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Commutatore del Mosfet di logica del transistor di effetto del giacimento del MOS di AP15N10S/15A 100V

Certificazione
Porcellana Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificazioni
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Rassegne del cliente
la cooperazione con Hua Xuan Yang siamo in gran parte dovuto la loro professionalità, la loro risposta entusiasta alla personalizzazione dei prodotti che abbiamo bisogno di, lo stabilimento di tutti i nostri bisogni e, soprattutto, provision dei servizi di qualità.

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Commutatore del Mosfet di logica del transistor di effetto del giacimento del MOS di AP15N10S/15A 100V

Commutatore del Mosfet di logica del transistor di effetto del giacimento del MOS di AP15N10S/15A 100V
Commutatore del Mosfet di logica del transistor di effetto del giacimento del MOS di AP15N10S/15A 100V Commutatore del Mosfet di logica del transistor di effetto del giacimento del MOS di AP15N10S/15A 100V Commutatore del Mosfet di logica del transistor di effetto del giacimento del MOS di AP15N10S/15A 100V

Grande immagine :  Commutatore del Mosfet di logica del transistor di effetto del giacimento del MOS di AP15N10S/15A 100V

Dettagli:
Luogo di origine: Shenzhen Cina
Marca: Hua Xuan Yang
Certificazione: RoHS、SGS
Numero di modello: AP15N10S
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: negoziazione
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Inscatolato
Tempi di consegna: 1 - 2 settimane
Termini di pagamento: L/C T/T Western Union
Capacità di alimentazione: 18,000,000PCS/al giorno

Commutatore del Mosfet di logica del transistor di effetto del giacimento del MOS di AP15N10S/15A 100V

descrizione
Nome di prodotto: Transistor di effetto del giacimento del MOS modello: AP15N10S
Pacchetto: SOP-8 Segno: AAAA DI AP15N10S XXX
Tensione di VDSDrain-fonte: 100V Tensione del rce di VGSGate-Sou: ±20V

Commutatore del Mosfet di logica del transistor di effetto del giacimento del MOS di AP15N10S/15A 100V

 

Introduzione del transistor di effetto del giacimento del MOS

 

I MOSFETs di potere sono utilizzati normalmente nelle applicazioni dove le tensioni non superano circa 200 volt. Le più alte tensioni non sono così facilmente realizzabili. Dove i MOSFETs di potere sono utilizzati, è il loro minimo sulla resistenza che è particolarmente attraente. Ciò riduce la dissipazione di potere che riduce il costo e gradua meno lavoro in metallo secondo la misura e raffreddarsi è richiesto. Inoltre il minimo sulla resistenza significa che i livelli di efficienza possono essere mantenuti ad un di più alto livello

 

Caratteristiche del transistor di effetto del giacimento del MOS

 

VDS = 100V IDENTIFICAZIONE =15A
RDS (SOPRA) < 120m="">

 

Applicazione del transistor di effetto del giacimento del MOS

 

VDS = 100V IDENTIFICAZIONE =15A
RDS (SOPRA) < 120m="">

 

Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione

 

Identificazione del prodotto Pacchetto Segno Qty (PCS)
AP15N10S SOP-8 AAAA DI AP15N10S XXX 3000

 

Valutazioni massime assolute (TC=25℃ salvo indicazione contraria)

 

Simbolo Parametro Valutazione Unità
VDS Tensione di Scolo-fonte 100 V
VGS Tensione del rce del portone-Sou ±20 V
ID@TA =25℃ Corrente continua dello scolo, V GS @ 10V 1 15 A
ID@TA =70℃ Corrente continua dello scolo, V GS @ 10V 1 7 A
IDM Scolo pulsato Current2 30 A
EAS Singola energia 3 della valanga di impulso 6,1 mJ
IAS Corrente della valanga 11 A
℃ di PD@TA =25 Potere totale Dissipation3 1,5 W
TSTG Gamma di temperature di stoccaggio -55 - 150
TJ Gamma di temperature di funzionamento della giunzione -55 - 150
RθJA Resistenza termica 1 Giunzione-ambientale 85 ℃/W
RθJC Giunzione-caso 1 di resistenza termica 36 ℃/W

 

Caratteristiche elettriche (di TJ =25, salvo indicazione contraria

 

 

Simbolo Parametro Circostanze Min. Tipo. Massimo. Unità
BVDSS Tensione di ripartizione di Scolo-fonte VGS=0V, ID=250uA 100 --- --- V
△ BVDSS/△TJ Coefficiente di temperatura di BVDSS Riferimento a 25℃, ID=1mA --- 0,098 --- V/℃

 

RDS (SOPRA)

 

Su resistenza statica di Scolo-fonte

VGS=10V, I D=2A --- 90 112
VGS=4.5V, ID=1A --- 95 120
VGS (Th) Tensione della soglia del portone   1,0 1,5 2,5 V
           
△VGS (Th) Coefficiente di temperatura di VGS (Th)   --- -4,57 --- mV/℃

 

IDSS

 

Corrente di perdita di Scolo-fonte

VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 10

 

uA

VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 100
IGSS Corrente di perdita di Portone-fonte VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 Na
gfs Transconduttanza di andata VDS=5V, ID=2A --- 12 --- S
Rg Resistenza del portone VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 2 4  
Qg Tassa totale del portone (10V)   --- 19,5 ---  
Qgs Tassa di Portone-fonte --- 3,2 ---
Qgd Tassa dello Portone-scolo --- 3,6 ---
Il TD (sopra) Tempo di ritardo d'apertura

 

VDD=50V, VGS=10V,

--- 16,2 ---  
TR Tempo di aumento --- 3 ---
Il TD (fuori) Tempo di ritardo di giro-Fuori --- 44 ---
Tf Tempo di caduta --- 2,6 ---
Ciss Capacità dell'input   --- 1535 ---  
Coss Capacità di uscita --- 60 ---
Crss Capacità inversa di trasferimento --- 37,4 ---
È Corrente di fonte continua 1,5

 

VG=VD=0V, corrente della forza

--- --- 4 A
DOTTRINA Corrente di fonte pulsata 2,5 --- --- 8 A
VSD Il diodo trasmette Voltage2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1,2 V
Simbolo Parametro Circostanze Min. Tipo. Massimo. Unità
BVDSS Tensione di ripartizione di Scolo-fonte VGS=0V, ID=250uA 100 --- --- V
△ BVDSS/△TJ Coefficiente di temperatura di BVDSS Riferimento a 25℃, ID=1mA --- 0,098 --- V/℃

 

RDS (SOPRA)

 

Su resistenza statica di Scolo-fonte

VGS=10V, I D=2A --- 90 112
VGS=4.5V, ID=1A --- 95 120
VGS (Th) Tensione della soglia del portone   1,0 1,5 2,5 V
           
△VGS (Th) Coefficiente di temperatura di VGS (Th)   --- -4,57 --- mV/℃

 

IDSS

 

Corrente di perdita di Scolo-fonte

VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 10

 

uA

VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 100
IGSS Corrente di perdita di Portone-fonte VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 Na
gfs Transconduttanza di andata VDS=5V, ID=2A --- 12 --- S
Rg Resistenza del portone VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 2 4  
Qg Tassa totale del portone (10V)   --- 19,5 ---  
Qgs Tassa di Portone-fonte --- 3,2 ---
Qgd Tassa dello Portone-scolo --- 3,6 ---
Il TD (sopra) Tempo di ritardo d'apertura

 

VDD=50V, VGS=10V,

--- 16,2 ---  
TR Tempo di aumento --- 3 ---
Il TD (fuori) Tempo di ritardo di giro-Fuori --- 44 ---
Tf Tempo di caduta --- 2,6 ---
Ciss Capacità dell'input   --- 1535 ---  
Coss Capacità di uscita --- 60 ---
Crss Capacità inversa di trasferimento --- 37,4 ---
È Corrente di fonte continua 1,5

 

VG=VD=0V, corrente della forza

--- --- 4 A
DOTTRINA Corrente di fonte pulsata 2,5 --- --- 8 A
VSD Il diodo trasmette Voltage2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1,2 V

 

Nota:

 

i dati 1.The hanno provato da superficie montata su un 1 bordo di inch2 FR-4 con rame 2OZ.

i dati 2.The hanno provato tramite pulsato, ≦ 300us, il ≦ 2% di larghezza di impulso del duty cycle

i dati di 3.The EAS mostrano la valutazione massima. La condizione di prova è VDD=25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS=11A

la dissipazione di potere 4.The è limitata dalla temperatura di giunzione 175℃

i dati 5.The sono teoricamente lo stesso come l'identificazione e IDM, nelle applicazioni reali, dovrebbero essere limitati dalla dissipazione di potere totale

 

Attenzione

 

1, qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui non hanno specifiche che possano trattare le applicazioni che richiedono estremamente gli alti livelli dell'affidabilità, quali i sistemi di sopravvivenza, i sistemi di controllo dell'aereo, o altre applicazioni di cui il guasto può ragionevolmente essere preveduto per provocare il danno fisico e/o materiale serio. Consultivi con il vostro più vicino rappresentativo della microelettronica di APM prima di usando qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui in tali applicazioni.

2, la microelettronica di APM non assumono la responsabilità dei guasti di attrezzatura che derivano dal usando i prodotti ai valori che superano anche momentaneamente, i valori nominali (quali le valutazioni massime, la condizione di gestione varia, o altri parametri) elencati nelle specifiche di prodotti di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM descritti o contenuti qui.

3, specifiche di qualsiasi prodotti della microelettronica di APM hanno descritto o contenuto qui il instipulate la prestazione, le caratteristiche e le funzioni dei prodotti descritti nello stato indipendente e non sono garanzie della prestazione, delle caratteristiche e delle funzioni dei prodotti descritti come montato in prodotti o attrezzature del cliente. Per verificare i sintomi e gli stati che non possono essere valutati in un dispositivo indipendente, il cliente dovrebbe esaminare e collaudare sempre i dispositivi montati in prodotti o attrezzature del cliente.

4, semiconduttore CO., srl della microelettronica di APM si sforzano di fornire gli alti prodotti dell'affidabilità di alta qualità. Tuttavia, qualsiasi prodotti a semiconduttori si guastano con una certa probabilità. È possibile che questi guasti probabilistici potrebbero provocare gli incidenti o gli eventi che potrebbero mettere in pericolo vite umane che potrebbero provocare il fumo o il fuoco, o che potrebbero danneggiare l'altra proprietà. L'attrezzatura di Whendesigning, adotta le misure di sicurezza in moda da non potere accadere questi generi di incidenti o di eventi. Tali misure includono ma non sono limitate ai circuiti di protezione ed ai circuiti di prevenzione degli errori per progettazione sicura, progettazione ridondante e progettazione strutturale.

5, nel caso in cui qualsiasi prodotti della microelettronica di APM (dati tecnici compresi, servizi) descritti o contenuti qui siano controllati sotto c'è ne delle leggi e dei regolamenti di controllo delle esportazioni locali applicabili, tali prodotti non devono essere esportati senza ottenere la licenza di esportazione dalle autorità responsabili conformemente alla legge di cui sopra.

6, nessuna parte di questa pubblicazione possono essere riprodotti o trasmessi in tutta la forma o con qualsiasi mezzo, elettronico o meccanico, compreso la fotocopiatura e la registrazione, o qualunque sistema di ricerca dell'informazione o di memorizzazione dei dati, o altrimenti, senza il permesso scritto priore del semiconduttore CO. della microelettronica di APM, srl.

7, informazioni (schemi circuitali compresi e parametri del circuito) qui sono soltanto per esempio; non è garantito per produzione in volume. La microelettronica di APM crede che le informazioni qui siano accurate ed affidabili, ma nessuna garanzia è fatta o implicata per quanto riguarda il suo uso o tutte le infrazioni dei diritti di proprietà intellettuale o di altri diritti dei terzi.

8, qualsiasi informazioni descritti o contenuti qui sono conforme a cambiamento senza preavviso dovuto il prodotto/il miglioramento della tecnologia, ecc. Nel progettare l'attrezzatura, riferisca «alla specificazione della consegna» per il prodotto della microelettronica di APM che intendete usare.

 

Dettagli di contatto
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Persona di contatto: David

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