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transistor di alto potere 150A, transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di 40V N

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

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transistor di alto potere 150A, transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di 40V N

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transistor di alto potere 150A, transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di 40V N

Grande immagine :  transistor di alto potere 150A, transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di 40V N

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: G025N04LQ1D-U-V
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: negoziazione
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

transistor di alto potere 150A, transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di 40V N

descrizione
Nome del prodotto: transistor di alto potere V tensione di Scolo-fonte di DSS: 40 V
V tensione di Portone-fonte di GSS: ±20 V Temperatura di giunzione massima di T J: °C -55 - 175
Gamma di temperature di stoccaggio di T STG: °C -55 - 175 I fonte di S Corrente-continua (diodo del corpo): 150A
Evidenziare:

commutatore del mosfet di logica

,

driver del mosfet che per mezzo del transistor

transistor di alto potere 150A, transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di 40V N

 

Applicazioni del transistor di alto potere

 

La tecnologia di potere MOSEFET è applicabile a molti tipi di circuiti. Le applicazioni includono:

  • Alimentazioni elettriche lineari
  • Alimentazioni elettriche di commutazione
  • Convertitori cc-cc
  • Controllo motorio di bassa tensione

Caratteristica del transistor di alto potere

 

40V/150A
R DS (SOPRA) =.) @V 2.4mΩ (tipo GS = 10V
R DS (SOPRA) =.) @V 4.2mΩ (tipo GS = 4.5V
Valanga 100% provata
Affidabile ed irregolare
Alogeno libero e dispositivi verdi disponibili
(RoHS compiacente)

 

 

Informazioni d'ordinazione e di segno

 

D U V

G023N04 G023N04 G023N04

 

Codice del pacchetto

 

D: TO-252-2L U: TO-251-3L V: TO-251-3S

 

Codice della data

 

Nota: I prodotti senza piombo di HUAYI contengono i composti del modanatura/muoiono materiali dell'attaccatura e plateTermi- della latta della metallina di 100%
Rivestimento di nazione; quale sono pienamente compatibili con RoHS. I prodotti senza piombo di HUAYI incontrano o superano il senza piombo richiedono
ments di IPC/JEDEC J-STD-020 per la classificazione di MSL alla temperatura di punta senza piombo di riflusso. HUAYI definisce «il verde»
per significare senza piombo (RoHS compiacente) ed alogeno libero (Br o il Cl non supera 900ppm a peso in omogeneo
materiale e totale di Br e di Cl non supera 1500ppm a peso).
HUAYI riserva il diritto di apportare i cambiamenti, le correzioni, i potenziamenti, le modifiche ed i miglioramenti a questo PR
- oduct e/o a questo documento in qualunque momento senza preavviso.

 

Valutazioni massime assolute

 

transistor di alto potere 150A, transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di 40V N 0

transistor di alto potere 150A, transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di 40V N 1

 

Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona di contatto: David

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