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Dettagli:
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| Nome del prodotto: | transistor di potenza del mosfet | Applicazione: | Gestione di potere |
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| Caratteristica: | RDS eccellente (sopra) | Transistor del Mosfet di potere: | MOSFET di potere di modo di potenziamento |
| Numero di modello: | 6N60 | ||
| Evidenziare: | transistor del mosfet del canale di n,transistor ad alta tensione |
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MOSFET di POTERE di N-MANICA di 6N60 Z 6.2A 600V
Il UTC 6N60Z è un MOSFET ad alta tensione di potere ed è destinato ad avere migliori caratteristiche, quali tempo veloce di commutazione, la tassa bassa del portone, la resistenza bassa dello su stato e le alte caratteristiche irregolari della valanga. Questo MOSFET di potere è utilizzato solitamente alle applicazioni ad alta velocità di commutazione nelle alimentazioni elettriche e negli adattatori di commutazione.
CARATTERISTICHE
RDS(SOPRA)< 1=""> GS = 10V, ID = 3.1A
* capacità veloce di commutazione
* energia della valanga provata
* capacità migliore di dv/dt, alta irregolarità
| Numero di ordinazione | Pacchetto | Assegnazione di Pin | Imballaggio | |||
| Senza piombo | L'alogeno libera | 1 | 2 | 3 | ||
| 6N60ZL-TF3-T | 6N60ZG-TF3-T | TO-220F | G | D | S | Metropolitana |
Nota: Assegnazione di Pin: G: Portone D: Scolo S: Fonte
VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE (TC = 25°С, salvo specificazione contraria)
| PARAMETRO | SIMBOLO | VALUTAZIONI | UNITÀ | |
| Tensione di Scolo-fonte | VDSS | 600 | V | |
| Tensione di Portone-fonte | VGSS | ±20 | V | |
| Corrente della valanga (nota 2) | IAR | 6,2 | A | |
| Corrente continua dello scolo | ID | 6,2 | A | |
| Corrente pulsata dello scolo (nota 2) | IDM | 24,8 | A | |
| Energia della valanga | Scelga pulsato (nota 3) | EAS | 252 | mJ |
| Ripetitivo (nota 2) | ORECCHIO | 13 | mJ | |
| Recupero di punta del diodo dv/dt (nota 4) | dv/dt | 4,5 | NS | |
| Dissipazione di potere | PD | 40 | W | |
| Temperatura di giunzione | TJ | +150 | °C | |
| Temperatura di funzionamento | TOPR | -55 ~ +150 | °C | |
| Temperatura di stoccaggio | TSTG | -55 ~ +150 | °C | |
Note: 1. le valutazioni massime assolute sono quei valori oltre cui il dispositivo potrebbe permanentemente essere danneggiato.
Le valutazioni massime assolute sono valutazioni di sforzo soltanto e l'operazione funzionale del dispositivo non è implicata.
4. Valutazione ripetitiva: Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima.
5. L = 84mH, ICOME =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 che inizia TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSS dideviazione standarddi V, iniziante TJ = 25°C
| PARAMETRO | SIMBOLO | VALUTAZIONE | UNITÀ |
| Giunzione ad ambientale | θJA | 62,5 | °C/W |
| Giunzione da rivestire | θJC | 3,2 | °C/W |
CARATTERISTICHE ELETTRICHE (TJ = 25°С, salvo specificazione contraria)
| PARAMETRO | SIMBOLO | CONDIZIONI DI PROVA | MIN | TIPO | Max | UNITÀ | |
| FUORI DALLE CARATTERISTICHE | |||||||
| Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | BVDSS | VGS = 0V, ID = 250μA | 600 | V | |||
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Corrente di perdita di Scolo-fonte |
IDSS |
VDS = 600V, VGS = 0V | 10 | μA | |||
| VDS = 480V, VGS = 0V, TJ=125°C | 100 | μA | |||||
| Corrente di perdita di fonte del portone | Di andata | IGSS | VGS = 20V, VDS = 0V | 10 | μA | ||
| Inverso | VGS = -20V, VDS = 0V | -10 | μA | ||||
| Coefficiente di temperatura di tensione di ripartizione | △BVDSS/△TJ | ID=250μA, fornito di rimandi a 25°C | 0,53 | V/°C | |||
| SULLE CARATTERISTICHE | |||||||
| Tensione della soglia del portone | VGS (TH) | VDS = VGS, ID = 250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Resistenza statica dello Su stato di Scolo-fonte | RDS (SOPRA) | VGS = 10V, ID = 3.1A | 1,4 | 1,75 | Ω | ||
| CARATTERISTICHE DINAMICHE | |||||||
| Capacità dell'input | CISS | VDS=25V, VGS=0V, f=1.0 megahertz | 770 | 1000 | PF | ||
| Capacità di uscita | COSS | 95 | 120 | PF | |||
| Capacità inversa di trasferimento | CRSS | 10 | 13 | PF | |||
| CARATTERISTICHE DI COMMUTAZIONE | |||||||
| Tempo di ritardo d'apertura | il TD (SOPRA) |
VGS=0~10V, VDD=30V, ID =0.5A, RG =25Ω (Nota 1, 2) |
45 | 60 | NS | ||
| Tempo di aumento d'apertura | tR | 95 | 110 | NS | |||
| Tempo di ritardo di giro-Fuori | il TD (FUORI) | 185 | 200 | NS | |||
| Tempo di caduta di giro-Fuori | tF | 110 | 125 | NS | |||
| Tassa totale del portone | QG | VGS=10V, VDD=50V, ID=1.3A IG=100μA (nota 1, 2) | 32,8 | nC | |||
| Tassa di Portone-fonte | QGS | 7,0 | nC | ||||
| Tassa dello Portone-scolo | QGD | 9,8 | nC | ||||
| CARATTERISTICHE DI DIODO DI DRAIN-SOURCE E VALUTAZIONI MASSIME | |||||||
| Tensione di andata del diodo di Scolo-fonte | VSD | VGS = 0 V, IS = 6,2 A | 1,4 | V | |||
| Il diodo continuo massimo di Scolo-fonte trasmette la corrente | IS | 6,2 | A | ||||
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Il massimo ha pulsato diodo di Scolo-fonte Corrente di andata |
DOTTRINA | 24,8 | A | ||||
| Tempo di recupero inverso | trr |
VGS = 0 V, IS = 6,2 A, DiF/dt = 100 A/μs (nota 1) |
290 | NS | |||
| Tassa inversa di recupero | QRR | 2,35 | μC | ||||
Essenzialmente indipendente dalla temperatura di funzionamento. Note: 1. prova di impulso: ≤ 300µs, ≤ 2% di larghezza di impulso del duty cycle.
Persona di contatto: David
