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Dettagli:
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| VCBO: | 700V | VCEO: | 400V |
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| Tensione emittenta-base: | 9V | Nome del prodotto: | tipo del triodo a semiconduttore |
| Dissipazione del collettore: | 1.25W | Tipo: | Transistor del triodo |
| Evidenziare: | transistor di serie di punta,transistor del pnp di alto potere |
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TO-251-3L Plastica-incapsulano il TRANSISTOR dei transistor 3DD13003 (NPN)
Applicazioni di commutazione di potenza
VALUTAZIONI MASSIME (Tun =25 Š salvo indicazione contraria)
| Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
| VCBO | Tensione della Collettore-base | 700 | V |
| VCEO | Tensione dell'Collettore-emettitore | 400 | V |
| VEBO | Tensione emittenta-base | 9 | V |
| IC | Corrente di collettore - continua | 1,5 | A |
| PC | Dissipazione del collettore | 1,25 | W |
| TJ, Tstg | Temperatura di stoccaggio e della giunzione | -55~+150 | ℃ |
Tum =25 Š salvo specificazione contraria
Tum =25 Š salvo specificazione contraria
| Parametro | Simbolo | Condizioni di prova | Min | Tipo | Massimo | Unità |
| tensione di ripartizione della Collettore-base | V (BR) CBO | Ic= 1mA, IE=0 | 700 | V | ||
| tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore | CEO V (DEL BR) | Ic= 10 mA, IB=0 | 400 | V | ||
| Tensione di ripartizione emittenta-base | V (BR) EBO | CIOÈ = 1mA, IC=0 | 9 | V | ||
| Corrente di taglio di collettore | ICBO | VCB= 700V, CIOÈ =0 | 1 | mA | ||
| Corrente di taglio di collettore | ICEO | VCE= 400V, IB=0 | 0,5 | mA | ||
| Corrente di taglio dell'emettitore | IEBO | VEB= 9 V, IC=0 | 1 | mA | ||
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Guadagno corrente di CC |
hFE (1) | VCE= 5 V, IC= 0,5 A | 8 | 40 | ||
| hFE (2) | VCE= 5 V, IC= 1.5A | 5 | ||||
| tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore | VCE (seduto) | IC=1A, IB= 250 mA | 0,6 | V | ||
| Tensione di saturazione dell'emettitore di base | VBE (seduto) | IC=1A, IB= 250mA | 1,2 | V | ||
| Tensione dell'emettitore di base | VBE | IE= 2A | 3 | V | ||
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Frequenza di transizione |
fT |
VCE=10V, Ic=100mA f =1MHz |
5 |
Megahertz |
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| Tempo di caduta | tf | IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V | 0,5 | µs | ||
| Tempo di immagazzinamento | ts | IC=250mA | 2 | 4 | µs |
CLASSIFICAZIONE di hFE1
| Rango | |||||||
| Gamma | 8-10 | 10-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
CLASSIFICAZIONE degli st
| Rango | A1 | A2 | B1 | B2 |
| Gamma | 2-2.5 (μs) | 2.5-3 (μs) | 3-3.5 (μs) | 3.5-4 (μs) |
Caratteristiche tipiche
Dimensioni del profilo del pacchetto TO-92
| Simbolo | Dimensioni nei millimetri | Dimensioni nei pollici | ||
| Min. | Massimo. | Min. | Massimo. | |
| A | 2,200 | 2,400 | 0,087 | 0,094 |
| A1 | 1,050 | 1,350 | 0,042 | 0,054 |
| B | 1,350 | 1,650 | 0,053 | 0,065 |
| b | 0,500 | 0,700 | 0,020 | 0,028 |
| b1 | 0,700 | 0,900 | 0,028 | 0,035 |
| c | 0,430 | 0,580 | 0,017 | 0,023 |
| c1 | 0,430 | 0,580 | 0,017 | 0,023 |
| D | 6,350 | 6,650 | 0,250 | 0,262 |
| D1 | 5,200 | 5,400 | 0,205 | 0,213 |
| E | 5,400 | 5,700 | 0,213 | 0,224 |
| e | 2,300 TIPO. | 0,091 TIPI. | ||
| e1 | 4,500 | 4,700 | 0,177 | 0,185 |
| L | 7,500 | 7,900 | 0,295 | 0,311 |
Persona di contatto: David
