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8205 la plastica del transistor di potenza TSSOP-8 del Mosfet si incapsula per la gestione di potere

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

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8205 la plastica del transistor di potenza TSSOP-8 del Mosfet si incapsula per la gestione di potere

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8205 la plastica del transistor di potenza TSSOP-8 del Mosfet si incapsula per la gestione di potere

Grande immagine :  8205 la plastica del transistor di potenza TSSOP-8 del Mosfet si incapsula per la gestione di potere

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: 8205
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

8205 la plastica del transistor di potenza TSSOP-8 del Mosfet si incapsula per la gestione di potere

descrizione
Nome del prodotto: transistor di potenza del mosfet Applicazione: Gestione di potere
Caratteristica: RDS eccellente (sopra) Transistor del Mosfet di potere: TSSOP-8 Plastica-si incapsulano
VDS: 20V Numero di modello: 8205S
Evidenziare:

transistor del mosfet del canale di n

,

transistor ad alta tensione

8205S TSSOP-8 Plastica-incapsulano i MOSFETS

 

 

Descrizione generale

 

 

VDSS= V ID= 6,0 A 20 z RDS (sopra) <>

 

 

 

CARATTERISTICA

 

MOSFET di potere di z TrenchFET

z RDS eccellente (sopra)

tassa bassa del portone di z

alto potere di z e capacità passante corrente

pacchetto del supporto della superficie di z

 

 

APPLICAZIONE

 

protezione della batteria di z

commutatore del carico di z

gestione di potere di z

 

 

VALUTAZIONI MASSIME (tum =25℃ salvo indicazione contraria)
 
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Note:
1. Valutazione ripetitiva: Larghezza di Pluse limitata dalla temperatura di giunzione massima
2.Surface montato FR4 sul bordo, sec t≤10.
3. Impulso Ttest: Impulso width≤300μs, dovere cycle≤2%.
4. Garantito da progettazione, non conforme a produzione.
 
 
T =25 un salvo specificazione contraria
 
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Dettagli di contatto
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