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MOSFET complementare RDS (SOPRA) < 30m del transistor di potenza del Mosfet di HXY4606 30V

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
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Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

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MOSFET complementare RDS (SOPRA) < 30m del transistor di potenza del Mosfet di HXY4606 30V

MOSFET complementare RDS (SOPRA) &lt; 30m del transistor di potenza del Mosfet di HXY4606 30V
MOSFET complementare RDS (SOPRA) &lt; 30m del transistor di potenza del Mosfet di HXY4606 30V

Grande immagine :  MOSFET complementare RDS (SOPRA) < 30m del transistor di potenza del Mosfet di HXY4606 30V

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: HXY4606
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

MOSFET complementare RDS (SOPRA) < 30m del transistor di potenza del Mosfet di HXY4606 30V

descrizione
Nome del prodotto: transistor di potenza del mosfet VDS: 30V
RDS (SOPRA): < 30m=""> Numero di modello di VDS: HXY4606
Caratteristiche: Pacchetto di superficie del supporto Case: Nastro/vassoio/bobina
Evidenziare:

transistor del mosfet del canale di n

,

commutatore a corrente forte del mosfet

MOSFET complementare di HXY4606 30V

 

 

Descrizione

 

Il HXY4606 usa i technologyMOSFETs avanzati della fossa per fornire il RDS eccellente (SOPRA) e il gatecharge basso. I MOSFETs complementari possono essere toform usato un l'alto commutatore laterale spostato livello e per le applicazioni di un ofother ospite.

 

 

MOSFET complementare RDS (SOPRA) < 30m del transistor di potenza del Mosfet di HXY4606 30V 0

 

 

Caratteristiche elettriche di N-CH (TA=25℃ salvo indicazione contraria)

 

MOSFET complementare RDS (SOPRA) < 30m del transistor di potenza del Mosfet di HXY4606 30V 1

 

A. Il valore delθJAdella R è misurato con il dispositivo montato sul bordo di 1in2 FR-4 con 2oz. Rami, in un ambiente di aria tranquillo con TA =25°C.

il valore in tutta l'applicazione data dipende dalla progettazione specifica del bordo dell'utente.

B. La dissipazione di potere la PD è basata su TJ(max) =150°C, facendo uso della resistenza termica giunzione--ambientale del ≤ 10s. C. la valutazione ripetitiva, larghezza di impulso limitata dalle valutazioni della temperatura di giunzione TJ(max) =150°C. è basata su bassa frequenza e sui duty cycle per tenere il initialTJ=25°C.

D. IlθJAdella R è la somma dell'impedenza termica dalla giunzione per condurre ilθJLdella R e da condurre ad ambientale.

E. Le caratteristiche statiche nella figure 1 - 6 sono ottenute facendo uso di <300>

F. Queste curve sono basate sull'impedenza termica giunzione--ambientale che è misurata con il dispositivo montato sul bordo di 1in2 FR-4 con 2oz. Rami, presupponendo che una temperatura di giunzione massima di TJ(max) =150°C. la curva di SOA fornisce una singola valutazione di impulso.

 

 

N-Manica: CARATTERISTICA ELETTRICA E TERMICA TIPICA
 
MOSFET complementare RDS (SOPRA) < 30m del transistor di potenza del Mosfet di HXY4606 30V 2MOSFET complementare RDS (SOPRA) < 30m del transistor di potenza del Mosfet di HXY4606 30V 3MOSFET complementare RDS (SOPRA) < 30m del transistor di potenza del Mosfet di HXY4606 30V 4MOSFET complementare RDS (SOPRA) < 30m del transistor di potenza del Mosfet di HXY4606 30V 5MOSFET complementare RDS (SOPRA) < 30m del transistor di potenza del Mosfet di HXY4606 30V 6MOSFET complementare RDS (SOPRA) < 30m del transistor di potenza del Mosfet di HXY4606 30V 7MOSFET complementare RDS (SOPRA) < 30m del transistor di potenza del Mosfet di HXY4606 30V 8MOSFET complementare RDS (SOPRA) < 30m del transistor di potenza del Mosfet di HXY4606 30V 9
 
 
Caratteristiche elettriche di P-Manica (TJ=25°C salvo indicazione contraria)
 
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A. Il valore di RθJA è misurato con il dispositivo montato sul bordo di 1in2 FR-4 con 2oz. Rami, in un ambiente di aria tranquillo con i TUM =25°C.
il valore in tutta l'applicazione data dipende dalla progettazione specifica del bordo dell'utente.
B. Il palladio della dissipazione di potere è basato su TJ (max) =150°C, facendo uso della resistenza termica giunzione--ambientale del ≤ 10s.
C. la valutazione ripetitiva, larghezza di impulso limitata dalle valutazioni della temperatura di giunzione TJ (max) =150°C. è basata su bassa frequenza e sui duty cycle per tenere
initialTJ=25°C.
D. Il RθJA è la somma dell'impedenza termica dalla giunzione per condurre RθJL e condurre ad ambientale.
E. Le caratteristiche statiche nella figure 1 - 6 sono ottenute facendo uso di <300>
F. Queste curve sono basate sull'impedenza termica giunzione--ambientale cui è misurato con il dispositivo montato sul bordo di 1in2 FR-4 con
2oz. Rami, presupponendo che una temperatura di giunzione massima di TJ (max) =150°C. la curva di SOA fornisce una singola valutazione di impulso.
 
 
QUESTO PRODOTTO È STATO PROGETTATO E QUALIFICATO STATO PER IL MERCATO DEI CONSUMATORI. LE APPLICAZIONI O GLI USI COME CRITICALCOMPONENTS NEI DISPOSITIVI O NEI SISTEMI DEL SOSTEGNO VITALE NON SONO AUTORIZZATI. IL AOS NON PRESUPPONE ALCUNA RESPONSABILITÀ ARISINOUT DI TALI APPLICAZIONI O USI DEI SUOI PRODOTTI. IL AOS RISERVA IL DIRITTO DI MIGLIORARE LA PROGETTAZIONE, LE FUNZIONI E L'AFFIDABILITÀ SENZA PREAVVISO.
 
 
P-Manica: CARATTERISTICHE ELETTRICHE E TERMICHE TIPICHE
 
 
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