Casa Prodotti Transistor di effetto del giacimento del MOS

Transistor di effetto di campo/Mosfet affidabili ed irregolari di alta frequenza

Name: Transistor di effetto di campo/Mosfet affidabili ed irregolari di alta frequenza
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 4504P-B

Tutti i prodotti

transistor di potenza del mosfet
(118)

Transistor di potenza di punta
(30)

Transistor di potenza del silicio
(19)

Diodo di commutazione doppio
(15)

Transistor di effetto del giacimento del MOS
(29)

Mosfet a doppio canale
(10)

diodo di raddrizzatore veloce di recupero
(6)

diodo Zener di potere
(6)

raddrizzatore a ponte di schottky
(10)

diodo di raddrizzatore ad alta tensione
(15)

Triodo a semiconduttore
(9)

Stabilizzatore IC di tensione
(14)

Certificazione

Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni

Rassegne del cliente

la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

Sono ora online in chat

Transistor di effetto di campo/Mosfet affidabili ed irregolari di alta frequenza

Grande immagine : Transistor di effetto di campo/Mosfet affidabili ed irregolari di alta frequenza

Dettagli:

Luogo di origine:	Shenzhen Cina
Marca:	Hua Xuan Yang
Certificazione:	RoHS、SGS
Numero di modello:	4504P-B

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	negoziazione
Prezzo:	Negotiated
Imballaggi particolari:	Inscatolato
Tempi di consegna:	1 - 2 settimane
Termini di pagamento:	L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione:	18,000,000PCS/al giorno

Contatto

Transistor di effetto di campo/Mosfet affidabili ed irregolari di alta frequenza

descrizione

Nome del prodotto:	Transistor di effetto di campo	V tensione di Scolo-fonte di DSS:	40V
V tensione di Portone-fonte di GSS:	±20 V	Temperatura di giunzione massima di T J:	°C 175
Gamma di temperature di stoccaggio di T STG:	°C -55 - 150	I fonte di S Corrente-continua (diodo del corpo):	250A
Evidenziare:	commutatore del mosfet di logica , driver del mosfet che per mezzo del transistor

Transistor di effetto di campo/Mosfet affidabili ed irregolari di alta frequenza

Caratteristica del transistor di effetto di campo

40V/250A
R DS (SOPRA) =  di m. (tipo.) @ V GS =10V

valanga 100% provata

Reliableand irregolare
Cavo FreeandGreenDevicesAvailable
(RoHSCompliant)

Applicazioni del transistor di effetto di campo

Applicazione di commutazione

Gestione di potere per i sistemi dell'invertitore

Valutazioni massime assolute

Transistor di effetto di campo/Mosfet affidabili ed irregolari di alta frequenza 0

Transistor di effetto di campo/Mosfet affidabili ed irregolari di alta frequenza 1

Prodotto Tag:

Persona di contatto: David

Altri prodotti

MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di effetto del giacimento del MOS di 60N06HX 60V N

Nome del prodotto: transistor di potenza del mosfet
Temperatura di giunzione:: 150℃
Materiale: silicio
Numero di modello: 60N06HX

Transistor del Mosfet di Manica di 60N03PIT 30V N, transistor di alto potere

Nome del prodotto: transistor di potenza del mosfet
Temperatura di giunzione:: 150℃
Materiale: silicio
Numero di modello: HXY2312

Temperatura di giunzione materiale del silicio del transistor di effetto del giacimento del MOS di 50N06P/T 60V 150℃

Nome del prodotto: transistor di potenza del mosfet
Temperatura di giunzione:: 150℃
Materiale: silicio
Numero di modello: 50N06P/T

Il transistor di potenza del Mosfet di G40N10 100V, transistor di Manica di N digiuna commutazione

Nome del prodotto: transistor di potenza del mosfet
Temperatura di giunzione:: 150℃
Materiale: silicio
Numero di modello: HXY2312

Tassa bassa del portone del transistor di effetto del giacimento del MOS di 18N20X 200V per l'applicazione di commutazione

Nome del prodotto: transistor di potenza del mosfet
Temperatura di giunzione:: 150℃
Materiale: silicio
Numero di modello: HXY2312

Transistor di effetto di campo/Mosfet affidabili ed irregolari di alta frequenza

transistor di potenza del mosfet

Transistor di potenza di punta

Transistor di potenza del silicio

Diodo di commutazione doppio

Transistor di effetto del giacimento del MOS

Mosfet a doppio canale

diodo di raddrizzatore veloce di recupero

diodo Zener di potere

raddrizzatore a ponte di schottky

diodo di raddrizzatore ad alta tensione

Triodo a semiconduttore

Stabilizzatore IC di tensione

Transistor di effetto di campo/Mosfet affidabili ed irregolari di alta frequenza

Transistor di effetto di campo/Mosfet affidabili ed irregolari di alta frequenza

commutatore del mosfet di logica

driver del mosfet che per mezzo del transistor

commutatore del mosfet di logica,

driver del mosfet che per mezzo del transistor,

transistor a corrente forte

MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di effetto del giacimento del MOS di 60N06HX 60V N

Transistor del Mosfet di Manica di 60N03PIT 30V N, transistor di alto potere

Temperatura di giunzione materiale del silicio del transistor di effetto del giacimento del MOS di 50N06P/T 60V 150℃

Il transistor di potenza del Mosfet di G40N10 100V, transistor di Manica di N digiuna commutazione

Tassa bassa del portone del transistor di effetto del giacimento del MOS di 18N20X 200V per l'applicazione di commutazione

transistor di potenza del mosfet

Transistor del livello logico HXY4616, MOSFET complementare ad alta tensione del transistor 30V

Alta tensione VDS 40V VGS ±20v del transistor di potenza ±20v VGS del Mosfet HXY4616

MOSFET di modo di potenziamento di Manica del transistor di potenza N+P del Mosfet di 20G04S 40V