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Struttura di verticale del transistor di potenza del Mosfet di AP10H03S 10A 30V SOP-8

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
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Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

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Struttura di verticale del transistor di potenza del Mosfet di AP10H03S 10A 30V SOP-8

Struttura di verticale del transistor di potenza del Mosfet di AP10H03S 10A 30V SOP-8
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Grande immagine :  Struttura di verticale del transistor di potenza del Mosfet di AP10H03S 10A 30V SOP-8

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: AP10H03S
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: negoziazione
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Struttura di verticale del transistor di potenza del Mosfet di AP10H03S 10A 30V SOP-8

descrizione
Nome del prodotto: transistor di potenza del mosfet modello: AP10H03S
pacco: SOP-8 Segno: AAAA DI AP10H03S XXX
Tensione di VDSDrain-fonte: 30V Tensione del rce di VGSGate-Sou: ±20A
Evidenziare:

transistor del mosfet del canale di n

,

transistor ad alta tensione

Struttura di verticale del transistor di potenza del Mosfet di AP10H03S 10A 30V SOP-8

 

Descrizione del transistor di potenza del Mosfet:

 

Il AP10H03S è la fossa di rendimento elevato
MOSFETs N-ch con alta densità estrema delle cellule,
quale forniscono RDSON eccellente e gate la tassa
per la maggior parte di piccola commutazione di potenza e
applicazioni del commutatore del carico. Il raduno il RoHS e
Requisito del prodotto con affidabilità completa di funzione approvata.

 

Caratteristiche del transistor di potenza del Mosfet

 

VDS = 30V IDENTIFICAZIONE = 10A
RDS (SOPRA) < 12m=""> RDS (SOPRA) < 16="">

 

Applicazione del transistor di potenza del Mosfet

 

Protezione della batteria
Commutatore del carico
Gruppo di continuità

 

Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione

 

Identificazione del prodotto Pacchetto Segno Qty (PCS)
AP10H03S SOP-8 AAAA DI AP10H03S XXX 3000

 

Valutazioni massime assolute (TA=25℃UNLESS OTHERWISE NOTED)

 

 

Simbolo Parametro Valutazione Unità
VDS Tensione di Scolo-fonte 30 V
VGS Tensione di Portone-fonte ±20 V
ID@TC =25℃ Corrente continua dello scolo, V GS @ 10V 1 10 A
℃ di ID@TC =100 Corrente continua dello scolo, V GS @ 10V 1 8,2 A
ID@TA =25℃ Corrente continua dello scolo, VGS @ 10V1 9,5 A
ID@TA =70℃ Corrente continua dello scolo, V GS @ 10V 1 7,6 A
IDM Scolo pulsato Current2 75 A
EAS Singola energia 3 della valanga di impulso 24,2 mJ
IAS Corrente della valanga 22 A
℃ di PD@TC =25 Potere totale Dissipation4 26 W
℃ di PD@TA =25 Potere totale Dissipation4 1,67 W
TSTG Gamma di temperature di stoccaggio -55 - 150
TJ Gamma di temperature di funzionamento della giunzione -55 - 150
RθJA Resistenza termica 1 Giunzione-ambientale 75 ℃/W
RθJC Giunzione-caso 1 di resistenza termica 4,8 ℃/W

 

Caratteristiche elettriche (di TJ =25, salvo indicazione contraria)

 

Simbolo Parametro Circostanze Min. Tipo. Massimo. Unità
BVDSS Tensione di ripartizione di Scolo-fonte VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
△BVDSS/T J Coefficiente di temperatura di BVDSS Riferimento a 25℃, ID=1mA --- 0,023 --- V/℃
RDS (SOPRA) Su resistenza statica di Scolo-fonte VGS=10V, I D=15A --- --- 12

 

VGS=4.5V, I D=10A --- --- 16,5
VGS (Th) Tensione della soglia del portone

 

VGS=VDS, IDENTIFICAZIONE =250UA

1,0 --- 2,5 V
△VGS (Th) Coefficiente di temperatura di VGS (Th) --- -5,08 --- mV/℃

 

IDSS

 

Corrente di perdita di Scolo-fonte

VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1

 

uA

VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
IGSS Corrente di perdita di Portone-fonte VGS=±20V, V DS=0V --- --- ±100 Na
gfs Transconduttanza di andata VDS=5V, ID=15A --- 24,4 --- S
Rg Resistenza del portone VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1,8 --- Ω
Qg Tassa totale del portone (4.5V) VDS=15V, VGS=4.5V, ID=12A --- 9,82 ---  
Qgs Tassa di Portone-fonte --- 2,24 ---
Qgd Tassa dello Portone-scolo --- 5,54 ---
Il TD (sopra) Tempo di ritardo d'apertura VDD=15V, VGS=10V, RG=1.5
ID=20A
--- 6,4 ---  
TR Tempo di aumento --- 39 ---
Il TD (fuori) Tempo di ritardo di giro-Fuori --- 21 ---
Tf Tempo di caduta --- 4,7 ---
Ciss Capacità dell'input VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 896 ---  
Coss Capacità di uscita --- 126 ---
Crss Capacità inversa di trasferimento --- 108 ---
È Corrente di fonte continua 1,5

 

VG=VD=0V, corrente della forza

--- --- 37 A
DOTTRINA Fonte pulsata Current2,5 --- --- 75 A
VSD Il diodo trasmette Voltage2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1 V
Simbolo Parametro Circostanze Min. Tipo. Massimo. Unità
BVDSS Tensione di ripartizione di Scolo-fonte VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
△BVDSS/T J Coefficiente di temperatura di BVDSS Riferimento a 25℃, ID=1mA --- 0,023 --- V/℃
RDS (SOPRA) Su resistenza statica di Scolo-fonte VGS=10V, I D=15A --- --- 12

 

VGS=4.5V, I D=10A --- --- 16,5
VGS (Th) Tensione della soglia del portone

 

VGS=VDS, IDENTIFICAZIONE =250UA

1,0 --- 2,5 V
△VGS (Th) Coefficiente di temperatura di VGS (Th) --- -5,08 --- mV/℃

 

IDSS

 

Corrente di perdita di Scolo-fonte

VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1

 

uA

VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
IGSS Corrente di perdita di Portone-fonte VGS=±20V, V DS=0V --- --- ±100 Na
gfs Transconduttanza di andata VDS=5V, ID=15A --- 24,4 --- S
Rg Resistenza del portone VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1,8 --- Ω
Qg Tassa totale del portone (4.5V)   --- 9,82 ---  
Qgs Tassa di Portone-fonte --- 2,24 ---
Qgd Tassa dello Portone-scolo --- 5,54 ---
Il TD (sopra) Tempo di ritardo d'apertura   --- 6,4 ---  
TR Tempo di aumento --- 39 ---
Il TD (fuori) Tempo di ritardo di giro-Fuori --- 21 ---
Tf Tempo di caduta --- 4,7 ---
Ciss Capacità dell'input   --- 896 ---  
Coss Capacità di uscita --- 126 ---
Crss Capacità inversa di trasferimento --- 108 ---
È Corrente di fonte continua 1,5

 

VG=VD=0V, corrente della forza

--- --- 37 A
DOTTRINA Fonte pulsata Current2,5 --- --- 75 A
VSD Il diodo trasmette Voltage2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1 V

 

Nota:

1. I dati hanno provato da superficie montata su un bordo a 1 pollici FR-4 con rame 2OZ.

2. I dati hanno provato tramite pulsato, ≦ 300us, il duty cycle ≦2% di larghezza di impulso

3 . I dati di EAS mostrano la valutazione massima. La condizione di prova è VDD=25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS=22A

4. La dissipazione di potere è limitata dalla temperatura di giunzione 175℃

5. I dati sono teoricamente lo stesso come la I D e IDM, nelle applicazioni reali, dovrebbe essere limitata dalla dissipazione di potere totale.

 

Attenzione

 

1, qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui non hanno specifiche che possano trattare le applicazioni che richiedono estremamente gli alti livelli dell'affidabilità, quali i sistemi di sopravvivenza, i sistemi di controllo dell'aereo, o altre applicazioni di cui il guasto può ragionevolmente essere preveduto per provocare il danno fisico e/o materiale serio. Consultivi con il vostro più vicino rappresentativo della microelettronica di APM prima di usando qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui in tali applicazioni.

2, la microelettronica di APM non assumono la responsabilità dei guasti di attrezzatura che derivano dal usando i prodotti ai valori che superano anche momentaneamente, i valori nominali (quali le valutazioni massime, la condizione di gestione varia, o altri parametri) elencati nelle specifiche di prodotti di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui.

3, specifiche di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM hanno descritto o contenuto qui il instipulate la prestazione, le caratteristiche e le funzioni dei prodotti descritti nello stato indipendente e non sono garanzie della prestazione, delle caratteristiche e delle funzioni dei prodotti descritti come montato in prodotti o attrezzature del cliente. Per verificare i sintomi e gli stati che non possono essere valutati in un dispositivo indipendente, il cliente dovrebbe esaminare e collaudare sempre i dispositivi montati in prodotti o attrezzature del cliente.

4, semiconduttore CO., srl della microelettronica di APM si sforzano di fornire gli alti prodotti dell'affidabilità di alta qualità. Tuttavia, qualsiasi prodotti a semiconduttori si guastano con una certa probabilità. È possibile che questi guasti probabilistici potrebbero provocare gli incidenti o gli eventi che potrebbero mettere in pericolo vite umane che potrebbero provocare il fumo o il fuoco, o che potrebbero danneggiare l'altra proprietà. L'attrezzatura di Whendesigning, adotta le misure di sicurezza in moda da non potere accadere questi generi di incidenti o di eventi. Tali misure includono ma non sono limitate ai circuiti di protezione ed ai circuiti di prevenzione degli errori per progettazione sicura, progettazione ridondante e progettazione strutturale.

5, nel caso in cui qualsiasi prodotti della microelettronica di APM (dati tecnici compresi, servizi) descritti o contenuti qui siano controllati sotto c'è ne delle leggi e dei regolamenti di controllo delle esportazioni locali applicabili, tali prodotti non devono essere esportati senza ottenere la licenza di esportazione dalle autorità responsabili conformemente alla legge di cui sopra.

6, nessuna parte di questa pubblicazione possono essere riprodotti o trasmessi in tutta la forma o con qualsiasi mezzo, elettronico o meccanico, compreso la fotocopiatura e la registrazione, o qualunque sistema di ricerca dell'informazione o di memorizzazione dei dati, o altrimenti, senza il permesso scritto priore del semiconduttore CO. della microelettronica di APM, srl.

7, informazioni (schemi circuitali compresi e parametri del circuito) qui sono soltanto per esempio; non è garantito per produzione in volume. La microelettronica di APM crede che le informazioni qui siano accurate ed affidabili, ma nessuna garanzia è fatta o implicata per quanto riguarda il suo uso o tutte le infrazioni dei diritti di proprietà intellettuale o di altri diritti dei terzi.

8, qualsiasi informazioni descritti o contenuti qui sono conforme a cambiamento senza preavviso dovuto il prodotto/il miglioramento della tecnologia, ecc. Nel progettare l'attrezzatura, riferisca «alla specificazione della consegna» per il prodotto della microelettronica di APM che intendete usare.

 

Dettagli di contatto
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