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Manica VGS 10V del transistor di effetto del giacimento del MOS di HXY4466 30V N a basso rumore

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

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Manica VGS 10V del transistor di effetto del giacimento del MOS di HXY4466 30V N a basso rumore

Manica VGS 10V del transistor di effetto del giacimento del MOS di HXY4466 30V N a basso rumore
Manica VGS 10V del transistor di effetto del giacimento del MOS di HXY4466 30V N a basso rumore

Grande immagine :  Manica VGS 10V del transistor di effetto del giacimento del MOS di HXY4466 30V N a basso rumore

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: HXY4466
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Manica VGS 10V del transistor di effetto del giacimento del MOS di HXY4466 30V N a basso rumore

descrizione
Nome del prodotto: transistor di potenza del mosfet VDS: 30V
RDS (SOPRA) < 35mΩ: (VGS = 4.5V) Numero di modello: HXY4466
RDS (SOPRA) < 23mΩ: (VGS = 10V) Tipo: Transistor del Mosfet
Evidenziare:

commutatore del mosfet di logica

,

driver del mosfet che per mezzo del transistor

60V N-Manica AlphaSGT HXY4264
 

 

Riassunto del prodotto

 

VDS 30V
I = 10A VGS = 10V)
RDS (SOPRA) < 23m=""> (VGS = 10V)
RDS (SOPRA) < 35m=""> (VGS = 4.5V)


 

Descrizione generale

 

La tecnologia avanzata della fossa di usi HXY4466 a

fornisca il RDS eccellente (SOPRA) e la tassa bassa del portone. Ciò

il dispositivo è adatto ad uso come commutatore del carico o in PWM

applicazioni. I cavi di fonte sono separati per concedere

un collegamento di Kelvin alla fonte, che può essere

usato per escludere l'induttanza di fonte.

 

Manica VGS 10V del transistor di effetto del giacimento del MOS di HXY4466 30V N a basso rumore 0

 

 

 

Caratteristiche elettriche (T =25°C salvo indicazione contraria)

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A. Il valore delθJAdella R è misurato con il dispositivo montato sul bordo di 1in2 FR-4 con 2oz. Rami, in un ambiente di aria tranquillo con TA =25°C.

il valore in tutta l'applicazione data dipende dalla progettazione specifica del bordo dell'utente.

B. La dissipazione di potere la PD è basata su TJ(max) =150°C, facendo uso della resistenza termica giunzione--ambientale del ≤ 10s.

C. la valutazione ripetitiva, larghezza di impulso limitata dalle valutazioni della temperatura di giunzione TJ(max) =150°C. è basata su bassa frequenza e sui duty cycle per tenere

initialT =25°C.

D. IlθJAdella R è la somma dell'impedenza termica dalla giunzione per condurre ilθJLdella R e da condurre ad ambientale.

E. Le caratteristiche statiche nella figure 1 - 6 sono ottenute facendo uso di <300>

F. Queste curve sono basate sull'impedenza termica giunzione--ambientale cui è misurato con il dispositivo montato sul bordo di 1in2 FR-4 con

2oz. Rami, presupponendo che una temperatura di giunzione massima di TJ(max) =150°C. la curva di SOA fornisce una singola valutazione di impulso.

G. Il duty cycle 5% della punta massimo, limitato dalla temperatura di giunzione TJ (max) =125°C.

 

CARATTERISTICHE ELETTRICHE E TERMICHE TIPICHE

 

 

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