,028 0,032
c 0,460 0,560 0,018 0,022
c1 0,460 0,560 0,018 0,022
D 6,500 6,700 0,256 0,264
D1 5,130 5,460 0,202 0,215
E 6,000 6,200 0,236 0,244
e 2,286 TIPO. 0,090 TIPI.
e1 4,327 4,727 0,170 0,186
M. 1.778REF. 0.070REF.
N 0.762REF. 0.018REF.
L 9,800 10,400 0,386 0,409
L1 2.9REF. 0.114REF.
L2 1,400 1,700 0,055 0,067
V 4,830 Rif. 0,190 Rif.
ĭ 1,100 1,300 0,043 0.0±1

 

 

 

Materiale del silicio dei transistor di potenza B772M PNP VCEO -30V di punta di TO-251-3L 4

 

Materiale del silicio dei transistor di potenza B772M PNP VCEO -30V di punta di TO-251-3L 5

Materiale del silicio dei transistor di potenza B772M PNP VCEO -30V di punta di TO-251-3L 6Materiale del silicio dei transistor di potenza B772M PNP VCEO -30V di punta di TO-251-3L 7

 

 


 
 

 

Prodotto Tag:

transistor del pnp di alto potere,

transistor di serie di punta,

transistor del pnp di punta

Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona di contatto: David

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