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V transistor di effetto del giacimento del MOS di configurazioni N/modo di potenziamento Manica di P

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

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V transistor di effetto del giacimento del MOS di configurazioni N/modo di potenziamento Manica di P

V transistor di effetto del giacimento del MOS di configurazioni N/modo di potenziamento Manica di P
V transistor di effetto del giacimento del MOS di configurazioni N/modo di potenziamento Manica di P

Grande immagine :  V transistor di effetto del giacimento del MOS di configurazioni N/modo di potenziamento Manica di P

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: 10P10 D-U
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000-2000 pc
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

V transistor di effetto del giacimento del MOS di configurazioni N/modo di potenziamento Manica di P

descrizione
Nome del prodotto: Transistor di effetto del giacimento del MOS V tensione di Scolo-fonte di DSS: -100 V
V tensione di Portone-fonte di GSS: ±20 V Temperatura di giunzione massima di T J: °C 175
Gamma di temperature di stoccaggio di T STG: °C -55 - 175 Tipo: V configurazioni
Evidenziare:

commutatore del mosfet di logica

,

driver del mosfet che per mezzo del transistor

V transistor di effetto del giacimento del MOS di configurazioni N/modo di potenziamento Manica di P

 

Introduzione del transistor di effetto del giacimento del MOS

 

La tecnologia del MOSFET è ideale per uso in molte applicazioni di potere, dove il commutatore basso sulla resistenza permette agli alti livelli di efficienza di essere raggiunto.

Ci sono una serie di varietà differenti di MOSFET di potere disponibili dai produttori differenti, ciascuno con le sue proprie caratteristiche e da abilità.

Molti MOSFETs di potere comprendono una topologia verticale della struttura. Ciò permette alla commutazione a corrente forte con l'alta efficienza all'interno di area utile relativamente piccola. Inoltre permette al dispositivo di sostenere la commutazione di tensione ed a corrente forte.

 

Descrizione di Pin della caratteristica del transistor di effetto del giacimento del MOS


-100V/-10A
R DS (SOPRA) =.) @V 187mΩ (tipo GS = -10V
R DS (SOPRA) =.) @V 208mΩ (tipo GS = -4.5V
100%Avalanche provato
Affidabile ed irregolare
Alogeno libero e DevicesAvailable verde
(RoHSCompliant)

 

Applicazioni del transistor di effetto del giacimento del MOS


Gestione di potere per i sistemi dell'invertitore

 

Informazioni d'ordinazione e di segno


Codice del pacchetto


D: TO-252-2L U: TO-251-3L
Materiale dell'Assemblea di codice della data
YYXXX WW G: L'alogeno libera


Nota: I prodotti senza piombo di HUAYI contengono i composti del modanatura/muoiono materiali dell'attaccatura e plateTermi- della latta della metallina di 100%
Rivestimento di nazione; quale sono pienamente compatibili con RoHS. I prodotti senza piombo di HUAYI incontrano o superano il senza piombo richiedono
ments di IPC/JEDEC J-STD-020 per la classificazione di MSL alla temperatura di punta senza piombo di riflusso. HUAYI definisce «il verde»
per significare senza piombo (RoHS compiacente) ed alogeno libero (Br o il Cl non supera 900ppm a peso in omogeneo
materiale e totale di Br e di Cl non supera 1500ppm a peso).
HUAYI riserva il diritto di apportare i cambiamenti, le correzioni, i potenziamenti, le modifiche ed i miglioramenti a questo PR
- oduct e/o a questo documento in qualunque momento senza preavviso

 

Valutazioni massime assolute

 

V transistor di effetto del giacimento del MOS di configurazioni N/modo di potenziamento Manica di P 0

Nota: * valutazione ripetitiva; larghezza di impulso limitata dalla temperatura di max.junction.
** Limitato da T J massimo, iniziando T J =25°C, L = 0.5mH, VD=-80V, V GS =-10V.

 

Caratteristiche elettriche (TC =25°C salvo indicazione contraria)

 

V transistor di effetto del giacimento del MOS di configurazioni N/modo di potenziamento Manica di P 1

Caratteristiche elettriche (cont.) (TC =25°C salvo indicazione contraria)

 

V transistor di effetto del giacimento del MOS di configurazioni N/modo di potenziamento Manica di P 2

Nota: prova del *Pulse, pulsewidth≤ 300us, dutycycle≤ 2%

 

V transistor di effetto del giacimento del MOS di configurazioni N/modo di potenziamento Manica di P 3

 

 

Dettagli di contatto
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