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Valanga irregolare del transistor di potenza del Mosfet del semiconduttore ad ossido-metallo alta

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

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Valanga irregolare del transistor di potenza del Mosfet del semiconduttore ad ossido-metallo alta

Valanga irregolare del transistor di potenza del Mosfet del semiconduttore ad ossido-metallo alta
Valanga irregolare del transistor di potenza del Mosfet del semiconduttore ad ossido-metallo alta

Grande immagine :  Valanga irregolare del transistor di potenza del Mosfet del semiconduttore ad ossido-metallo alta

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: 15P03C2
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: negoziazione
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Valanga irregolare del transistor di potenza del Mosfet del semiconduttore ad ossido-metallo alta

descrizione
Nome del prodotto: transistor di potenza del mosfet Tipo: Semiconduttore ad ossido-metallo
Numero di modello: 15P03C2 energia: -30V/-60A
R DS (SOPRA): 6.8mΩ (tipo.) @V GS =-4.5V Caratteristica: Irregolare
Evidenziare:

transistor del mosfet del canale di n

,

transistor ad alta tensione

Valanga irregolare del transistor di potenza del Mosfet del semiconduttore ad ossido-metallo alta

 

Descrizione del transistor di potenza del Mosfet

 

-30V/-60A
R DS (SOPRA) = 4.8mΩ (tipo.) @V GS =-10V
R DS (SOPRA) = 6.8mΩ (tipo.) @V GS =-4.5V
Affidabile ed irregolare
Dispositivi liberi dell'alogeno disponibili
(RoHS compiacente)

 

Applicazioni del transistor di potenza del Mosfet

 

Convertitore sincrono del dollaro del Punto-de-carico ad alta frequenza
Centrale elettrica di CC-CC della rete
Applicazione della macchina utensile

 

Informazioni d'ordinazione e di segno

 

C2
15P03
YYXXXJWW G

 

Codice del pacchetto
C2:
Materiale dell'Assemblea di codice della data
YYXXX WW G: L'alogeno libera

 

Nota: I prodotti senza piombo di HUAYI contengono i composti del modanatura/muoiono materiali dell'attaccatura e foglio di latta della metallina di 100% Termi-
Rivestimento di nazione; quale sono pienamente compatibili con RoHS. I prodotti senza piombo di HUAYI incontrano o superano il senza piombo richiedono
ments di IPC/JEDEC J-STD-020 per la classificazione di MSL alla temperatura di punta senza piombo di riflusso. HUAYI definisce
«Verde» per significare senza piombo (RoHS compiacente) ed alogeno libero (Br o il Cl non supera 900ppm a peso dentro
il materiale ed il totale omogenei di Br e di Cl non supera 1500ppm a peso).
HUAYI riserva il diritto di apportare i cambiamenti, le correzioni, i potenziamenti, le modifiche ed i miglioramenti a questo PR
oduct e/o a questo documento in qualunque momento senza preavviso.

 

Valutazioni massime assolute

 

 

Valanga irregolare del transistor di potenza del Mosfet del semiconduttore ad ossido-metallo alta 0

Caratteristiche di funzionamento tipiche

 

Valanga irregolare del transistor di potenza del Mosfet del semiconduttore ad ossido-metallo alta 1

 

 

Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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