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Dettagli:
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| Nome del prodotto: | transistor di potenza del mosfet | Applicazione: | Gestione di potere |
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| Caratteristica: | RDS eccellente (sopra) | Transistor del Mosfet di potere: | MOSFET di potere di modo di potenziamento |
| Numero di modello: | 5N60 | ||
| Evidenziare: | transistor del mosfet del canale di n,transistor ad alta tensione |
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MOSFET di POTERE di N-MANICA di 5N60 K-TCQ 5A 600V
Il UTC 5N60K-TCQ è un MOSFET ad alta tensione di potere ed è destinato ad avere migliori caratteristiche, quali tempo veloce di commutazione, la tassa bassa del portone, la resistenza bassa dello su stato ed ad avere caratteristiche irregolari alte di una valanga. Questo MOSFET di potere è utilizzato solitamente alle applicazioni ad alta velocità di commutazione nelle alimentazioni elettriche, nei controlli motori di PWM, nell'alta CC efficiente ai convertitori di CC e nei ponti.
CARATTERISTICHE
RDS(SOPRA)< 2=""> GS =10V, ID = 2.5A
* capacità veloce di commutazione
* energia della valanga specificata
* capacità migliore di dv/dt, alta irregolarità
Applicazione
Commutazione del carico
Commutato duro e l'alta frequenza gira intorno al gruppo di continuità
| Numero di ordinazione | Pacchetto | Assegnazione di Pin | Imballaggio | |||
| Senza piombo | L'alogeno libera | 1 | 2 | 3 | ||
| 5N60KL-TA3-T | 5N60KG-TA3-T | TO-220 | G | D | S | Metropolitana |
| 5N60KL-TF1-T | 5N60KG-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Metropolitana |
| 5N60KL-TN3-R | 5N60KG-TN3-R | TO-252 | G | D | S | Bobina di nastro |
Nota: Assegnazione di Pin: G: Portone D: Scolo S: Fonte
VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE (TC = 25°С, salvo specificazione contraria)
| PARAMETRO | SIMBOLO | VALUTAZIONI | UNITÀ | |
| Tensione di Scolo-fonte | VDSS | 600 | V | |
| Tensione di Portone-fonte | VGSS | ±30 | V | |
| Vuoti la corrente | Continuo | ID | 5,0 | A |
| Pulsato (nota 2) | IDM | 20 | A | |
| Corrente della valanga (nota 2) | IAR | 4,0 | A | |
| Energia della valanga | Scelga pulsato (nota 3) | EAS | 80 | mJ |
| Alzi il recupero verticalmente del diodo dv/dt (nota 4) | dv/dt | 3,25 | V/ns | |
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Dissipazione di potere |
TO-220 |
PD |
106 | W |
| TO-220F1 | 36 | W | ||
| TO-252 | 50 | W | ||
| Temperatura di giunzione | TJ | +150 | °C | |
| Temperatura di stoccaggio | TSTG | -55 ~ +150 | °C | |
Note: 1. le valutazioni massime assolute sono quei valori oltre cui il dispositivo potrebbe permanentemente essere danneggiato.
Le valutazioni massime assolute sono valutazioni di sforzo soltanto e l'operazione funzionale del dispositivo non è implicata.
4. Valutazione ripetitiva: Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima.
5. L = 84mH, ICOME =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 che inizia TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSS dideviazione standarddi V, iniziante TJ = 25°C
| PARAMETRO | SIMBOLO | VALUTAZIONE | UNITÀ | |
| Giunzione ad ambientale | TO-220F/TO-220F1 | θJA | 62,5 | °C/W |
| TO-252 | 110 | °C/W | ||
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Giunzione da rivestire |
TO-220 |
θJC |
1,18 | °C/W |
| TO-220F1 | 3,47 | °C/W | ||
| TO-252 | 2,5 | °C/W | ||
CARATTERISTICHE ELETTRICHE (TJ = 25°С, salvo specificazione contraria)
| PARAMETRO | SIMBOLO | CONDIZIONI DI PROVA | MIN | TIPO | Max | UNITÀ | |
| FUORI DALLE CARATTERISTICHE | |||||||
| Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 600 | V | |||
| Corrente di perdita di Scolo-fonte | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | 1 | μA | |||
| Corrente di perdita di Portone-fonte | Di andata | IGSS | VGS=30V, VDS=0V | 100 | Na | ||
| Inverso | VGS=-30V, VDS=0V | -100 | |||||
| SULLE CARATTERISTICHE | |||||||
| Tensione della soglia del portone | VGS (TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Resistenza statica dello Su stato di Scolo-fonte | RDS (SOPRA) | VGS=10V, ID=2.5A | 2,5 | Ω | |||
| CARATTERISTICHE DINAMICHE | |||||||
| Capacità dell'input | CISS |
VGS=0V, V DS=25V, f=1.0MHz |
480 | PF | |||
| Capacità di uscita | COSS | 60 | PF | ||||
| Capacità inversa di trasferimento | CRSS | 6,5 | PF | ||||
| CARATTERISTICHE DI COMMUTAZIONE | |||||||
| Tassa totale del portone (nota 1) | QG | VDS=50V, ID=1.3A, VGS=10V IG=100μA (nota 1, 2) | 46 | nC | |||
| Portone alla tassa di fonte | QGS | 4,6 | nC | ||||
| Portone per vuotare tassa | QGD | 6,0 | nC | ||||
| Tempo di ritardo d'apertura (nota 1) | il TD (SOPRA) |
VDD=30V, VGS=10V, ID=0.5A, RG=25Ω (nota 1, 2) |
42 | NS | |||
| Tempo di aumento | tR | 44 | NS | ||||
| Tempo di ritardo di giro-FUORi | il TD (FUORI) | 120 | NS | ||||
| Caduta-Time | tF | 38 | NS | ||||
| VALUTAZIONI E CARATTERISTICHE DEL DIODO DELLO SCOLO DI FONTE | |||||||
| Corrente continua del Corpo-diodo massimo | IS | 5 | A | ||||
| Il Corpo-diodo massimo ha pulsato corrente | DOTTRINA | 20 | A | ||||
| Tensione di andata del diodo di Scolo-fonte (nota 1) | VSD | IS=5.0A, VGS=0V | 1,4 | V | |||
| Tempo di recupero di inverso del diodo del corpo (nota 1) | trr |
IS=5.0A, VGS=0V, DiF/dt=100A/μs |
390 | NS | |||
| Tassa di recupero di inverso del diodo del corpo | Qrr | 1,6 | μC | ||||
Note: 1. prova di impulso: ≤ 300µs, ≤ 2% di larghezza di impulso del duty cycle.
Persona di contatto: David
