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Transistor di potenza del silicio BAW56/BAV70/BAV9 per la commutazione per tutti gli usi

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

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Transistor di potenza del silicio BAW56/BAV70/BAV9 per la commutazione per tutti gli usi

Transistor di potenza del silicio BAW56/BAV70/BAV9 per la commutazione per tutti gli usi
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Grande immagine :  Transistor di potenza del silicio BAW56/BAV70/BAV9 per la commutazione per tutti gli usi

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: BAW56/BAV70/BAV9
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Transistor di potenza del silicio BAW56/BAV70/BAV9 per la commutazione per tutti gli usi

descrizione
Tipo: COMMUTAZIONE DIODESOD Applicazione: Commutazione per tutti gli usi
Transistor del Mosfet di potere: Plastica-EncapsulateDiodes SOD-123 Temperatura di stoccaggio: -55~+150℃
Identificazione del prodotto: BAW56/BAV70/BAV9 Corrente di picco: 2A
Evidenziare:

transistor dell'interruttore di accensione

,

transistor del mosfet di potere

Il DIODO di COMMUTAZIONE BAW56/BAV70/BAV9 SOD-123 Plastica-incapsula i diodi


 

CARATTERISTICA
 
Velocità di commutazione veloce
Per le applicazioni per tutti gli usi di commutazione
COMMUTAZIONE DIODESOD

Segno 

Transistor di potenza del silicio BAW56/BAV70/BAV9 per la commutazione per tutti gli usi 0

 

 

 

VALUTAZIONI MASSIME (Ta=25℃ salvo indicazione contraria)

 

Transistor di potenza del silicio BAW56/BAV70/BAV9 per la commutazione per tutti gli usi 1

 

ElectricalCharacteristics@Ta =25℃

 

Transistor di potenza del silicio BAW56/BAV70/BAV9 per la commutazione per tutti gli usi 2

 

 

Characterisitics tipico

 Transistor di potenza del silicio BAW56/BAV70/BAV9 per la commutazione per tutti gli usi 3Transistor di potenza del silicio BAW56/BAV70/BAV9 per la commutazione per tutti gli usi 4
  
 
 
 Dimensioni del profilo del pacchetto
 

Simbolo Dimensioni nei millimetri Dimensioni nei pollici
  Min Massimo Min Massimo
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TIPI 0,037 TIPI
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 RIFERIMENTI 0,022 RIFERIMENTI
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ

 
 

Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona di contatto: David

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