Dettagli:
|
Nome del prodotto: | transistor di potenza del mosfet | Temperatura di giunzione: | 150℃ |
---|---|---|---|
VDS: | 30V | Numero di modello: | HXY4606 |
Caratteristiche: | Pacchetto di superficie del supporto | Case: | Nastro/vassoio/bobina |
Evidenziare: | commutatore a corrente forte del mosfet,transistor ad alta tensione |
MOSFET complementare di HXY4616 30V
Descrizione
Gli usi HXY4616 avanzati trench la tecnologia a RDS provideexcellent (SOPRA) ed alla tassa bassa del portone. Questi N e P complementari incanalano i configurationis del MOSFET ideali per le applicazioni basse dell'invertitore di tensione in ingresso.
.
Caratteristiche elettriche di N-Manica (TJ =25°C salvo indicazione contraria)
A. Il valore delθJAdella R è misurato con il dispositivo montato su 1in A =25°C. che il valore in tutta l'applicazione data dipende dalla progettazione specifica del bordo dell'utente.
Bordo 2 FR-4 con 2oz. Rami, in un ambiente di aria tranquillo con T
B. La dissipazione di potere la PD è basata su TJ(max) =150°C, facendo uso della resistenza termica giunzione--ambientale del ≤ 10s. C. la valutazione ripetitiva, larghezza di impulso limitata dalle valutazioni della temperatura di giunzione TJ(max) =150°C. è basata su bassa frequenza e sui duty cycle per tenere il initialTJ=25°C.
D. IlθJAdella R è la somma dell'impedenza termica dalla giunzione per condurre ilθJLdella R e da condurre ad ambientale.
E. Le caratteristiche statiche nella figure 1 - 6 sono ottenute facendo uso di <300>
F. Queste curve sono basate sull'impedenza termica giunzione--ambientale che è misurata con il dispositivo montato sul bordo di 1in2 FR-4 con 2oz. Rami, presupponendo che una temperatura di giunzione massima di TJ(max) =150°C. la curva di SOA fornisce un singolo ratin G. di impulso.
N-Manica: CARATTERISTICHE ELETTRICHE E TERMICHE TIPICHE
Persona di contatto: David