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Identificazione 6.5A del MOSFET di modo di potenziamento del transistor di potenza del Mosfet di 6G03S 30V

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

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Identificazione 6.5A del MOSFET di modo di potenziamento del transistor di potenza del Mosfet di 6G03S 30V

Identificazione 6.5A del MOSFET di modo di potenziamento del transistor di potenza del Mosfet di 6G03S 30V
Identificazione 6.5A del MOSFET di modo di potenziamento del transistor di potenza del Mosfet di 6G03S 30V

Grande immagine :  Identificazione 6.5A del MOSFET di modo di potenziamento del transistor di potenza del Mosfet di 6G03S 30V

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: 6G03S
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Identificazione 6.5A del MOSFET di modo di potenziamento del transistor di potenza del Mosfet di 6G03S 30V

descrizione
Nome del prodotto: transistor di potenza del mosfet RDS (SOPRA): < 37m="">
Numero di modello: 6G03S Identificazione: 6.5A
Caratteristica: Tassa bassa del portone VGS: -10V
Evidenziare:

transistor del mosfet del canale di n

,

commutatore a corrente forte del mosfet

MOSFET di modo di potenziamento di 6G03S 30V N+P-Channel

 

 

Descrizione

La fossa avanzata di usi 6G03S

tecnologia per fornire la R eccellenteDS(SOPRA) e tassa bassa del portone.

I MOSFETs complementari possono essere utilizzati per formare la a

il livello ha spostato l'alto commutatore laterale e per un ospite di altro

applicazioni

 

Caratteristiche generali

P-Manica di N-Manica

N-Manica

VDS = 30V, ID =6.5A

RDS(SOPRA)< 16m=""> GS=10V

P-Manica

VDS = -30V, ID = -7A

RDS(SOPRA)< 37m=""> GS=-10V

Alto potere e capacità passante corrente

Il prodotto senza piombo si acquista

Pacchetto di superficie del supporto

 

 

Applicazione

Applicazione di commutazione di potenza del ●

Circuiti duro commutati ed ad alta frequenza del ●

Gruppo di continuità del ●

 

 

Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione

Identificazione 6.5A del MOSFET di modo di potenziamento del transistor di potenza del Mosfet di 6G03S 30V 0

 

Valutazioni massime assolute (TC=25℃ salvo indicazione contraria)
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Caratteristiche elettriche di N-CH (TA=25℃ salvo indicazione contraria)

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Note:
1. Valutazione ripetitiva: Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima.
2. Superficie montata FR4 sul bordo, sec del ≤ 10 di t.
3. Prova di impulso: ≤ 300μs, ≤ 2% di larghezza di impulso del duty cycle.
4. Garantito da progettazione, non conforme a produzione
 
 
caratteristiche elettriche di Manica di 30V N+P-Channel EnhancemeN- e termiche tipiche (curve)
 
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Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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