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Plastica del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di HXY2308 N SOT-23 incapsulata

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Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

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Plastica del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di HXY2308 N SOT-23 incapsulata

Plastica del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di HXY2308 N SOT-23 incapsulata
Plastica del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di HXY2308 N SOT-23 incapsulata

Grande immagine :  Plastica del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di HXY2308 N SOT-23 incapsulata

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: HXY2308
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno
Contatto

Plastica del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di HXY2308 N SOT-23 incapsulata

descrizione
Nome del prodotto: transistor di potenza del mosfet RDS (SOPRA): 136mΩ
Caratteristica: Pacchetto di superficie del supporto Numero di modello: HXY2308
Applicazione: Commutatore di batteria Tipo: Transistor del Mosfet
Evidenziare:

transistor a corrente forte

,

commutatore del mosfet di logica

SOT-23 Plastica-incapsulano il MOSFET di N-Manica dei MOSFETS HXY2308

 

Riassunto del prodotto

 

VDSS= V ID= 3,0 A 60

RDS (sopra) 120mΩ@ 10 V < VGS="
RDS (sopra) < 136m="">

 

CARATTERISTICA
 
alto potere del  e capacità passante corrente
il prodotto senza piombo del  si acquista
pacchetto del supporto della superficie del 
 
 

 

Applicazioni

 

commutatore di batteria del 

convertitore del  DC/DC

 

 

Valutazioni massime (Ta=25℃ salvo indicazione contraria)
 
Plastica del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di HXY2308 N SOT-23 incapsulata 0
Plastica del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di HXY2308 N SOT-23 incapsulata 1Plastica del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di HXY2308 N SOT-23 incapsulata 2Plastica del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di HXY2308 N SOT-23 incapsulata 3
 
 

Prodotto Tag:

commutatore del mosfet di logica,

driver del mosfet che per mezzo del transistor,

transistor a corrente forte

Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona di contatto: David

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

circa

transistor di potenza del mosfet

Transistor del livello logico HXY4616, MOSFET complementare ad alta tensione del transistor 30V

Alta tensione VDS 40V VGS ±20v del transistor di potenza ±20v VGS del Mosfet HXY4616

MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V

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