Casa Prodottitransistor di potenza del mosfet

2N60 2A, MOSFET di POTERE 600VN-CHANNEL

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

Sono ora online in chat

2N60 2A, MOSFET di POTERE 600VN-CHANNEL

2N60 2A, MOSFET di POTERE 600VN-CHANNEL
2N60 2A, MOSFET di POTERE 600VN-CHANNEL

Grande immagine :  2N60 2A, MOSFET di POTERE 600VN-CHANNEL

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: 2N60
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

2N60 2A, MOSFET di POTERE 600VN-CHANNEL

descrizione
Nome del prodotto: transistor di potenza del mosfet Applicazione: Gestione di potere
Caratteristica: RDS eccellente (sopra) Transistor del Mosfet di potere: MOSFET di potere di modo di potenziamento
VDS: -100V Numero di modello: 2N60
Evidenziare:

transistor del mosfet del canale di n

,

transistor ad alta tensione

MOSFET di potere 2N60-TC3

2A, MOSFET di POTERE di N-MANICA 600V

 

DESCRIZIONE

Il UTC 2N60-TC3 è un MOSFET ad alta tensione di potere ed è destinato ad avere migliori caratteristiche, quali tempo veloce di commutazione, la tassa bassa del portone, la resistenza bassa dello su stato ed ad avere caratteristiche irregolari alte di una valanga. Questo MOSFET di potere è utilizzato solitamente alle applicazioni ad alta velocità di commutazione nelle alimentazioni elettriche, nei controlli motori di PWM, nell'alta CC efficiente ai convertitori di CC e nei ponti.

 

2N60 2A, MOSFET di POTERE 600VN-CHANNEL 0

 

CARATTERISTICHE

RDS (SOPRA) < 7="">

Alta velocità di commutazione

 

2N60 2A, MOSFET di POTERE 600VN-CHANNEL 1

INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE

 

Numero di ordinazione Pacchetto Assegnazione di Pin Imballaggio
Senza piombo L'alogeno libera 1 2 3
2N60L-TF1-T 2N60G-TF1-T TO-220F1 G D S Metropolitana
2N60L-TF3-T 2N60G-TF3-T TO-220F G D S Metropolitana
2N60L-TM3-T 2N60G-TM3-T TO-251 G D S Metropolitana

2N60 2A, MOSFET di POTERE 600VN-CHANNEL 2


Nota: Assegnazione di Pin: G: Portone D: Scolo S: Fonte

 

 

 

QW-R205-461.A

 

2N60 2A, MOSFET di POTERE 600VN-CHANNEL 3

VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE di n (TC = 25°С, salvo specificazione contraria)

 

PARAMETRO SIMBOLO VALUTAZIONI UNITÀ
Tensione di Scolo-fonte VDSS 600 V
Tensione di Portone-fonte VGSS ± 30 V
Vuoti la corrente Continuo ID 2 A
Pulsato (nota 2) IDM 4 A
Energia della valanga Scelga pulsato (nota 3) EAS 84 mJ
Alzi il recupero verticalmente del diodo dv/dt (nota 4) dv/dt 4,5 V/ns
Dissipazione di potere TO-220F/TO-220F1 PD 23 W
TO-251 44 W
Temperatura di giunzione TJ +150 °C
Temperatura di stoccaggio TSTG -55 ~ +150 °C

Note: 1. le valutazioni massime assolute sono quei valori oltre cui il dispositivo potrebbe permanentemente essere danneggiato.

Le valutazioni massime assolute sono valutazioni di sforzo soltanto e l'operazione funzionale del dispositivo non è implicata.

4. Valutazione ripetitiva: Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima.

5. L = 84mH, ICOME =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 che inizia TJ = 25°C

6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSS dideviazione standarddi V, iniziante TJ = 25°C

DATI del TERMALE di n

 

PARAMETRO SIMBOLO VALUTAZIONI UNITÀ
Giunzione ad ambientale TO-220F/TO-220F1 θJA 62,5 °C/W
TO-251 100 °C/W
Giunzione da rivestire TO-220F/TO-220F1 θJC 5,5 °C/W
TO-251 2,87 °C/W

 

CARATTERISTICHE ELETTRICHE di n (TJ = 25°С, salvo specificazione contraria)

 

PARAMETRO SIMBOLO CONDIZIONI DI PROVA MIN TIPO Max UNITÀ
FUORI DALLE CARATTERISTICHE
Tensione di ripartizione di Scolo-fonte BVDSS VGS=0V, ID= 250μA 600     V
Corrente di perdita di Scolo-fonte IDSS VDS=600V, VGS=0V     1 µA
Corrente di perdita di Portone-fonte Di andata IGSS VGS=30V, VDS=0V     100 Na
Inverso VGS=-30V, VDS=0V     -100 Na
SULLE CARATTERISTICHE
Tensione della soglia del portone VGS (TH) VDS=VGS, ID=250μA 2,0   4,0 V
Resistenza statica dello Su stato di Scolo-fonte RDS (SOPRA) VGS=10V, ID=1.0A     7,0
CARATTERISTICHE DINAMICHE
Capacità dell'input CISS

 

VGS=0V, VDS=25V, f=1.0 megahertz

  190   PF
Capacità di uscita COSS   28   PF
Capacità inversa di trasferimento CRSS   2   PF
CARATTERISTICHE DI COMMUTAZIONE
Tassa totale del portone (nota 1) QG VDS=200V, VGS=10V, ID=2.0A IG=1mA (nota 1, 2)   7   nC
Tassa di Gateource QGS   2,9   nC
Tassa dello Portone-scolo QGD   1,9   nC
Tempo di ritardo d'apertura (nota 1) il TD (SOPRA)

 

VDS=300V, VGS=10V, ID=2.0A, RG=25Ω (nota 1, 2)

  4   NS
Tempo di aumento tR   16   NS
Tempo di ritardo di giro-fuori il TD (FUORI)   16   NS
Caduta-Time tF   19   NS
VALUTAZIONI E CARATTERISTICHE DEL DIODO DELLO SCOLO DI FONTE
Corrente continua del Corpo-diodo massimo IS       2 A
Il Corpo-diodo massimo ha pulsato corrente DOTTRINA       8 A
Tensione di andata del diodo di Scolo-fonte (nota 1) VSD VGS=0V, IS=2.0A     1,4 V
Tempo di recupero inverso (nota 1) trr

VGS=0V, IS=2.0A,

DiF/dt=100A/µs (Note1)

  232   NS
Tassa inversa di recupero Qrr   1,1   µC

Note: 1. prova di impulso: ≤ 300µs, ≤ 2% di larghezza di impulso del duty cycle.

  • Essenzialmente indipendente dalla temperatura di funzionamento.

2N60 2A, MOSFET di POTERE 600VN-CHANNEL 4

2N60 2A, MOSFET di POTERE 600VN-CHANNEL 5

2N60 2A, MOSFET di POTERE 600VN-CHANNEL 6

 

Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona di contatto: David

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

Lasciate un messaggio

Ti richiameremo presto!