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Dettagli:
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| Nome del prodotto: | transistor di potenza del mosfet | Applicazione: | Gestione di potere |
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| Caratteristica: | RDS eccellente (sopra) | Transistor del Mosfet di potere: | MOSFET di potere di modo di potenziamento |
| Numero di modello: | 4N60 | ||
| Evidenziare: | transistor del mosfet del canale di n,transistor ad alta tensione |
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MOSFET di potere 2N60-TC3
2A, MOSFET di POTERE di N-MANICA 600V
Il UTC 4N60-R è un MOSFET ad alta tensione di potere ed è destinato ad avere migliori caratteristiche, quali tempo veloce di commutazione, la tassa bassa del portone, la resistenza bassa dello su stato ed ad avere caratteristiche irregolari alte di una valanga. Questo MOSFET di potere è utilizzato solitamente alle applicazioni ad alta velocità di commutazione nelle alimentazioni elettriche, nei controlli motori di PWM, nell'alta CC efficiente ai convertitori di CC e nei ponti.
CARATTERISTICHE
* RDS(SOPRA)< 2=""> GS = 10 V
* capacità veloce di commutazione
* energia della valanga specificata
* capacità migliore di dv/dt, alta irregolarità
| Numero di ordinazione | Pacchetto | Assegnazione di Pin | Imballaggio | |||
| Senza piombo | L'alogeno libera | 1 | 2 | 3 | ||
| 4N60L-TF1-T | 4N60G-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Metropolitana |
Nota: Assegnazione di Pin: G: Portone D: Scolo S: Fonte
VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE di n (TC = 25°С, salvo specificazione contraria)
| PARAMETRO | SIMBOLO | VALUTAZIONI | UNITÀ | |
| Tensione di Scolo-fonte | VDSS | 600 | V | |
| Tensione di Portone-fonte | VGSS | ±30 | V | |
| Corrente della valanga (nota 2) | IAR | 4 | A | |
| Vuoti la corrente | Continuo | ID | 4,0 | A |
| Pulsato (nota 2) | IDM | 16 | A | |
| Energia della valanga | Scelga pulsato (nota 3) | EAS | 160 | mJ |
| Alzi il recupero verticalmente del diodo dv/dt (nota 4) | dv/dt | 4,5 | V/ns | |
| Dissipazione di potere | PD | 36 | W | |
| Temperatura di giunzione | TJ | +150 | °С | |
| Temperatura di funzionamento | TOPR | -55 ~ +150 | °С | |
| Temperatura di stoccaggio | TSTG | -55 ~ +150 | °С | |
Note: 1. le valutazioni massime assolute sono quei valori oltre cui il dispositivo potrebbe permanentemente essere danneggiato.
Le valutazioni massime assolute sono valutazioni di sforzo soltanto e l'operazione funzionale del dispositivo non è implicata.
4. Valutazione ripetitiva: Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima.
5. L = 84mH, ICOME =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 che inizia TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSS dideviazione standarddi V, iniziante TJ = 25°C
| PARAMETRO | SIMBOLO | VALUTAZIONI | UNITÀ |
| Giunzione ad ambientale | θJA | 62,5 | °С/W |
| Giunzione da rivestire | θJc | 3,47 | °С/W |
CARATTERISTICHE ELETTRICHE (TJ = 25°С, salvo specificazione contraria)
| PARAMETRO | SIMBOLO | CONDIZIONI DI PROVA | MIN | TIPO | Max | UNITÀ | |
| FUORI DALLE CARATTERISTICHE | |||||||
| Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 600 | V | |||
| Corrente di perdita di Scolo-fonte | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | 10 | μA | |||
| VDS=480V, TC=125°С | 100 | µA | |||||
| Corrente di perdita di Portone-fonte | Di andata | IGSS | VGS=30V, VDS=0V | 100 | Na | ||
| Inverso | VGS=-30V, VDS=0V | -100 | Na | ||||
| Coefficiente di temperatura di tensione di ripartizione | △BVDSS/△TJ | ID=250μA, fornito di rimandi a 25°C | 0,6 | V/°С | |||
| SULLE CARATTERISTICHE | |||||||
| Tensione della soglia del portone | VGS (TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 3,0 | 5,0 | V | ||
| Resistenza statica dello Su stato di Scolo-fonte | RDS (SOPRA) | VGS=10 V, ID=2.2A | 2,3 | 2,5 | Ω | ||
| CARATTERISTICHE DINAMICHE | |||||||
| Capacità dell'input | CISS |
VDS =25V, VGS=0V, f =1MHz |
440 | 670 | PF | ||
| Capacità di uscita | COSS | 50 | 100 | PF | |||
| Capacità inversa di trasferimento | CRSS | 6,8 | 20 | PF | |||
| CARATTERISTICHE DI COMMUTAZIONE | |||||||
| Tempo di ritardo d'apertura | il TD (SOPRA) |
VDD=30V, ID=0.5A, RG=25Ω (Nota 1, 2) |
45 | 60 | NS | ||
| Tempo di aumento d'apertura | tR | 35 | 55 | NS | |||
| Tempo di ritardo di giro-Fuori | il TD (FUORI) | 65 | 85 | NS | |||
| Tempo di caduta di giro-Fuori | tF | 40 | 60 | NS | |||
| Tassa totale del portone | QG | VDS=50V, ID=1.3A, ID=100μA VGS=10V (nota 1, 2) | 15 | 30 | nC | ||
| Tassa di Portone-fonte | QGS | 5 | nC | ||||
| Tassa dello Portone-scolo | QGD | 15 | nC | ||||
| VALUTAZIONI E CARATTERISTICHE DEL DIODO DELLO SCOLO DI FONTE | |||||||
| Tensione di andata del diodo di Scolo-fonte | VSD | VGS=0V, IS=4.4A | 1,4 | V | |||
| Il diodo continuo massimo di Scolo-fonte trasmette la corrente | IS | 4,4 | A | ||||
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Il massimo ha pulsato diodo di Scolo-fonte Corrente di andata |
DOTTRINA | 17,6 | A | ||||
| Tempo di recupero inverso | trr |
VGS=0 V, IS=4.4A, DiF/dt=100 A/μs (nota 1) |
250 | NS | |||
| Tassa inversa di recupero | QRR | 1,5 | μC | ||||
Note: 1. prova di impulso: ≤ 300µs, ≤ 2% di larghezza di impulso del duty cycle.
Persona di contatto: David
