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Alta frequenza del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di AP10H06S N

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
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Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

—— — — Jason dal Canada

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Alta frequenza del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di AP10H06S N

Alta frequenza del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di AP10H06S N
Alta frequenza del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di AP10H06S N Alta frequenza del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di AP10H06S N Alta frequenza del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di AP10H06S N

Grande immagine :  Alta frequenza del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di AP10H06S N

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: AP10H06S
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: negoziazione
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Alta frequenza del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di AP10H06S N

descrizione
Nome di prodotto: Transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di N modello: AP10H06S
Pacchetto: SOP-8 Segno: AP10H06S
Tensione di VDSDrain-fonte: 60V Tensione del rce di VGSGate-Sou: ±20A
Evidenziare:

transistor del mosfet del canale di n

,

transistor ad alta tensione

Alta frequenza del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di AP10H06S N

 

Tipi del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di N

 

All'interno dell'arena globale dei MOSFETs di potere, ci sono una serie di tecnologie specifiche che sono state sviluppate ed indirizzato state dai produttori differenti. Usano una serie di tecniche differenti che permettono ai MOSFETs di potere di portare la corrente e di trattare più efficientemente i livelli di potere. Come già citato comprendono spesso una forma di verticale strutturi

I tipi differenti di MOSFET di potere hanno attributi differenti e quindi possono essere adatti specialmente per le applicazioni date.

  • MOSFET planare di potere: Ciò è la forma di base di MOSFET di potere. È buono per le valutazioni ad alta tensione perché SOPRA la resistenza è dominata dalla resistenza di epi-strato. Questa struttura è usata generalmente quando un'alta densità delle cellule non è necessaria.
  • VMOS: I MOSFETs di potere di VMOS sono stati disponibili per molti anni. Il concetto di base usa una struttura della scanalatura di V per permettere ad un flusso più verticale della corrente, quindi fornendo più in basso sui livelli di resistenza e sulle migliori caratteristiche di commutazione. Sebbene usato per commutazione di potenza, possano anche essere usati per i piccoli amplificatori di potenza ad alta frequenza di rf.
  • UMOS: La versione di UMOS del MOSFET di potere usa un boschetto simile a quello il FET di VMOS. Tuttavia il boschetto ha un fondo più piano a e fornisce alcuni vantaggi differenti.
  • HEXFET: Questa forma di MOSFET di potere usa una struttura esagonale per fornire la capacità corrente.
  • TrenchMOS: Il MOSFET di potere di TrenchMOS utilizza ancora un simile boschetto o fossa di base nel silicio di base per fornire la capacità e le caratteristiche meglio di trattamento. In particolare, i MOSFETs di potere della fossa pricipalmente sono utilizzati per le tensioni superiore a 200 volt a causa della loro densità del canale e quindi del loro più basso sulla resistenza.

 

Caratteristiche del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di N

 

VDS = 60V IDENTIFICAZIONE =10A
RDS (SOPRA) < 20m="">

 

Applicazione del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di N

 

Protezione della batteria
Commutatore del carico
Gruppo di continuità

 

Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione

 

Identificazione del prodotto Pacchetto Segno Qty (PCS)
AP10H06S SOP-8 AP10H06S 3000

 

Valutazioni massime assolute (TC=25℃UNLESS OTHERWISE NOTED)

 

Parametro Simbolo Limite Unità
Tensione di Scolo-fonte VDS 60 V
Tensione di Portone-fonte VGS ±20 V
Vuoti Corrente-continuo Identificazione 10 A
Vuoti Corrente-continuo (℃ TC=100) Identificazione (℃ 100) 5,6 A
Corrente pulsata dello scolo IDM 32 A
Dissipazione di potere massima Palladio 2,1 W
Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione T J, T STG -55 - 150
Resistenza termica, Giunzione--ambientale (nota 2) RθJA 60 ℃/W

 

Caratteristiche elettriche (TC=25℃UNLESS OTHERWISE NOTED)

 

Parametro Simbolo Circostanza Min Tipo Massimo Unità
Tensione di ripartizione di Scolo-fonte LA BV DSS V GS=0V ID=250μA 60   - V
Corrente zero dello scolo di tensione del portone IDSS V DS=60V, V GS=0V - - 1 μA
Corrente di perdita del Portone-corpo IGSS V GS=±20V, VDS=0V - - ±100 Na
Tensione della soglia del portone V GS (Th) V DS=V GS, μA ID=250 1,0 1,6 2,2 V

 

Resistenza dello Su stato di Scolo-fonte

 

RDS (SOPRA)

V GS=10V, ID=8A - 15,6 20 mΩ
V GS=4.5V, ID=8A - 20 28 mΩ
Transconduttanza di andata gFS V DS=5V, ID=8A 18 - - S
Capacità dell'input Clss

 

V DS=30V, V GS=0V, F=1.0MHz

- 1600 - PF
Capacità di uscita Coss - 112 - PF
Capacità inversa di trasferimento Crss - 98 - PF
Tempo di ritardo d'apertura il TD (sopra)   - 7 - NS
Tempo di aumento d'apertura

r

t

- 5,5 - NS
Tempo di ritardo di giro-Fuori il TD (fuori) - 29 - NS
Tempo di caduta di giro-Fuori

f

t

- 4,5 - NS
Tassa totale del portone Qg

 

V DS=30V, ID=8A, V GS=10V

- 38,5 - nC
Tassa di Portone-fonte Qgs - 4,7 - nC
Tassa dello Portone-scolo Qgd - 10,3 - nC
Tensione di andata del diodo (nota 3) V DEVIAZIONE STANDARD V GS=0V, IS=8A - - 1,2 V
Corrente di andata del diodo (nota 2) È - - - 8 A
Tempo di recupero inverso

rr

t

TJ = 25°C, SE =8A

μs di/dt = 100A/

- 28 - NS
Tassa inversa di recupero Qrr - 40 - nC
Parametro Simbolo Circostanza Min Tipo Massimo Unità
Tensione di ripartizione di Scolo-fonte LA BV DSS V GS=0V ID=250μA 60   - V
Corrente zero dello scolo di tensione del portone IDSS V DS=60V, V GS=0V - - 1 μA
Corrente di perdita del Portone-corpo IGSS V GS=±20V, VDS=0V - - ±100 Na
Tensione della soglia del portone V GS (Th) V DS=V GS, μA ID=250 1,0 1,6 2,2 V

 

Resistenza dello Su stato di Scolo-fonte

 

RDS (SOPRA)

V GS=10V, ID=8A - 15,6 20 mΩ
V GS=4.5V, ID=8A - 20 28 mΩ
Transconduttanza di andata gFS V DS=5V, ID=8A 18 - - S
Capacità dell'input Clss

 

V DS=30V, V GS=0V, F=1.0MHz

- 1600 - PF
Capacità di uscita Coss - 112 - PF
Capacità inversa di trasferimento Crss - 98 - PF
Tempo di ritardo d'apertura il TD (sopra)   - 7 - NS
Tempo di aumento d'apertura

r

t

- 5,5 - NS
Tempo di ritardo di giro-Fuori il TD (fuori) - 29 - NS
Tempo di caduta di giro-Fuori

f

t

- 4,5 - NS
Tassa totale del portone Qg

 

V DS=30V, ID=8A, V GS=10V

- 38,5 - nC
Tassa di Portone-fonte Qgs - 4,7 - nC
Tassa dello Portone-scolo Qgd - 10,3 - nC
Tensione di andata del diodo (nota 3) V DEVIAZIONE STANDARD V GS=0V, IS=8A - - 1,2 V
Corrente di andata del diodo (nota 2) È - - - 8 A
Tempo di recupero inverso

rr

t

TJ = 25°C, SE =8A

μs di/dt = 100A/

- 28 - NS
Tassa inversa di recupero Qrr - 40 - nC

 

Nota

 

1. valutazione ripetitiva: Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima.

2. superficie montata FR4 sul bordo, sec del ≤ 10 di t.

3. Prova di impulso: Μs del ≤ 300 di larghezza di impulso, ≤ 2% del duty cycle.

4. Garantito da progettazione, non conforme a produzione

 

Attenzione

 

1, qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui non hanno specifiche che possano trattare le applicazioni che richiedono estremamente gli alti livelli dell'affidabilità, quali i sistemi di sopravvivenza, i sistemi di controllo dell'aereo, o altre applicazioni di cui il guasto può ragionevolmente essere preveduto per provocare il danno fisico e/o materiale serio. Consultivi con il vostro più vicino rappresentativo della microelettronica di APM prima di usando qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui in tali applicazioni.

2, la microelettronica di APM non assumono la responsabilità dei guasti di attrezzatura che derivano dal usando i prodotti ai valori che superano anche momentaneamente, i valori nominali (quali le valutazioni massime, la condizione di gestione varia, o altri parametri) elencati nelle specifiche di prodotti di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui.

3, specifiche di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM hanno descritto o contenuto qui il instipulate la prestazione, le caratteristiche e le funzioni dei prodotti descritti nello stato indipendente e non sono garanzie della prestazione, delle caratteristiche e delle funzioni dei prodotti descritti come montato in prodotti o attrezzature del cliente. Per verificare i sintomi e gli stati che non possono essere valutati in un dispositivo indipendente, il cliente dovrebbe esaminare e collaudare sempre i dispositivi montati in prodotti o attrezzature del cliente.

4, semiconduttore CO., srl della microelettronica di APM si sforzano di fornire gli alti prodotti dell'affidabilità di alta qualità. Tuttavia, qualsiasi prodotti a semiconduttori si guastano con una certa probabilità. È possibile che questi guasti probabilistici potrebbero provocare gli incidenti o gli eventi che potrebbero mettere in pericolo vite umane che potrebbero provocare il fumo o il fuoco, o che potrebbero danneggiare l'altra proprietà. L'attrezzatura di Whendesigning, adotta le misure di sicurezza in moda da non potere accadere questi generi di incidenti o di eventi. Tali misure includono ma non sono limitate ai circuiti di protezione ed ai circuiti di prevenzione degli errori per progettazione sicura, progettazione ridondante e progettazione strutturale.

5, nel caso in cui qualsiasi prodotti della microelettronica di APM (dati tecnici compresi, servizi) descritti o contenuti qui siano controllati sotto c'è ne delle leggi e dei regolamenti di controllo delle esportazioni locali applicabili, tali prodotti non devono essere esportati senza ottenere la licenza di esportazione dalle autorità responsabili conformemente alla legge di cui sopra.

6, nessuna parte di questa pubblicazione possono essere riprodotti o trasmessi in tutta la forma o con qualsiasi mezzo, elettronico o meccanico, compreso la fotocopiatura e la registrazione, o qualunque sistema di ricerca dell'informazione o di memorizzazione dei dati, o altrimenti, senza il permesso scritto priore del semiconduttore CO. della microelettronica di APM, srl.

Dettagli di contatto
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