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Transistor di alto potere di 30P06D TO-252, transistor di effetto di campo su ordinazione

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

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Transistor di alto potere di 30P06D TO-252, transistor di effetto di campo su ordinazione

Transistor di alto potere di 30P06D TO-252, transistor di effetto di campo su ordinazione
Transistor di alto potere di 30P06D TO-252, transistor di effetto di campo su ordinazione

Grande immagine :  Transistor di alto potere di 30P06D TO-252, transistor di effetto di campo su ordinazione

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: 30P06D TO-252
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: negoziazione
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Transistor di alto potere di 30P06D TO-252, transistor di effetto di campo su ordinazione

descrizione
Nome del prodotto: transistor di alto potere Caratteristiche: Ad alta potenza
Numero di modello: 30P06D TO-252 tensione di Scolo-fonte: -60 V
Tensione di Portone-Fonte: ±20 V L'altro nome: Transistor di effetto di campo
Evidenziare:

transistor del mosfet del canale di n

,

transistor ad alta tensione

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DESCRIZIONE del transistor di alto potere


La fossa avanzata di usi 30P06D
tecnologia per fornire la R eccellente DS (SOPRA)
e tassa bassa del portone. Questo dispositivo è
adatto ad uso come commutatore del carico o dentro
Applicazioni di PWM.


GENERALE CARATTERISTICHE del transistor di alto potere


V DS = - 60V, I D =-30A
R di alto potere di DS (SOPRA < 40m=""> ) R DS (SOPRA < 55m=""> ) e capacità passante corrente
Il prodotto senza piombo si acquista
Pacchetto di superficie del supporto


Applicazione del transistor di alto potere


Applicazioni di PWM
Gestione di potere

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Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione

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VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE (TA=25℃ salvo indicazione contraria)

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CARATTERISTICHE ELETTRICHE (TA=25℃ salvo indicazione contraria)

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NOTE:


1. Valutazione ripetitiva: Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima.
2. superficie montata su 1in 2 FR4 bordo, sec del ≤ 10 di t.
3. prova di impulso: ≤ 300μs, ≤ 2% di larghezza di impulso del duty cycle. 4. garantito da progettazione, non conforme a prova di produzione.

 

CARATTERISTICHE ELETTRICHE E TERMICHE TIPICHE

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Informazioni del pacchetto TO-252

 

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Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona di contatto: David

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