Dettagli:
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Nome del prodotto: | Transistor di effetto del giacimento del MOS | Caratteristica: | Tempo veloce di commutazione |
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V DS: | 30V | 9,5 A: | (Vgs= 10V) |
mΩ 12,9: | (Vgs= 10V) | mΩ 19,3: | (Vgs= 4.5V) |
Evidenziare: | transistor del mosfet del canale di n,transistor ad alta tensione |
Transistor di effetto veloce del giacimento del MOS di tempo di commutazione, transistor dell'interruttore di accensione
Descrizione del transistor di effetto del giacimento del MOS
Il transistor di effetto del giacimento del MOS è utilizzato in molti l'alimentazione elettrica e le applicazioni di potere generale, particolarmente come commutatori. La variante s include i MOSFETs planari, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs ed altre marche commerciali differenti.
Caratteristica del transistor di effetto del giacimento del MOS
N- Manica P - Manica
Vds = 30V Vds = -30V
9,5 A (Vgs= 10V) - 8 A (Vgs= -10V)
mΩ 12,9 del mΩ (Vgs= 10V) 21,6 (Vgs= -10V)
mΩ 19,3 del mΩ (Vgs= 4.5V) 40,0 (Vgs= -4.5V)
valanga 100% del provata
affidabile ed irregolare
alogeno del libero e dispositivi verdi disponibili
(RoHS compiacente)
Applicazioni del transistor di effetto del giacimento del MOS
Raddrizzatori sincroni
Potere senza fili
azionamento del motore del H-ponte
Informazioni d'ordinazione e di segno
S
G170C03
Codice del pacchetto
S: SOP8L
Codice della data
Nota: I prodotti senza piombo di HUAYI contengono i composti del modanatura/muoiono materiali dell'attaccatura e foglio di latta della metallina di 100% Termi-
Rivestimento di nazione; quale sono pienamente compatibili con RoHS. I prodotti senza piombo di HUAYI incontrano o superano il senza piombo richiedono
ments di IPC/JEDEC J-STD-020 per la classificazione di MSL alla temperatura di punta senza piombo di riflusso. HUAYI definisce
«Verde» per significare senza piombo (RoHS compiacente) ed alogeno libero (Br o il Cl non supera 900ppm a peso dentro
il materiale ed il totale omogenei di Br e di Cl non supera 1500ppm a peso).
HUAYI riserva il diritto di apportare i cambiamenti, le correzioni, i potenziamenti, le modifiche ed i miglioramenti a questo PR
oduct e/o a questo documento in qualunque momento senza preavviso.
Valutazioni massime assolute
Caratteristiche di funzionamento tipiche N-Mosfet
Persona di contatto: David