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Alta efficienza emittenta-base di tensione 6V del commutatore del transistor di D882M NPN

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
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Alta efficienza emittenta-base di tensione 6V del commutatore del transistor di D882M NPN

Alta efficienza emittenta-base di tensione 6V del commutatore del transistor di D882M NPN
Alta efficienza emittenta-base di tensione 6V del commutatore del transistor di D882M NPN

Grande immagine :  Alta efficienza emittenta-base di tensione 6V del commutatore del transistor di D882M NPN

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: D882M
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Alta efficienza emittenta-base di tensione 6V del commutatore del transistor di D882M NPN

descrizione
Tensione della VoltageCollector-base della Collettore-base: 40V Tensione dell'Collettore-Emettitore: 30V
Tensione emittenta-base: 6v Transistor del Mosfet di potere: TO-252-2L Plastica-si incapsulano
Tipo: tipo del triodo a semiconduttore Utilizzo: Componenti elettronici
Evidenziare:

transistor di serie di punta

,

transistor del pnp di alto potere

TO-252-2L Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor D882M (NPN)

 

 

CARATTERISTICA
 


Dissipazione di potere

 

 

VALUTAZIONI MASSIME (Tun =25 Š salvo indicazione contraria)
 

 

Simbolo Parametro Valore Unità
VCBO Tensione della Collettore-base 40 V
VCEO Tensione dell'Collettore-emettitore 30 V
VEBO Tensione emittenta-base 6 V
IC Corrente di collettore - continua 3 A
PC Dissipazione di potere del collettore 1,25 W
TJ Temperatura di giunzione 150
Tstg Temperatura di stoccaggio -55-150

 
 
 

 


CARATTERISTICHE ELETTRICHE

 

 

Tum =25 Š salvo specificazione contraria

Parametro Simbolo Condizioni di prova Min Tipo Massimo Unità
tensione di ripartizione della Collettore-base V (BR) CBO IC = 100μA, CIOÈ =0 40     V
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore CEO V (DEL BR) IC = 10mA, IB=0 30     V
Tensione di ripartizione emittenta-base V (BR) EBO CIOÈ = 100μA, IC=0 6     V
Corrente di taglio di collettore ICBO VCB= 40 V, CIOÈ =0     1 µA
Corrente di taglio di collettore ICEO VCE= 30 V, IB=0     10 µA
Corrente di taglio dell'emettitore IEBO VEB= 6 V, IC=0     1 µA
Guadagno corrente di CC hFE VCE= 2 V, IC= 1A 60   400  
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore VCE (seduto) IC= 2A, IB= 0,2 A     0,5 V
Tensione di saturazione dell'emettitore di base VBE (seduto) IC= 2A, IB= 0,2 A     1,5 V

 

Frequenza di transizione

 

fT

VCE= 5V, IC=0.1A

f =10MHz

 

 

90

 

 

Megahertz

 
  

CLASSIFICAZIONE DELFedi h(2)

Rango R O Y Il GR
Gamma 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Caratteristiche tipiche

 

 
 Alta efficienza emittenta-base di tensione 6V del commutatore del transistor di D882M NPN 0Alta efficienza emittenta-base di tensione 6V del commutatore del transistor di D882M NPN 1Alta efficienza emittenta-base di tensione 6V del commutatore del transistor di D882M NPN 2Alta efficienza emittenta-base di tensione 6V del commutatore del transistor di D882M NPN 3
 

 Dimensioni del profilo del pacchetto
 

Simbolo Dimensioni nei millimetri Dimensioni nei pollici
  Min. Massimo. Min. Massimo.
A 2,200 2,380 0,087 0,094
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
B 0,800 1,400 0,031 0,055
b 0,710 0,810 0,028 0,032
c 0,460 0,560 0,018 0,022
c1 0,460 0,560 0,018 0,022
D 6,500 6,700 0,256 0,264
D1 5,130 5,460 0,202 0,215
E 6,000 6,200 0,236 0,244
e 2,286 TIPO. 0,090 TIPI.
e1 4,327 4,727 0,170 0,186
M. 1.778REF. 0.070REF.
N 0.762REF. 0.018REF.
L 9,800 10,400 0,386 0,409
L1 2.9REF. 0.114REF.
L2 1,400 1,700 0,055 0,067
V 4,830 Rif. 0,190 Rif.
ĭ 1,100 1,300 0,043 0.0±1

 
 

 
 

Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona di contatto: David

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