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Transistor di potenza/transistor effetto di campo complementari originali AP5N10LI

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
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Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

Nell'ambito della raccomandazione del mio amico, sappiamo circa Hua Xuan Yang, un esperto senior nel semiconduttore e nell'industria dei componenti elettronici, che ci ha permesso di ridurre il nostro tempo prezioso e non deve rischiare la prova altre fabbriche.

—— — — Виктор dalla Russia

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Transistor di potenza/transistor effetto di campo complementari originali AP5N10LI

Transistor di potenza/transistor effetto di campo complementari originali AP5N10LI
Transistor di potenza/transistor effetto di campo complementari originali AP5N10LI Transistor di potenza/transistor effetto di campo complementari originali AP5N10LI Transistor di potenza/transistor effetto di campo complementari originali AP5N10LI

Grande immagine :  Transistor di potenza/transistor effetto di campo complementari originali AP5N10LI

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: AP5N10LI
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: negoziazione
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Transistor di potenza/transistor effetto di campo complementari originali AP5N10LI

descrizione
Nome del prodotto: Transistor di potenza complementari modello: AP5N10LI
Segno: MA6S pacco: SOT23
Tensione di VDSDrain-fonte: 100V Tensione del rce di VGSGate-Sou: ±20A
Evidenziare:

transistor del mosfet del canale di n

,

transistor ad alta tensione

Transistor di potenza/transistor effetto di campo complementari originali AP5N10LI

 

Descrizione complementare dei transistor di potenza

 

Il AP5N10LI usa la tecnologia avanzata della fossa per fornire la R eccellente DS (SOPRA), tassa del portone e l'operazione basse con le tensioni del portone basse quanto 4.5V. Questo dispositivo è adatto ad uso come protezione della batteria o nell'altra applicazione di commutazione.

 

Caratteristiche complementari dei transistor di potenza

 

VDS= 100V I D = 5A

 

RDS (SOPRA) < 140m="">

Protezione della batteria

 

Commutatore del carico

Gruppo di continuità

 

Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione

 

Identificazione del prodotto Pacchetto Segno Qty (PCS)
AP5N10LI SOT23-6 MA6S 3000

 

Valutazioni massime assolute a Tj=25℃ salvo indicazione contraria

 

Parametro Simbolo Valore Unità
Vuoti la tensione di fonte VDS 100 V
Tensione di fonte di portone VGS ±20 V
Corrente continua dello scolo, ℃ TC=25 Identificazione 5 A
Corrente pulsata dello scolo, ℃ di TC =25 Identificazione, impulso 15 A
Dissipazione di potere, ℃ di T C=25

P

D

17 W
Scelga l'energia pulsata della valanga 5) EAS 1,2 mJ
Temperatura di stoccaggio e di operazione Tstg, Tj -55 - 150
Resistenza termica, giunzione-caso RθJC 7,4 ℃/W
Resistenza termica, junction-ambient4) RθJA 62 ℃/W

 

Caratteristiche elettriche al ℃ del MOSFET j=25 di modo di potenziamento di N-Manica di T AP5N10LI 100V salvo specificazione contraria

 

Simbolo Parametro Condizione di prova Min. Tipo. Massimo. Unità
BVDSS tensione di ripartizione di Scolo-fonte V =0 V, μA ID=250 100     V
VGS (Th) Tensione della soglia del portone V =V, μA ID=250 1,2 1,5 2,5 V
RDS (SOPRA) resistenza dello su stato di Scolo-fonte VGS=10 V, ID=5 A   110 140
RDS (SOPRA) resistenza dello su stato di Scolo-fonte V =4.5 V, ID=3 A   160 180

 

IGSS

 

corrente di perdita di Portone-fonte

V =20 V     100

 

Na

V =-20 V     -100
IDSS corrente di perdita di Scolo-fonte VDS=100 V, VGS=0 V     1 uA
Ciss Capacità dell'input V =0 V,   206,1   PF
Coss Capacità di uscita   28,9   PF
Crss Capacità inversa di trasferimento   1,4   PF
il TD (sopra) Tempo di ritardo d'apertura

VGS=10 V,

VDS=50 V,

  14,7   NS
TR Tempo di aumento   3,5   NS
il TD (fuori) Tempo di ritardo di giro-fuori   20,9   NS

t

f

Tempo di caduta   2,7   NS
Qg Tassa totale del portone     4,3   nC
Qgs tassa di Portone-fonte   1,5   nC
Qgd tassa dello Portone-scolo   1,1   nC
Vplateau Tensione del plateau del portone   5,0   V
È Il diodo trasmette la corrente

 

VGS

    7

 

A

ISP Corrente di fonte pulsata     21
VSD Tensione di andata del diodo IS=7 A, VGS=0 V     1,0 V

t

rr

Tempo di recupero inverso     32,1   NS
Qrr Tassa inversa di recupero   39,4   nC
Irrm Corrente di recupero inverso di punta   2,1   A
Simbolo Parametro Condizione di prova Min. Tipo. Massimo. Unità
BVDSS tensione di ripartizione di Scolo-fonte V =0 V, μA ID=250 100     V
VGS (Th) Tensione della soglia del portone V =V, μA ID=250 1,2 1,5 2,5 V
RDS (SOPRA) resistenza dello su stato di Scolo-fonte VGS=10 V, ID=5 A   110 140
RDS (SOPRA) resistenza dello su stato di Scolo-fonte V =4.5 V, ID=3 A   160 180

 

IGSS

 

corrente di perdita di Portone-fonte

V =20 V     100

 

Na

V =-20 V     -100
IDSS corrente di perdita di Scolo-fonte VDS=100 V, VGS=0 V     1 uA
Ciss Capacità dell'input V =0 V,   206,1   PF
Coss Capacità di uscita   28,9   PF
Crss Capacità inversa di trasferimento   1,4   PF
il TD (sopra) Tempo di ritardo d'apertura

VGS=10 V,

VDS=50 V,

  14,7   NS
TR Tempo di aumento   3,5   NS
il TD (fuori) Tempo di ritardo di giro-fuori   20,9   NS

t

f

Tempo di caduta   2,7   NS
Qg Tassa totale del portone     4,3   nC
Qgs tassa di Portone-fonte   1,5   nC
Qgd tassa dello Portone-scolo   1,1   nC
Vplateau Tensione del plateau del portone   5,0   V
È Il diodo trasmette la corrente

 

VGS

    7

 

A

ISP Corrente di fonte pulsata     21
VSD Tensione di andata del diodo IS=7 A, VGS=0 V     1,0 V

t

rr

Tempo di recupero inverso     32,1   NS
Qrr Tassa inversa di recupero   39,4   nC
Irrm Corrente di recupero inverso di punta   2,1   A

 

Nota

 

1) Corrente continua calcolata basata sulla temperatura di giunzione massima permessa.

2) Valutazione ripetitiva; larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima.

3) Il palladio è basato sulla temperatura di giunzione massima, facendo uso della resistenza termica del giunzione-caso.

4) Il valore di RθJA è misurato con il dispositivo montato su 1 nel bordo 2 FR-4 con 2oz. Rami, in un ambiente di aria tranquillo con T un =25 °C. 5) VDD=50 V, RG=50 Ω, L=0.3 MH, iniziante Tj=25 °C.

 

Transistor di potenza/transistor effetto di campo complementari originali AP5N10LI 0

Attenzione

 

1, qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui non hanno specifiche che possano trattare le applicazioni che richiedono estremamente gli alti livelli dell'affidabilità, quali i sistemi di sopravvivenza, i sistemi di controllo dell'aereo, o altre applicazioni di cui il guasto può ragionevolmente essere preveduto per provocare il danno fisico e/o materiale serio. Consultivi con il vostro più vicino rappresentativo della microelettronica di APM prima di usando qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui in tali applicazioni.

2, la microelettronica di APM non assumono la responsabilità dei guasti di attrezzatura che derivano dal usando i prodotti ai valori che superano anche momentaneamente, i valori nominali (quali le valutazioni massime, la condizione di gestione varia, o altri parametri) elencati nelle specifiche di prodotti di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui.

3, specifiche di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM hanno descritto o contenuto qui il instipulate la prestazione, le caratteristiche e le funzioni dei prodotti descritti nello stato indipendente e non sono garanzie della prestazione, delle caratteristiche e delle funzioni dei prodotti descritti come montato in prodotti o attrezzature del cliente. Per verificare i sintomi e gli stati che non possono essere valutati in un dispositivo indipendente, il cliente dovrebbe esaminare e collaudare sempre i dispositivi montati in prodotti o attrezzature del cliente.

4, semiconduttore CO., srl della microelettronica di APM si sforzano di fornire gli alti prodotti dell'affidabilità di alta qualità. Tuttavia, qualsiasi prodotti a semiconduttori si guastano con una certa probabilità. È possibile che questi guasti probabilistici potrebbero provocare gli incidenti o gli eventi che potrebbero mettere in pericolo vite umane che potrebbero provocare il fumo o il fuoco, o che potrebbero danneggiare l'altra proprietà. L'attrezzatura di Whendesigning, adotta le misure di sicurezza in moda da non potere accadere questi generi di incidenti o di eventi. Tali misure includono ma non sono limitate ai circuiti di protezione ed ai circuiti di prevenzione degli errori per progettazione sicura, progettazione ridondante e progettazione strutturale.

5, nel caso in cui qualsiasi prodotti della microelettronica di APM (dati tecnici compresi, servizi) descritti o contenuti qui siano controllati sotto c'è ne delle leggi e dei regolamenti di controllo delle esportazioni locali applicabili, tali prodotti non devono essere esportati senza ottenere la licenza di esportazione dalle autorità responsabili conformemente alla legge di cui sopra.

6, nessuna parte di questa pubblicazione possono essere riprodotti o trasmessi in tutta la forma o con qualsiasi mezzo, elettronico o meccanico, compreso la fotocopiatura e la registrazione, o qualunque sistema di ricerca dell'informazione o di memorizzazione dei dati, o altrimenti, senza il permesso scritto priore del semiconduttore CO. della microelettronica di APM, srl.

7, informazioni (schemi circuitali compresi e parametri del circuito) qui sono soltanto per esempio; non è garantito per produzione in volume. La microelettronica di APM crede che le informazioni qui siano accurate ed affidabili, ma nessuna garanzia è fatta o implicata per quanto riguarda il suo uso o tutte le infrazioni dei diritti di proprietà intellettuale o di altri diritti dei terzi.

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