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Dettagli:
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| Tensione della Collettore-Base: | 700V | Tensione dell'Collettore-Emettitore: | 400V |
|---|---|---|---|
| Tensione emittenta-base: | 9V | Nome del prodotto: | tipo del triodo a semiconduttore |
| TJ: | 150℃ | Tipo: | Transistor del triodo |
| Evidenziare: | transistor di serie di punta,transistor del pnp di alto potere |
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TO-92 Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor 3DD13001B (NPN)
Applicazioni di commutazione di potenza di Ÿ
SEGNO
codice 13003B=Device
Il solido dot=Green il dispositivo composto di modellatura, non ne se, il dispositivo normale
XXX=Code
INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE
| Numero del pezzo | Pacchetto | Metodo dell'imballaggio | Quantità del pacchetto |
| 3DD13003B | TO-92 | Massa | 1000pcs/Bag |
| 3DD13003B-TA | TO-92 | Nastro | 2000pcs/Box |
VALUTAZIONI MASSIME (Tun =25 Š salvo indicazione contraria)
| Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
| V CBO | Tensione della Collettore-base | 700 | V |
| V CEO | Tensione dell'Collettore-emettitore | 400 | V |
| V EBO | Tensione emittenta-base | 9 | V |
| IC | Corrente di collettore - continua | 1,5 | A |
| PC | Dissipazione di potere del collettore | 0,9 | W |
| TJ | Temperatura di giunzione | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura di stoccaggio | -55 ~150 | ℃ |
Tum =25 Š salvo specificazione contraria
| Parametro | Simbolo | Condizioni di prova | Min | Tipo | Massimo | Unità |
| tensione di ripartizione della Collettore-base | V (BR) CBO | IC= 1mA, CIOÈ =0 | 700 | V | ||
| tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore | CEO V (DEL BR) | IC= 10mA, IB=0 | 400 | V | ||
| Tensione di ripartizione emittenta-base | V (BR) EBO | CIOÈ = 1mA, IC=0 | 9 | V | ||
| Corrente di taglio di collettore | ICBO | VCB= 700V, CIOÈ =0 | 100 | µA | ||
| Corrente di taglio di collettore | ICEO | VCE= 400V, IB=0 | 50 | µA | ||
| Corrente di taglio dell'emettitore | IEBO | VEB= 7V, IC=0 | 10 | µA | ||
| Guadagno corrente di CC | hFE | VCE= 10V, IC= 0,4 A | 20 | 40 | ||
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tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore |
VCE (seduto) 1 | IC=1.5A, IB= 0.5A | 3 | V | ||
| VCE (seduto) 2 | IC=0.5A, IB= 0.1A | 0,8 | V | |||
| Tensione di saturazione dell'emettitore di base | VBE (seduto) | IC=0.5A, IB=0.1A | 1 | V | ||
| Frequenza di transizione | fT | VCE=10V, IC=100mA, f =1MHz | 4 | Megahertz | ||
| Tempo di caduta | tf | IC=1A | 0,7 | µs | ||
| Tempo di immagazzinamento | ts | IB1=-IB2=0.2A | 4 | µs |
| Rango | ||||
| Gamma | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
Caratteristiche tipiche
Dimensioni del profilo del pacchetto TO-92
| Simbolo | Dimensioni nei millimetri | Dimensioni nei pollici | ||
| Min | Massimo | Min | Massimo | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TIPO | 0,050 TIPI | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| Φ | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Persona di contatto: David
