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Tipo del triodo a semiconduttore dei transistor di potenza VCBO 600V di punta 3DD13005HD55

Name: Tipo del triodo a semiconduttore dei transistor di potenza VCBO 600V di punta 3DD13005HD55
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 3DD13005HD55

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Certificazione

Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni

Rassegne del cliente

la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

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Tipo del triodo a semiconduttore dei transistor di potenza VCBO 600V di punta 3DD13005HD55

Grande immagine : Tipo del triodo a semiconduttore dei transistor di potenza VCBO 600V di punta 3DD13005HD55

Dettagli:

Luogo di origine:	Shenzhen Cina
Marca:	Hua Xuan Yang
Certificazione:	RoHS、SGS
Numero di modello:	3DD13005HD55

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1000-2000 pc
Prezzo:	Negotiated
Imballaggi particolari:	Inscatolato
Tempi di consegna:	1 - 2 settimane
Termini di pagamento:	L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione:	18,000,000PCS/al giorno

Contatto

Tipo del triodo a semiconduttore dei transistor di potenza VCBO 600V di punta 3DD13005HD55

descrizione

Dissipazione di potere del collettore:	1.5W	Temperatura di giunzione:	℃ 150
VCBO:	600v	Nome del prodotto:	tipo del triodo a semiconduttore
Corrente di collettore:	3.5A	Tipo:	Transistor del triodo
Evidenziare:	transistor di serie di punta , transistor del pnp di alto potere

TO-126 Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor 3DD13005HD55 (NPN)

CARATTERISTICA

Applicazioni di commutazione di potenza di Ÿ

Buona temperatura elevata di Ÿ

Tensione di saturazione bassa di Ÿ

Commutazione ad alta velocità di Ÿ

SEGNO

Codice di logo 13005HD55=Device di JCET

Tipo del triodo a semiconduttore dei transistor di potenza VCBO 600V di punta 3DD13005HD55 0

INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE

Numero del pezzo	Pacchetto	Metodo dell'imballaggio	Quantità del pacchetto
3DD13005HD55	TO-126	Massa	200pcs/Bag
3DD13005HD55-TU	TO-126	Metropolitana	60pcs/Tube

VALUTAZIONI MASSIME (T_un =25 Š salvo indicazione contraria)

Simbolo	Parametro	Valore	Unità
VCBO	Tensione della Collettore-base	800	V
VCEO	Tensione dell'Collettore-emettitore	450	V
VEBO	Tensione emittenta-base	9	V
I_C	Corrente di collettore	3,5	A
P_C	Dissipazione di potere del collettore	1,5	W
RθJA	Resistenza termica dalla giunzione ad ambientale	83,3	℃/W
T_J	Temperatura di giunzione	150	℃
Tstg	Temperatura di stoccaggio	-55~+150	℃

CARATTERISTICHE ELETTRICHE

Tum =25 Š salvo specificazione contraria

Parametro	Simbolo	Condizioni di prova	Min	Tipo	Massimo	Unità
tensione di ripartizione della Collettore-base	V (BR) CBO	I_C=1mA, CIOÈ =0	800			V
tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore	V (BR) CEO*	I_C=10mA, I_B=0	450			V
Tensione di ripartizione emittenta-base	V (BR) EBO	CIOÈ = 1mA, I_C=0	9			V
Corrente di taglio di collettore	ICBO	V_CB=700V, CIOÈ =0			100	μA
Corrente di taglio di collettore	ICEO	V_CE=450V, I_B=0			100	μA
Corrente di taglio dell'emettitore	IEBO	V_EB=9V, I_C=0			100	μA
Guadagno corrente di CC	hFE (1) *	V_CE=5V, I_C=1A	10		40
	hFE (2) *	V_CE=5V, I_C=5mA	10
	hFE (3) *	V_CE=5V, I_C=2A	5
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore	VCE (seduto) 1	I_C=1A, I_B=200mA			0,3	V
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore	VCE (seduto) 2	I_C=2A, I_B=500mA			0,6	V
Tensione di saturazione dell'emettitore di base	VBE (seduto) 1	I_C=2A, I_B=500mA			1,2	V
Tensione di saturazione dell'emettitore di base	VBE (seduto) 2	I_C=500mA, I_B=100mA			1	V
tensione di andata del Emettitore-collettore	_CEDI VF	I_C=2A			2	V
Frequenza di transizione	f_T	V_CE=10V, I_C=500mA	5			Megahertz
Tempo di immagazzinamento	st	I_C=250mA (UI9600)			5	µs

Caratteristiche tipiche

Tipo del triodo a semiconduttore dei transistor di potenza VCBO 600V di punta 3DD13005HD55 1

Dimensioni del profilo del pacchetto TO-92

Simbolo	Dimensioni nei millimetri		Dimensioni nei pollici
	Min	Massimo	Min	Massimo
A	2,500	2,900	0,098	0,114
A1	1,100	1,500	0,043	0,059
b	0,660	0,860	0,026	0,034
b1	1,170	1,370	0,046	0,054
c	0,450	0,600	0,018	0,024
D	7,400	7,800	0,291	0,307
E	10,600	11,000	0,417	0,433
e	2,290 TIPO		0,090 TIPI
e1	4,480	4,680	0,176	0,184
h	0,000	0,300	0,000	0,012
L	15,300	15,700	0,602	0,618
L1	2,100	2,300	0,083	0,091
P	3,900	4,100	0,154	0,161
Φ	3,000	3,200	0,118	0,126

Tipo del triodo a semiconduttore dei transistor di potenza VCBO 600V di punta 3DD13005HD55 3

Prodotto Tag:

Persona di contatto: David

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