Richiedere un preventivo |
Casa Prodottitransistor di potenza del mosfet

MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V

Tutti i prodotti

transistor di potenza del mosfet

(118)

Transistor di potenza di punta

(30)

Transistor di potenza del silicio

(19)

Diodo di commutazione doppio

(15)

Transistor di effetto del giacimento del MOS

(29)

Mosfet a doppio canale

(10)

diodo di raddrizzatore veloce di recupero

(6)

diodo Zener di potere

(6)

raddrizzatore a ponte di schottky

(10)

diodo di raddrizzatore ad alta tensione

(15)

Triodo a semiconduttore

(9)

Stabilizzatore IC di tensione

(14)
Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

Sono ora online in chat

MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V

MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V
MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V

Grande immagine :  MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: 20G04S
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno
Contatto

MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V

descrizione
Nome del prodotto: transistor di potenza del mosfet Tipo: Transistor del Mosfet
Identificazione del prodotto: 20G04S VDS: 40V
Caratteristiche: Pacchetto di superficie del supporto VGS: ±20V
Evidenziare:

transistor del mosfet del canale di n

,

transistor ad alta tensione

MOSFET di modo di potenziamento di 20G04S 40V N+P-Channel

 

Descrizione

La fossa avanzata di usi 20G04S

tecnologia per fornire la R eccellenteDS(SOPRA) e tassa bassa del portone.

I MOSFETs complementari possono essere utilizzati per formare la a

il livello ha spostato l'alto commutatore laterale e per un ospite di altro

applicazioni

 

Caratteristiche generali

N-Manica

VDS =40V, ID =20A

RDS(SOPRA)< 35m=""> GS=10V

RDS(SOPRA)< 42m=""> GS=4.5V

P-Manica

VDS =-40V, ID = -18A

RDS(SOPRA)<40m> GS=-10V

RDS(SOPRA)< 70m=""> GS=-4.5V

Alto potere e capacità passante corrente

Il prodotto senza piombo si acquista

Pacchetto di superficie del supporto

 

Applicazione

Applicazione di commutazione di potenza del ●

Circuiti duro commutati ed ad alta frequenza del ●

Gruppo di continuità del ●

 

 

Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione

 

MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V 0

Valutazioni massime assolute (TC=25℃ salvo indicazione contraria)
 
MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V 1
Caratteristiche elettriche di N-CH (TA=25℃ salvo indicazione contraria)

 

MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V 2

 

 

Caratteristiche elettriche di P-CH (TA=25℃ salvo indicazione contraria)
 
MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V 3
 
Note:
1. Valutazione ripetitiva: Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima.
2. Superficie montata FR4 sul bordo, sec del ≤ 10 di t.
3. Prova di impulso: ≤ 300μs, ≤ 2% di larghezza di impulso del duty cycle.
4. Garantito da progettazione, non conforme a produzione
 
Caratteristiche tipiche di N-Manica
 
MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V 4MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V 5MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V 6MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V 7MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V 8MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V 9
MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V 10
 
 
 
 
Caratteristiche tipiche di P-Manica
 
MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V 11MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V 12MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V 13MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V 14MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V 15MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V 16
 
 

Prodotto Tag:

transistor ad alta tensione,

transistor del mosfet del canale di n,

commutatore a corrente forte del mosfet

Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona di contatto: David

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

circa

transistor di potenza del mosfet

Transistor del livello logico HXY4616, MOSFET complementare ad alta tensione del transistor 30V

Alta tensione VDS 40V VGS ±20v del transistor di potenza ±20v VGS del Mosfet HXY4616

MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V

Lasciare messaggio

politica sulla riservatezza | Porcellana buon qualità transistor di potenza del mosfet fornitore. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

Lasciate un messaggio

Ti richiameremo presto!