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Dettagli:
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| Nome del prodotto: | transistor di potenza del mosfet | Caratteristiche: | Pacchetto di superficie del supporto |
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| Numero di modello: | 60P03D TO-252 | tensione di Scolo-fonte: | -30 V |
| Tensione di Portone-Fonte: | ±20 V | Applicazioni: | Convertitore di DC/DC per esposizione LCD |
| Evidenziare: | transistor del mosfet del canale di n,transistor ad alta tensione |
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La P incanala il transistor di potenza 60P03D TO-252 30V del Mosfet del modo di potenziamento
DESCRIZIONE del transistor di potenza del Mosfet
La tecnologia avanzata della fossa di usi di AP60P03D
e progettazione per fornire alla R eccellente DS (SOPRA) il minimo
tassa del portone. Thisdevice è ben adattato
per le applicazioni a corrente forte del carico.
GENERALE CARATTERISTICHE del transistor di potenza del Mosfet
V DS =-30V, I D =-60A
R di DS (SOPRA) <15m>
R DS (SOPRA) <20m>
di progettazione ad alta densità delle cellule per Rdson ultrabasso
Tensione e corrente di valanga completamente caratterizzate
Buone stabilità ed uniformità con l'alta E AS
Pacchetto eccellente per buona dissipazione di calore
Applicazione del transistor di potenza del Mosfet
Alto commutatore laterale per il convertitore pieno del ponte
Convertitore di DC/DC per esposizione LCD
Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione
VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE (TA=25℃ salvo indicazione contraria)
CARATTERISTICHE ELETTRICHE (TA=25℃ salvo indicazione contraria)
NOTE:
1. Valutazione ripetitiva: Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima.
2. superficie montata su 1in 2 FR4 bordo, sec del ≤ 10 di t.
3. prova di impulso: ≤ 300μs, ≤ 2% di larghezza di impulso del duty cycle. 4. garantito da progettazione, non conforme a prova di produzione.
CARATTERISTICHE ELETTRICHE E TERMICHE TIPICHE
Informazioni del pacchetto DFN5X6-8
Persona di contatto: David
