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Driver del Mosfet di AP6H03S che per mezzo del transistor, alto transistor durevole di amp

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
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Rassegne del cliente
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Driver del Mosfet di AP6H03S che per mezzo del transistor, alto transistor durevole di amp

Driver del Mosfet di AP6H03S che per mezzo del transistor, alto transistor durevole di amp
Driver del Mosfet di AP6H03S che per mezzo del transistor, alto transistor durevole di amp Driver del Mosfet di AP6H03S che per mezzo del transistor, alto transistor durevole di amp

Grande immagine :  Driver del Mosfet di AP6H03S che per mezzo del transistor, alto transistor durevole di amp

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: AP6H03S
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: negoziazione
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Driver del Mosfet di AP6H03S che per mezzo del transistor, alto transistor durevole di amp

descrizione
Nome di prodotto: Driver del Mosfet che per mezzo del transistor modello: AP6H03S
Pacchetto: SOP-8 Segno: AP6H03S YYWWWW
Tensione di VDSDrain-fonte: 30v Tensione del rce di VGSGate-Sou: ±20A

Driver del Mosfet di AP6H03S che per mezzo del transistor, alto transistor durevole di amp

 

Driver del Mosfet che usando descrizione del transistor:

 

La fossa avanzata di AP6H03Suses
tecnologia per fornire RDS eccellente (SOPRA) e la tassa bassa del portone.
I MOSFETs complementari possono essere utilizzati per formare la a
il livello ha spostato l'alto commutatore laterale e per un ospite di altro
applicazioni

 

Driver del Mosfet che usando le caratteristiche del transistor

N-Manica
VDS = 30V, IDENTIFICAZIONE =7.5A
NChannel di RDS (SOPRA < 16m=""> )
VDS = 30V, IDENTIFICAZIONE =7.5A
Alto potere di RDS (SOPRA < 16m=""> ) e capacità passante corrente
Il prodotto senza piombo si acquista
Pacchetto di superficie del supporto

 

Driver del Mosfet che usando applicazione del transistor


Circuiti duro commutati ed ad alta frequenza del ●
Gruppo di continuità del ●

 

 

Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione

 

 

Identificazione del prodotto Pacchetto Segno Qty (PCS)
AP6H03S SOP-8 AP6H03S YYWWWW 3000

 

Valutazioni massime assolute Tc=25℃ salvo indicazione contraria

 

 

Simbolo Parametro Valutazione Unità
VDS Tensione di Scolo-fonte 30 V
VGS Tensione del rce del portone-Sou ±20 V

 

D

I

Corrente dello scolo – continua (TC=25℃) 7,5 A
Corrente dello scolo – continua (TC=100℃) 4,8 A
IDM Corrente dello scolo – Pulsed1 30 A
EAS Singola energia 2 della valanga di impulso 14 mJ
IAS Singola corrente 2 di Avalanched di impulso 17 A

 

Palladio

Dissipazione di potere (TC=25℃) 2,1 W
La dissipazione di potere – riduca le imposte su sopra 25℃ 0,017 W/℃
TSTG Gamma di temperature di stoccaggio -55 - 150
TJ Gamma di temperature di funzionamento della giunzione -55 - 150
Simbolo Parametro Valutazione Unità
VDS Tensione di Scolo-fonte 30 V
VGS Tensione del rce del portone-Sou ±20 V

 

D

I

Corrente dello scolo – continua (TC=25℃) 7,5 A
Corrente dello scolo – continua (TC=100℃) 4,8 A
IDM Corrente dello scolo – Pulsed1 30 A
EAS Singola energia 2 della valanga di impulso 14 mJ
IAS Singola corrente 2 di Avalanched di impulso 17 A

 

Palladio

Dissipazione di potere (TC=25℃) 2,1 W
La dissipazione di potere – riduca le imposte su sopra 25℃ 0,017 W/℃
TSTG Gamma di temperature di stoccaggio -55 - 150
TJ Gamma di temperature di funzionamento della giunzione -55 - 150

 

Caratteristiche termiche

 

Simbolo Parametro Tipo. Massimo. Unità
RθJA Giunzione di resistenza termica ad ambientale --- 60 ℃/W

 

Caratteristiche elettriche (di TJ =25, salvo indicazione contraria) fuori dalle caratteristiche

 

 

Simbolo Parametro Circostanze Min. Tipo. Massimo. Unità
BVDSS Tensione di ripartizione di Scolo-fonte VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
△ BVDSS/△ TJ Coefficiente di temperatura di BVDSS Riferimento a 25℃•, ID=1mA --- 0,04 --- V/℃

 

IDSS

 

Corrente di perdita di Scolo-fonte

VDS=30V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
VDS=24V, VGS=0V, TJ=125℃ --- --- 10 uA
IGSS Corrente di perdita di Portone-fonte VGS=± 20V, VDS=0V --- --- ± 100 Na
Simbolo Parametro Circostanze Min. Tipo. Massimo. Unità
BVDSS Tensione di ripartizione di Scolo-fonte VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
△ BVDSS/△ TJ Coefficiente di temperatura di BVDSS Riferimento a 25℃•, ID=1mA --- 0,04 --- V/℃

 

IDSS

 

Corrente di perdita di Scolo-fonte

VDS=30V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
VDS=24V, VGS=0V, TJ=125℃ --- --- 10 uA
IGSS Corrente di perdita di Portone-fonte VGS=± 20V, VDS=0V --- --- ± 100 Na

 

RDS (SOPRA) Su resistenza statica di Scolo-fonte VGS=10V, ID=6A --- 15 20
VGS=4.5V, ID=3A --- 23 30
VGS (Th) Tensione della soglia del portone VGS=VDS, I =250UA 1,2 1,5 2,5 V
△VGS (Th) Coefficiente di temperatura di VGS (Th) --- -4 --- mV/℃
gfs Transconduttanza di andata VDS=10V, I D=6A --- 13 --- S

 

Qg Portone totale Charge3, 4   --- 4,1 8  
Qgs Tassa 3, 4 di Portone-fonte --- 1 2
Qgd Tassa dello Portone-scolo --- 2,1 4
Il TD (sopra) Tempo di ritardo d'apertura 3, 4   --- 2,6 5  
TR Tempo di aumento --- 7,2 14
Il TD (fuori) Tempo di ritardo di giro-Fuori 3, 4 --- 15,8 30
Tf Tempo di caduta 3, 4 --- 4,6 9
Ciss Capacità dell'input   --- 345 500  
Coss Capacità di uscita --- 55 80
Crss Capacità inversa di trasferimento --- 32 55
Rg Resistenza del portone VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz --- 3,2 6,4 Ω

 

È Corrente di fonte continua

 

VG=VD=0V, corrente della forza

--- --- 7,5 A
DOTTRINA Corrente di fonte pulsata --- --- 30 A
VSD Il diodo trasmette Voltage3 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1 V

rr

t

Tempo di recupero inverso VGS=0V, IS=1A, di/dt=100A/µs --- --- --- NS
Qrr Tassa inversa di recupero --- --- --- nC
È Corrente di fonte continua

 

VG=VD=0V, corrente della forza

--- --- 7,5 A
DOTTRINA Corrente di fonte pulsata --- --- 30 A
VSD Il diodo trasmette Voltage3 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1 V

rr

t

Tempo di recupero inverso VGS=0V, IS=1A, di/dt=100A/µs --- --- --- NS
Qrr Tassa inversa di recupero --- --- --- nC

 

Saldatura di riflusso

La scelta del metodo di riscaldamento può essere influenzata dal pacchetto di plastica di QFP). Se l'infrarosso o il riscaldamento di fase di vapore è usato ed il pacchetto non è assolutamente asciutto (meno di 0,1% tenore d'acqua a peso), la vaporizzazione della piccola quantità di umidità in loro può causare l'incrinamento del corpo di plastica. Il preriscaldamento è necessario da asciugare la pasta e da evaporare il legante. Durata di preriscaldamento: 45 minuti a 45 °C.

 

La saldatura di riflusso richiede la pasta della lega per saldatura (una sospensione delle particelle, del cambiamento continuo e del legante fini della lega per saldatura) per applicarsi al bordo del circuito stampato da stampa, dalla riproduzione con uno stampino o dalla pressione-siringa dello schermo dispensante prima della disposizione del pacchetto. Parecchi metodi esistono per reflowing; per esempio, convezione o convezione/riscaldamento infrarosso in un tipo forno del trasportatore. I tempi di lavorazione (preriscaldamento, saldante e raffreddantesi) variano fra 100 e 200 secondi secondo il metodo di riscaldamento.

 

Gamma di temperature tipica del picco di riflusso da 215 a °C 270 secondo il materiale della pasta della lega per saldatura. La superiore superficie

temperatura dei pacchetti se preferibile essere tenuto inferiore a °C 245 per densamente/grandi pacchetti (pacchetti con uno spessore

2,5 millimetri o con un volume pacchetti spessi di 350 millimetri cosiddetti/grandi). La temperatura della superiore superficie dei pacchetti se preferibile essere tenuto inferiore a °C 260 per pacchetti sottili/piccoli (pacchetti con uno spessore < 2="">

 

1' Ram della st sul tasso max3.0+/-2 /sec -
Preriscaldi 150 ~200 sec 60~180
2' Ram del ND su max3.0+/-2 /sec -
Giunto della lega per saldatura 217 qui sopra sec 60~150
Impiegati di punta 260 +0/-5 sec 20~40
Conficchi il tasso 6 /sec massimo -

Saldatura di Wave:

La saldatura singola convenzionale dell'onda non è raccomandata per i dispositivi di superficie (SMDs) del supporto o i bordi del circuito stampato con un'alta densità componente, poichè gettare un ponte e la non bagnatura della lega per saldatura possono presentare i problemi principali.

 

Saldatura del manuale:

Ripari la componente in primo luogo saldando due cavi diagonale-opposti dell'estremità. Usi un basso saldatoio di tensione (24 V o di meno) applicato alla parte piana del cavo. Il tempo del contatto deve essere limitato a 10 secondi a fino a 300 °C. Nel per mezzo di uno strumento dedicato, tutti i altri cavi possono essere saldati in un'operazione in 2 - 5 secondi fra 270 e 320 °C.

 

Dettagli di contatto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona di contatto: David

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