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Dettagli:
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| Nome del prodotto: | transistor di potenza del mosfet | VDS: | 30V |
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| Identificazione (a VGS=10V): | 13A | Numero di modello: | HXY4406A |
| RDS (SOPRA) (a VGS=10V): | < 11=""> | Tipo: | Transistor del Mosfet |
| Evidenziare: | transistor a corrente forte,commutatore del mosfet di logica |
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Riassunto del prodotto
| VDS | 30V |
| Identificazione (a VGS=10V) | 13A |
| RDS (SOPRA) (a VGS=10V) | < 11=""> |
| RDS (SOPRA) (a VGS = 4.5V) | < 15=""> |
Descrizione generale
Il HXY4406A usa il toprovide avanzato RDS eccellente della tecnologia della fossa (SOPRA) con la tassa bassa del portone. Questo dispositivo è adatto ad alto commutatore laterale nelle applicazioni andgeneral di scopo di SMPS.
Caratteristiche elettriche (T =25°C salvo indicazione contraria)
A. Il valore delθJAdella R è misurato con il dispositivo montato sul bordo di 1in2 FR-4 con 2oz. Rami, in un ambiente di aria tranquillo con TA =25°C.
il valore in tutta l'applicazione data dipende dalla progettazione specifica del bordo dell'utente.
B. La dissipazione di potere la PD è basata su TJ(max) =150°C, facendo uso della resistenza termica giunzione--ambientale del ≤ 10s.
C. la valutazione ripetitiva, larghezza di impulso limitata dalle valutazioni della temperatura di giunzione TJ(max) =150°C. è basata su bassa frequenza e sui duty cycle per tenere
initialT =25°C.
D. IlθJAdella R è la somma dell'impedenza termica dalla giunzione per condurre ilθJLdella R e da condurre ad ambientale.
E. Le caratteristiche statiche nella figure 1 - 6 sono ottenute facendo uso di <300>
F. Queste curve sono basate sull'impedenza termica giunzione--ambientale cui è misurato con il dispositivo montato sul bordo di 1in2 FR-4 con
2oz. Rami, presupponendo che una temperatura di giunzione massima di TJ(max) =150°C. la curva di SOA fornisce una singola valutazione di impulso.
G. Il duty cycle 5% della punta massimo, limitato dalla temperatura di giunzione TJ (max) =125°C.
CARATTERISTICHE ELETTRICHE E TERMICHE TIPICHE
Persona di contatto: David
