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Tassa bassa del portone del Mosfet di Manica ad alta frequenza del transistor di potenza 12N10 N

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
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Rassegne del cliente
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Tassa bassa del portone del Mosfet di Manica ad alta frequenza del transistor di potenza 12N10 N

Tassa bassa del portone del Mosfet di Manica ad alta frequenza del transistor di potenza 12N10 N
Tassa bassa del portone del Mosfet di Manica ad alta frequenza del transistor di potenza 12N10 N

Grande immagine :  Tassa bassa del portone del Mosfet di Manica ad alta frequenza del transistor di potenza 12N10 N

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: 12N10
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Tassa bassa del portone del Mosfet di Manica ad alta frequenza del transistor di potenza 12N10 N

descrizione
Nome del prodotto: transistor di potenza del mosfet Applicazione: Gestione di potere
Caratteristica: RDS eccellente (sopra) Transistor del Mosfet di potere: MOSFET di potere di modo di potenziamento
Numero di modello: 12N10
Evidenziare:

transistor del mosfet del canale di n

,

transistor ad alta tensione

MOSFET di potere di modo di potenziamento di N-Manica HXY12N10

 

DESCRIZIONE

Il HXY12N10 usa la tecnologia e la progettazione avanzate della fossa per fornire il RDS eccellente (SOPRA) la tassa bassa del portone. Può essere utilizzato in un'ampia varietà di applicazioni.

 

 

CARATTERISTICHE

● VDS =100V, ID =12A

RDS (SOPRA) < 130m="">

 

Applicazione

 

Applicazione di commutazione di potenza del ●

Circuiti duro commutati ed ad alta frequenza del ●

Gruppo di continuità del ●

 

 

Tassa bassa del portone del Mosfet di Manica ad alta frequenza del transistor di potenza 12N10 N 0

 

INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE

Parametro Simbolo Limite Unità
Tensione di Scolo-fonte VDS 100 V
Tensione di Portone-fonte VGS ±20 V
Vuoti Corrente-continuo Identificazione 12 A
Vuoti Corrente-continuo (TC=100℃) ID (100℃) 6,5 A
Corrente pulsata dello scolo IDM 38,4 A
Dissipazione di potere massima Palladio 30 W
Ridurre le imposte su fattore   0,2 W/℃
Singola energia della valanga di impulso (nota 5) EAS 20 mJ
Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione TJ, TSTG -55 - 175

 

 

Nota: Assegnazione di Pin: G: Portone D: Scolo S: Fonte

 

Tassa bassa del portone del Mosfet di Manica ad alta frequenza del transistor di potenza 12N10 N 1

Tassa bassa del portone del Mosfet di Manica ad alta frequenza del transistor di potenza 12N10 N 2

 

VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE (TC = 25°С, salvo specificazione contraria)

PARAMETRO SIMBOLO VALUTAZIONI UNITÀ
Tensione di Scolo-fonte VDSS 600 V
Tensione di Portone-fonte VGSS ±30 V
Corrente continua dello scolo ID 10 A
Corrente pulsata dello scolo (nota 2) IDM 40 A
Corrente della valanga (nota 2) IAR 8,0 A
Energia della valanga Scelga pulsato (nota 3) EAS 365 mJ
Alzi il recupero verticalmente del diodo dv/dt (nota 4) dv/dt 4,5 NS

 

Dissipazione di potere

TO-220

 

PD

156 W
  TO-220F1   50 W
  TO-220F2   52 W
Temperatura di giunzione TJ +150 °C
Temperatura di stoccaggio TSTG -55 ~ +150 °C

Note: 1. le valutazioni massime assolute sono quei valori oltre cui il dispositivo potrebbe permanentemente essere danneggiato.

Le valutazioni massime assolute sono valutazioni di sforzo soltanto e l'operazione funzionale del dispositivo non è implicata.

4. Valutazione ripetitiva: Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima.

5. L = 84mH, ICOME =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 che inizia TJ = 25°C

6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSS dideviazione standarddi V, iniziante TJ = 25°C

 

 

CARATTERISTICHE ELETTRICHE (TJ = 25°С, salvo specificazione contraria)

 

Parametro Simbolo Circostanza Min Tipo Massimo Unità
Fuori dalle caratteristiche
Tensione di ripartizione di Scolo-fonte BVDSS VGS=0V ID=250μA 100 110 - V
Corrente zero dello scolo di tensione del portone IDSS VDS=100V, VGS=0V - - 1 μA
Corrente di perdita del Portone-corpo IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 Na
Sulle caratteristiche (nota 3)
Tensione della soglia del portone VGS (Th) VDS=VGS, ID=250μA 1,2 1,8 2,5 V
Resistenza dello Su stato di Scolo-fonte RDS (SOPRA) VGS=10V, ID =8A 98   130 Ω di m.
Transconduttanza di andata gFS VDS=25V, ID=6A 3,5 - - S
Caratteristiche dinamiche (Note4)
Capacità dell'input Clss

 

VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz

- 690 - PF
Capacità di uscita Coss   - 120 - PF
Capacità inversa di trasferimento Crss   - 90 - PF
Caratteristiche di commutazione (nota 4)
Tempo di ritardo d'apertura il TD (sopra)

 

VDD=30V, ID=2A, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω

- 11 - NS
Tempo di aumento d'apertura tr   - 7,4 - NS
Tempo di ritardo di giro-Fuori il TD (fuori)   - 35 - NS
Tempo di caduta di giro-Fuori tf   - 9,1 - NS
Tassa totale del portone Qg

 

VDS=30V, ID=3A, VGS=10V

- 15,5   nC
Tassa di Portone-fonte Qgs   - 3,2 - nC
Tassa dello Portone-scolo Qgd   - 4,7 - nC
Caratteristiche di diodo di Scolo-fonte
Tensione di andata del diodo (nota 3) VSD VGS=0V, IS=9.6A - - 1,2 V
Corrente di andata del diodo (nota 2) IS   - - 9,6 A
Tempo di recupero inverso trr

TJ = 25°C, SE =9.6A

di/dt = 100A/μs(Note3)

- 21   NS
Tassa inversa di recupero Qrr   - 97   nC
Tempo d'apertura di andata tonnellata Il tempo d'apertura intrinseco è trascurabile (eccitazzione è dominata da LS+LD)


Essenzialmente indipendente dalla temperatura di funzionamento. Note: 1. prova di impulso: ≤ 300µs, ≤ 2% di larghezza di impulso del duty cycle.

 

Tassa bassa del portone del Mosfet di Manica ad alta frequenza del transistor di potenza 12N10 N 3Tassa bassa del portone del Mosfet di Manica ad alta frequenza del transistor di potenza 12N10 N 4Tassa bassa del portone del Mosfet di Manica ad alta frequenza del transistor di potenza 12N10 N 5Tassa bassa del portone del Mosfet di Manica ad alta frequenza del transistor di potenza 12N10 N 6

 

 

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