Dettagli:
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Nome del prodotto: | transistor di potenza del mosfet | Tipo: | Manica di N |
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Numero di modello: | 5N20DY TO-252 | tensione di Scolo-fonte: | 200 V |
Tensione di Portone-Fonte: | ±20V | Applicazioni: | Azionamento del LED |
Evidenziare: | transistor del mosfet del canale di n,transistor ad alta tensione |
Commutazione di circuito del transistor di potenza 2A 600V del Mosfet di Manica di N per l'azionamento del LED
Descrizione del transistor di potenza del Mosfet
La fossa avanzata di usi di AP50N20D
tecnologia per fornire RDS eccellente (SOPRA) e la tassa bassa del portone.
I MOSFETs complementari possono essere utilizzati per formare un alto commutatore laterale spostato livello e per un ospite di altro
Caratteristiche generali del transistor di potenza del Mosfet
V DS =200V, I D =5A
R DS (SOPRA) <520m>
Applicazione del transistor di potenza del Mosfet
Commutazione del carico
Commutato duro e l'alta frequenza gira intorno al gruppo di continuità
Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione
Identificazione del prodotto | Pacchetto | Segno | Qty (PCS) |
5N20D | TO-252 | 5N20D | 3000 |
5N20Y | TO-251 | 5N20Y | 4000 |
Valutazioni massime assolute (TA=25℃ salvo indicazione contraria)
Parametro | Simbolo | Limite | Unità |
Tensione di Scolo-fonte | VDS | 200 | V |
Tensione di Portone-fonte | VGS | ±20 | V |
Vuoti Corrente-continuo | Identificazione | 5 | A |
Vuoti Corrente-pulsato (nota 1) | IDM | 20 | A |
Dissipazione di potere massima | Palladio | 30 | W |
Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione | TJ, TSTG | -55 - 150 | ℃ |
Caratteristica termica
Resistenza termica, Giunzione--ambientale (nota 2) | RθJA | 4,17 | ℃/W |
Caratteristiche elettriche (TA=25℃ salvo indicazione contraria)
Parametro | Simbolo | Circostanza | Min | Tipo | Massimo | Unità |
Fuori dalle caratteristiche | ||||||
Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 200 | - | - | V |
Corrente zero dello scolo di tensione del portone | IDSS | VDS=200V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
Corrente di perdita del Portone-corpo | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
Sulle caratteristiche (nota 3) | ||||||
Tensione della soglia del portone | VGS (Th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1,2 | 1,7 | 2,5 | V |
Resistenza dello Su stato di Scolo-fonte | RDS (SOPRA) | VGS=10V, ID=2A | - | 520 | 580 | mΩ |
Transconduttanza di andata | gFS | VDS=15V, ID=2A | - | 8 | - | S |
Caratteristiche dinamiche (Note4) | ||||||
Capacità dell'input | Clss |
VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 580 | - | PF |
Capacità di uscita | Coss | - | 90 | - | PF | |
Capacità inversa di trasferimento | Crss | - | 3 | - | PF | |
Caratteristiche di commutazione (nota 4) | ||||||
Tempo di ritardo d'apertura | il TD (sopra) |
VDD=100V, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω |
- | 10 | - | NS |
Tempo di aumento d'apertura | TR | - | 12 | - | NS | |
Tempo di ritardo di giro-Fuori | il TD (fuori) | - | 15 | - | NS | |
Tempo di caduta di giro-Fuori | tf | - | 15 | - | NS | |
Tassa totale del portone | Qg |
VDS=100V, ID=2A, VGS=10V |
- | 12 | nC | |
Tassa di Portone-fonte | Qgs | - | 2,5 | - | nC | |
Tassa dello Portone-scolo | Qgd | - | 3,8 | - | nC | |
Caratteristiche di diodo di Scolo-fonte | ||||||
Tensione di andata del diodo (nota 3) | VSD | VGS=0V, IS=2A | - | - | 1,2 | V |
Corrente di andata del diodo (nota 2) | È | - | - | 5 | A |
Note:
Simbolo |
Dimensioni nei millimetri | Dimensioni nei pollici | ||
Min. | Massimo. | Min. | Massimo. | |
A | 2,200 | 2,400 | 0,087 | 0,094 |
A1 | 0,000 | 0,127 | 0,000 | 0,005 |
b | 0,660 | 0,860 | 0,026 | 0,034 |
c | 0,460 | 0,580 | 0,018 | 0,023 |
D | 6,500 | 6,700 | 0,256 | 0,264 |
D1 | 5,100 | 5,460 | 0,201 | 0,215 |
D2 | 0,483 TIPI. | 0,190 TIPI. | ||
E | 6,000 | 6,200 | 0,236 | 0,244 |
e | 2,186 | 2,386 | 0,086 | 0,094 |
L | 9,800 | 10,400 | 0,386 | 0,409 |
L1 | 2,900 TIPO. | 0,114 TIPI. | ||
L2 | 1,400 | 1,700 | 0,055 | 0,067 |
L3 | 1,600 TIPO. | 0,063 TIPI. | ||
L4 | 0,600 | 1,000 | 0,024 | 0,039 |
Φ | 1,100 | 1,300 | 0,043 | 0,051 |
θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
h | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
V | 5,350 TIPO. | 0,211 TIPI. |
Persona di contatto: David