Dettagli:
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Nome di prodotto: | Transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di N | modello: | AP10H06S |
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Pacchetto: | SOP-8 | Segno: | AP10H06S |
Tensione di VDSDrain-fonte: | 60V | Tensione del rce di VGSGate-Sou: | ±20A |
Evidenziare: | transistor del mosfet del canale di n,transistor ad alta tensione |
Alta frequenza del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di AP10H06S N
Tipi del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di N
All'interno dell'arena globale dei MOSFETs di potere, ci sono una serie di tecnologie specifiche che sono state sviluppate ed indirizzato state dai produttori differenti. Usano una serie di tecniche differenti che permettono ai MOSFETs di potere di portare la corrente e di trattare più efficientemente i livelli di potere. Come già citato comprendono spesso una forma di verticale strutturi
I tipi differenti di MOSFET di potere hanno attributi differenti e quindi possono essere adatti specialmente per le applicazioni date.
Caratteristiche del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di N
VDS = 60V IDENTIFICAZIONE =10A
RDS (SOPRA) < 20m="">
Applicazione del transistor di effetto del giacimento del MOS di Manica di N
Protezione della batteria
Commutatore del carico
Gruppo di continuità
Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione
Identificazione del prodotto | Pacchetto | Segno | Qty (PCS) |
AP10H06S | SOP-8 | AP10H06S | 3000 |
Valutazioni massime assolute (TC=25℃UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parametro | Simbolo | Limite | Unità |
Tensione di Scolo-fonte | VDS | 60 | V |
Tensione di Portone-fonte | VGS | ±20 | V |
Vuoti Corrente-continuo | Identificazione | 10 | A |
Vuoti Corrente-continuo (℃ TC=100) | Identificazione (℃ 100) | 5,6 | A |
Corrente pulsata dello scolo | IDM | 32 | A |
Dissipazione di potere massima | Palladio | 2,1 | W |
Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione | T J, T STG | -55 - 150 | ℃ |
Resistenza termica, Giunzione--ambientale (nota 2) | RθJA | 60 | ℃/W |
Caratteristiche elettriche (TC=25℃UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parametro | Simbolo | Circostanza | Min | Tipo | Massimo | Unità |
Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | LA BV DSS | V GS=0V ID=250μA | 60 | - | V | |
Corrente zero dello scolo di tensione del portone | IDSS | V DS=60V, V GS=0V | - | - | 1 | μA |
Corrente di perdita del Portone-corpo | IGSS | V GS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
Tensione della soglia del portone | V GS (Th) | V DS=V GS, μA ID=250 | 1,0 | 1,6 | 2,2 | V |
Resistenza dello Su stato di Scolo-fonte |
RDS (SOPRA) |
V GS=10V, ID=8A | - | 15,6 | 20 | mΩ |
V GS=4.5V, ID=8A | - | 20 | 28 | mΩ | ||
Transconduttanza di andata | gFS | V DS=5V, ID=8A | 18 | - | - | S |
Capacità dell'input | Clss |
V DS=30V, V GS=0V, F=1.0MHz |
- | 1600 | - | PF |
Capacità di uscita | Coss | - | 112 | - | PF | |
Capacità inversa di trasferimento | Crss | - | 98 | - | PF | |
Tempo di ritardo d'apertura | il TD (sopra) | - | 7 | - | NS | |
Tempo di aumento d'apertura |
r t |
- | 5,5 | - | NS | |
Tempo di ritardo di giro-Fuori | il TD (fuori) | - | 29 | - | NS | |
Tempo di caduta di giro-Fuori |
f t |
- | 4,5 | - | NS | |
Tassa totale del portone | Qg |
V DS=30V, ID=8A, V GS=10V |
- | 38,5 | - | nC |
Tassa di Portone-fonte | Qgs | - | 4,7 | - | nC | |
Tassa dello Portone-scolo | Qgd | - | 10,3 | - | nC | |
Tensione di andata del diodo (nota 3) | V DEVIAZIONE STANDARD | V GS=0V, IS=8A | - | - | 1,2 | V |
Corrente di andata del diodo (nota 2) | È | - | - | - | 8 | A |
Tempo di recupero inverso |
rr t |
TJ = 25°C, SE =8A μs di/dt = 100A/ |
- | 28 | - | NS |
Tassa inversa di recupero | Qrr | - | 40 | - | nC |
Parametro | Simbolo | Circostanza | Min | Tipo | Massimo | Unità |
Tensione di ripartizione di Scolo-fonte | LA BV DSS | V GS=0V ID=250μA | 60 | - | V | |
Corrente zero dello scolo di tensione del portone | IDSS | V DS=60V, V GS=0V | - | - | 1 | μA |
Corrente di perdita del Portone-corpo | IGSS | V GS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
Tensione della soglia del portone | V GS (Th) | V DS=V GS, μA ID=250 | 1,0 | 1,6 | 2,2 | V |
Resistenza dello Su stato di Scolo-fonte |
RDS (SOPRA) |
V GS=10V, ID=8A | - | 15,6 | 20 | mΩ |
V GS=4.5V, ID=8A | - | 20 | 28 | mΩ | ||
Transconduttanza di andata | gFS | V DS=5V, ID=8A | 18 | - | - | S |
Capacità dell'input | Clss |
V DS=30V, V GS=0V, F=1.0MHz |
- | 1600 | - | PF |
Capacità di uscita | Coss | - | 112 | - | PF | |
Capacità inversa di trasferimento | Crss | - | 98 | - | PF | |
Tempo di ritardo d'apertura | il TD (sopra) | - | 7 | - | NS | |
Tempo di aumento d'apertura |
r t |
- | 5,5 | - | NS | |
Tempo di ritardo di giro-Fuori | il TD (fuori) | - | 29 | - | NS | |
Tempo di caduta di giro-Fuori |
f t |
- | 4,5 | - | NS | |
Tassa totale del portone | Qg |
V DS=30V, ID=8A, V GS=10V |
- | 38,5 | - | nC |
Tassa di Portone-fonte | Qgs | - | 4,7 | - | nC | |
Tassa dello Portone-scolo | Qgd | - | 10,3 | - | nC | |
Tensione di andata del diodo (nota 3) | V DEVIAZIONE STANDARD | V GS=0V, IS=8A | - | - | 1,2 | V |
Corrente di andata del diodo (nota 2) | È | - | - | - | 8 | A |
Tempo di recupero inverso |
rr t |
TJ = 25°C, SE =8A μs di/dt = 100A/ |
- | 28 | - | NS |
Tassa inversa di recupero | Qrr | - | 40 | - | nC |
Nota
1. valutazione ripetitiva: Larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima.
2. superficie montata FR4 sul bordo, sec del ≤ 10 di t.
3. Prova di impulso: Μs del ≤ 300 di larghezza di impulso, ≤ 2% del duty cycle.
4. Garantito da progettazione, non conforme a produzione
Attenzione
1, qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui non hanno specifiche che possano trattare le applicazioni che richiedono estremamente gli alti livelli dell'affidabilità, quali i sistemi di sopravvivenza, i sistemi di controllo dell'aereo, o altre applicazioni di cui il guasto può ragionevolmente essere preveduto per provocare il danno fisico e/o materiale serio. Consultivi con il vostro più vicino rappresentativo della microelettronica di APM prima di usando qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui in tali applicazioni.
2, la microelettronica di APM non assumono la responsabilità dei guasti di attrezzatura che derivano dal usando i prodotti ai valori che superano anche momentaneamente, i valori nominali (quali le valutazioni massime, la condizione di gestione varia, o altri parametri) elencati nelle specifiche di prodotti di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui.
3, specifiche di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM hanno descritto o contenuto qui il instipulate la prestazione, le caratteristiche e le funzioni dei prodotti descritti nello stato indipendente e non sono garanzie della prestazione, delle caratteristiche e delle funzioni dei prodotti descritti come montato in prodotti o attrezzature del cliente. Per verificare i sintomi e gli stati che non possono essere valutati in un dispositivo indipendente, il cliente dovrebbe esaminare e collaudare sempre i dispositivi montati in prodotti o attrezzature del cliente.
4, semiconduttore CO., srl della microelettronica di APM si sforzano di fornire gli alti prodotti dell'affidabilità di alta qualità. Tuttavia, qualsiasi prodotti a semiconduttori si guastano con una certa probabilità. È possibile che questi guasti probabilistici potrebbero provocare gli incidenti o gli eventi che potrebbero mettere in pericolo vite umane che potrebbero provocare il fumo o il fuoco, o che potrebbero danneggiare l'altra proprietà. L'attrezzatura di Whendesigning, adotta le misure di sicurezza in moda da non potere accadere questi generi di incidenti o di eventi. Tali misure includono ma non sono limitate ai circuiti di protezione ed ai circuiti di prevenzione degli errori per progettazione sicura, progettazione ridondante e progettazione strutturale.
5, nel caso in cui qualsiasi prodotti della microelettronica di APM (dati tecnici compresi, servizi) descritti o contenuti qui siano controllati sotto c'è ne delle leggi e dei regolamenti di controllo delle esportazioni locali applicabili, tali prodotti non devono essere esportati senza ottenere la licenza di esportazione dalle autorità responsabili conformemente alla legge di cui sopra.
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Persona di contatto: David