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5G03SIDF 30V si raddoppiano tassa bassa del portone del supporto della superficie del commutatore del Mosfet

Name: 5G03SIDF 30V si raddoppiano tassa bassa del portone del supporto della superficie del commutatore del Mosfet
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 5G03SIDF

Tutti i prodotti

transistor di potenza del mosfet
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Transistor di potenza di punta
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diodo di raddrizzatore ad alta tensione
(15)

Triodo a semiconduttore
(9)

Stabilizzatore IC di tensione
(14)

Certificazione

Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni

Rassegne del cliente

la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

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5G03SIDF 30V si raddoppiano tassa bassa del portone del supporto della superficie del commutatore del Mosfet

Grande immagine : 5G03SIDF 30V si raddoppiano tassa bassa del portone del supporto della superficie del commutatore del Mosfet

Dettagli:

Luogo di origine:	Shenzhen Cina
Marca:	Hua Xuan Yang
Certificazione:	RoHS、SGS
Numero di modello:	5G03SIDF

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1000-2000 pc
Prezzo:	Negotiated
Imballaggi particolari:	Inscatolato
Tempi di consegna:	1 - 2 settimane
Termini di pagamento:	L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione:	18,000,000PCS/al giorno

Contatto

5G03SIDF 30V si raddoppiano tassa bassa del portone del supporto della superficie del commutatore del Mosfet

descrizione

Nome del prodotto:	transistor di potenza del mosfet	VDS:	30V
Numero di modello:	5G03SIDF	Applicazione:	circuiti ad alta frequenza
Caratteristica:	Tassa bassa del portone	VGS:	+-12V
Evidenziare:	commutatore a corrente forte del mosfet , transistor ad alta tensione

MOSFET di modo di potenziamento di 5G03SIDF 30V N+P-Channel

Descrizione

La fossa avanzata di usi 5G03S/DF

tecnologia per fornire la R eccellente_DS(SOPRA) e tassa bassa del portone.

I MOSFETs complementari possono essere utilizzati per formare la a

il livello ha spostato l'alto commutatore laterale e per un ospite di altro

applicazioni

Caratteristiche generali

N-Manica

V_DS = 30V, I_D =8A

R_DS(SOPRA)< 20m=""> GS=10V

P-Manica

V_DS = -30V, I_D = -6.2A

R_DS(SOPRA)< -50m=""> GS=-10V

Applicazione

Applicazione di commutazione di potenza

Circuiti duro commutati ed ad alta frequenza

Gruppo di continuità

Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione

Nota:

1, valutazione ripetitiva: Larghezza pulsata limitata dalla temperatura di giunzione massima.

2, V_DD=25V, V_GS=10V, L=0.1mH, I_AS=17A., RG=25, iniziante TJ=25℃.

3, i dati provati tramite pulsato, ≦ 300us, ≦ 2%. _{4, essenzialmente indipendentedi} larghezza _di impulso _del duty cycle _{dalla temperatura di funzionamento}.