Tipo commutazione di HXY4410 N del carico del transistor per le applicazioni portatili

Riassunto del prodotto

V_DS (v) = 30V

I = 18A

D

^Ω di ^RDS (SOPRA<> ^{) 11m (V_GS = 10V)}

R_DS(SOPRA)< 19m=""> GS = 4.5V)

Descrizione generale

La tecnologia avanzata della fossa di usi HXY4410 a

fornisca il RDS eccellente (SOPRA), tiro-attraverso immunità,

caratteristiche di diodo del corpo e portone ultrabasso

resistenza. Questo dispositivo è adatto idealmente per uso come a

commutatore laterale basso nel potere del centro del CPU del taccuino

conversione.

Caratteristiche elettriche (T =25°C salvo indicazione contraria)

A. Il valore del_θJAdella R è misurato con il dispositivo montato sul bordo di 1in2 FR-4 con 2oz. Rami, in un ambiente di aria tranquillo con T_A =25°C.

il valore in tutta l'applicazione data dipende dalla progettazione specifica del bordo dell'utente.

B. La dissipazione di potere la P_D è basata su T_J(max) =150°C, facendo uso della resistenza termica giunzione--ambientale del ≤ 10s.

C. la valutazione ripetitiva, larghezza di impulso limitata dalle valutazioni della temperatura di giunzione T_J(max) =150°C. è basata su bassa frequenza e sui duty cycle per tenere

initialT =25°C.

D. _IlθJAdella R è la somma dell'impedenza termica dalla giunzione per condurre il_θJLdella R e da condurre ad ambientale.

E. Le caratteristiche statiche nella figure 1 - 6 sono ottenute facendo uso di <300>

F. Queste curve sono basate sull'impedenza termica giunzione--ambientale cui è misurato con il dispositivo montato sul bordo di 1in2 FR-4 con

2oz. Rami, presupponendo che una temperatura di giunzione massima di T_J(max) =150°C. la curva di SOA fornisce una singola valutazione di impulso.

G. Il duty cycle 5% della punta massimo, limitato dalla temperatura di giunzione TJ (max) =125°C.

CARATTERISTICHE ELETTRICHE E TERMICHE TIPICHE